公开(公告)号：CN104218086B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410238899.0

申请日：2014-05-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  B·B·多里斯 ,  P·哈希米 ,  A·卡基菲鲁兹 ,  A·雷茨尼采克

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明涉及具有共面形貌的多高度FINFET。提供了一种半导体结构，其具有有着可变高度的半导体鳍而没有任何不适当的形貌。所述半导体结构包括具有第一半导体表面和第二半导体表面的半导体衬底，其中所述第一半导体表面位于所述第二半导体表面上方并且从所述第二半导体表面垂直偏移。氧化物区域直接位于所述第一半导体表面和/或所述第二半导体表面上。具有第一高度的第一组第一半导体鳍位于所述半导体衬底的所述第一半导体表面上方。具有第二高度的第二组第二半导体鳍位于所述第二半导体表面上方，其中所述第二高度不同于所述第一高度，并且其中每个第一半导体鳍和每个第二半导体鳍具有彼此共面的最上表面。

公开(公告)号：CN103871893B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310613247.6

申请日：2013-11-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蔡劲 ,  K·K·陈 ,  R·H·德纳尔德 ,  B·B·多里斯 ,  B·P·林德尔 ,  R·穆拉丽达 ,  G·G·沙希迪

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明涉及具有超陡逆行阱的体鳍片FET及其制造方法。一种用于在体衬底中形成鳍片晶体管的方法包括在体衬底上形成超陡逆行阱（SSRW）。阱包括在未掺杂层下形成的第一导电类型掺杂剂的掺杂部分。在未掺杂层上生长的鳍片材料。从鳍片材料形成鳍片结构，并且鳍片材料是未掺杂的或者掺杂的。邻近鳍片结构提供源极和漏极区域以形成鳍片场效应晶体管。

公开(公告)号：CN101849278B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200880015367.3

申请日：2008-04-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·P·胡齐克 ,  B·B·多里斯 ,  W·K·汉森 ,  阎红雯 ,  张郢

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/84

Abstract: 一种用于形成微电子结构的方法使用位于目标层上方的掩模层。可使用掩模层作为蚀刻掩模来蚀刻目标层，以由目标层形成端部锥形的目标层。可将额外目标层形成在端部锥形的目标层上方，且被额外掩模层所掩蔽。可蚀刻额外目标层，以形成构图的额外目标层，其与端部锥形的目标层分隔，并且邻近端部锥形的目标层没有额外目标层残留。本方法可用于制造这样的CMOS结构，该CMOS结构所包括的nFET与pFET栅极电极具有不同的nFET与pFET栅极电极材料。

公开(公告)号：CN102511081A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201080041761.1

申请日：2010-09-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  A·卡基菲鲁兹 ,  B·B·多里斯 ,  G·沙伊迪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

Abstract: 本发明提供一种高性能半导体结构和一种用于制造此结构的方法。所述半导体结构包括位于半导体衬底(12)的上表面(14)上的至少一个栅极叠层(18)，例如，FET。所述结构进一步包括第一外延半导体材料(34)，其在所述至少一个栅极叠层的沟道(40)上诱导应变。所述第一外延半导体材料位于至少一个栅极叠层的足印处，基本上在所述衬底中的一对凹陷区域(28)内，所述凹陷区域存在于所述至少一个栅极叠层的相对侧面上。扩散扩展区域(38)位于每个所述凹陷区域的所述第一外延半导体材料的上表面内。所述结构进一步包括第二外延半导体材料(36)，其位于所述扩散扩展区域的上表面上。所述第二外延半导体材料具有高于所述第一外延半导体材料的掺杂剂浓度。

公开(公告)号：CN101364600B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200810131359.7

申请日：2008-08-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·A·卡蒂尔 ,  V·K·帕鲁许里 ,  B·B·多里斯 ,  V·纳拉亚南 ,  B·P·林德

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/49 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及电路结构及处理电路结构的方法。公开了具有PFET和NFET器件的FET器件结构，所述PFET和所述NFET器件具有高k介质栅极绝缘体、包含金属的栅极、以及阈值调整帽层。所述NFET栅极叠层和所述PFET栅极叠层均具有在所述NFET器件中和所述PFET器件中的相同的部分。所述相同的部分包含至少栅极金属层和帽层。由于所述相同的部分，简化了器件制造，需要较少数目的掩模。此外，作为使用单层金属用于两种类型的器件的栅极的结果，NFET和PFET的端电极可以以直接物理接触的方式彼此对接。还通过所述高k介质的氧暴露来调整器件阈值。阈值旨在用于低功耗器件操作。

