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公开(公告)号：CN101364546A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810145597.3
申请日：2008-08-05
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/28026 , H01L21/28229 , H01L21/823857 , H01L29/517 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/7833
Abstract: 本发明涉及具有稳定的阈值修改材料的FET器件及其方法。公开了一种用于制造FET器件的方法。所述FET器件具有栅极绝缘体和阈值修改材料，所述栅极绝缘体具有高k介质部分。所述方法将稳定材料引入到栅极绝缘体中以阻止一种或多种金属从所述阈值修改材料穿过所述栅极绝缘体的所述高k部分。引进所述稳定材料包括在包含所述一种或多种金属的氧化物的层上设置稳定剂。还将稳定材料并入到所述高k介质中。应用本方法会产生具有独特的栅极绝缘体结构的FET器件。
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公开(公告)号：CN101364546B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200810145597.3
申请日：2008-08-05
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/28026 , H01L21/28229 , H01L21/823857 , H01L29/517 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/7833
Abstract: 本发明涉及具有稳定的阈值修改材料的FET器件及其方法。公开了一种用于制造FET器件的方法。所述FET器件具有栅极绝缘体和阈值修改材料，所述栅极绝缘体具有高k介质部分。所述方法将稳定材料引入到栅极绝缘体中以阻止一种或多种金属从所述阈值修改材料穿过所述栅极绝缘体的所述高k部分。引进所述稳定材料包括在包含所述一种或多种金属的氧化物的层上设置稳定剂。还将稳定材料并入到所述高k介质中。应用本方法会产生具有独特的栅极绝缘体结构的FET器件。
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公开(公告)号：CN101563780B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200680039179.5
申请日：2006-10-12
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/76
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/28194 , H01L21/28238 , H01L21/823807 , H01L29/105 , H01L29/1083 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 一种半导体结构，具体为pFET，其包括具有大于SiO2的介电常数的介电常数以及大于50％的Ge或Si含量的电介质材料，以及用于通过材料叠层设计而调节阈值/平带电压的至少一种其它手段。在本发明中考虑的其它手段包括例如利用在用于电荷固定的电介质上面的绝缘夹层和/或通过形成经设计的沟道区。本发明还涉及一种制造这样的CMOS结构的方法。
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公开(公告)号：CN101563780A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200680039179.5
申请日：2006-10-12
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/76
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/28194 , H01L21/28238 , H01L21/823807 , H01L29/105 , H01L29/1083 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 一种半导体结构，具体为pFET，其包括具有大于SiO2的介电常数的介电常数以及大于50％的Ge或Si含量的电介质材料，以及用于通过材料叠层设计而调节阈值/平带电压的至少一种其它手段。在本发明中考虑的其它手段包括例如利用在用于电荷固定的电介质上面的绝缘夹层和/或通过形成经设计的沟道区。本发明还涉及一种制造这样的CMOS结构的方法。
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