公开(公告)号：CN101364599A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200810128077.1

申请日：2008-07-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·A·卡蒂尔 ,  V·帕鲁许里 ,  张郢 ,  M·L·斯特恩 ,  V·纳拉亚南 ,  B·P·林德 ,  M·T·罗布森 ,  B·B·多里斯

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明涉及CMOS结构和处理CMOS结构的方法以及包括至少CMOS电路的处理器。公开了一种CMOS结构，其中两种类型的FET器件均具有包含高k介质的栅极绝缘体、以及包含金属的栅极。单独调整所述两种类型的器件的阈值。对于一种类型的器件，通过将所述高k介质暴露到氧来设定其阈值。在氧暴露期间，使用应力介质层覆盖另一种类型的器件，所述应力层还会阻止氧穿透到另一种类型的器件的高k栅极介质。还通过将NFET和PFET器件两者的所述栅极的有效功函数调整为接近带边值来进一步提高所述CMOS结构的高性能。

公开(公告)号：CN101364546A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200810145597.3

申请日：2008-08-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·W·科佩尔 ,  王允愈 ,  V·纳拉亚南 ,  B·B·多里斯

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明涉及具有稳定的阈值修改材料的FET器件及其方法。公开了一种用于制造FET器件的方法。所述FET器件具有栅极绝缘体和阈值修改材料，所述栅极绝缘体具有高k介质部分。所述方法将稳定材料引入到栅极绝缘体中以阻止一种或多种金属从所述阈值修改材料穿过所述栅极绝缘体的所述高k部分。引进所述稳定材料包括在包含所述一种或多种金属的氧化物的层上设置稳定剂。还将稳定材料并入到所述高k介质中。应用本方法会产生具有独特的栅极绝缘体结构的FET器件。

公开(公告)号：CN100343974C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN02810275.4

申请日：2002-05-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： O·H·多库马奇 ,  B·B·多里斯

IPC: H01L21/762

Abstract: 公开了一种保护半导体浅沟槽隔离(STI)氧化物不被蚀刻的方法，该方法包括：将所述STI氧化物的上表面降低到低于相邻硅有源区以下的水平面，以有效地在所述STI氧化物上限定出凹陷处的方式，在所述STI氧化物和相邻的硅有源区上沉积氮化物衬里，用保护膜填充所述凹陷处，以及从所述相邻的有源区上除去所述氮化物层。

公开(公告)号：CN1866528A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610082638.X

申请日：2003-12-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·恰丹巴拉奥 ,  O·H·多库马奇 ,  B·B·多里斯 ,  J·A·曼德尔曼 ,  X·拜

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/6656 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/808

Abstract: 受张力和/或压缩力的衬底提高了在其中制造的器件性能。可以通过选择设置在器件沟道区上的栅极侧壁间隔层的适当材料而在衬底上施加张力和/或压缩力，其中间隔层与栅极和衬底相邻地形成，并施加力在相邻的衬底区域上。另一实施例包括使用通过氧化膨胀的多晶硅制成的SOI侧壁间隔层在沟道的平面中施加压缩应力。压缩力或张力下的衬底区域显示出与没有受应力的衬底不同的电荷迁移率特性。通过可控制地改变形成在衬底上的NFET和PFET内的这些应力，已经被证明可以提高IC性能。

公开(公告)号：CN1282233C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200310121550.0

申请日：2003-12-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： O·H·多库马奇 ,  B·B·多里斯 ,  S·G·赫格德 ,  M·莱昂 ,  E·C·琼斯

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/66916 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/802

Abstract: 本发明提供了一种具有与前栅极对准的背栅极的平面双栅极场效应晶体管器件的制造方法。通过在部分背栅极中产生载流子耗尽区，本发明的方法实现了这种对准。载流子耗尽区降低了源/漏区和背栅极之间的电容，由此提供了高性能的自对准的平面双栅极场效应晶体管。本发明也提供了具有与前栅极对准的后栅极的平面双栅极场效应晶体管器件。通过在部分背栅极中提供载流子耗尽区实现了前栅极与背栅极的对准。