公开(公告)号：CN119949076A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202380068564.6

申请日：2023-09-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·哈希米 ,  孙赞红

IPC: H10N50/20

Abstract: 提供一种磁阻随机存取存储器(MRAM)结构。该MRAM结构包括在磁性自由层(26)下面的手性自旋轨道转矩(SOT)金属底部电极(18)，其中手性SOT金属底部电极(18)被过孔介电材料结构(24)围绕。手性SOT金属底部电极(18)使得充电电流方向、自旋电流方向和自旋极化方向处于与手性SOT金属底部电极(18)的水平表面垂直的相同方向。

公开(公告)号：CN114830363A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202080088298.X

申请日：2020-11-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·贾比尔 ,  D·沃利奇 ,  孙赞红 ,  P·哈希米

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  G11C11/16

Abstract: 一种磁性隧道结(MTJ)器件(200)包括圆柱形柱结构和被设置在柱结构的至少一部分上的第一铁磁层(204)。第一铁磁层(204)呈现出在施加的偏置和热中的至少一者存在的情况下可改变的磁化。MTJ器件(200)还包括被设置在第一铁磁层(204)的至少一部分上的电介质阻挡层(206)和被设置在电介质阻挡层(206)的至少一部分上的第二铁磁层(202)。第二铁磁层(202)呈现出固定的磁化。MTJ器件(200)被配置为使得第一和第二铁磁层(202、204)以及电介质阻挡层(206)同心地围绕柱结构。

公开(公告)号：CN104051502A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410089855.6

申请日：2014-03-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·N·亚当 ,  程慷果 ,  B·B·多里斯 ,  P·哈希米 ,  A·卡基菲鲁兹 ,  A·雷茨尼采克

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明涉及通过阳极化形成具有介质隔离的体SiGe鳍片。提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：提供包括硅层、掺杂半导体层和未掺杂硅锗层的材料叠层。通过蚀刻穿过未掺杂硅锗层、掺杂半导体层并且蚀刻含硅层的一部分，由材料叠层形成至少一个鳍片结构。形成与至少一个鳍片结构的至少一个端部接触的隔离区域。阳极化工艺去除至少一个鳍片结构的掺杂半导体层以提供空隙。沉积介质层以填充在硅层和掺杂半导体层之间的空隙。然后在至少一个鳍片结构的沟道部分形成源极和漏极区域。

公开(公告)号：CN118435729A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202280075677.4

申请日：2022-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·哈希米 ,  孙赞红 ,  胡国菡 ,  S·扎雷

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80

Abstract: 提供了一种存储器结构，即磁阻随机存取存储器(MRAM)结构，其包括接种区，该接种区至少包括位于化学模板层下方的隧道势垒籽晶层，该隧道势垒籽晶层比位于化学模板层上的磁性隧道结(MTJ)结构更宽。再沉积的金属材料位于所述籽晶区域的隧道势垒籽晶层的至少侧壁上，以便对所述结构的该区域进行分流。该存储器结构具有减小的电阻，具有最小的隧道磁阻(TMR)损失代价。

公开(公告)号：CN104218086A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410238899.0

申请日：2014-05-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  B·B·多里斯 ,  P·哈希米 ,  A·卡基菲鲁兹 ,  A·雷茨尼采克

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明涉及具有共面形貌的多高度FINFET。提供了一种半导体结构，其具有有着可变高度的半导体鳍而没有任何不适当的形貌。所述半导体结构包括具有第一半导体表面和第二半导体表面的半导体衬底，其中所述第一半导体表面位于所述第二半导体表面上方并且从所述第二半导体表面垂直偏移。氧化物区域直接位于所述第一半导体表面和/或所述第二半导体表面上。具有第一高度的第一组第一半导体鳍位于所述半导体衬底的所述第一半导体表面上方。具有第二高度的第二组第二半导体鳍位于所述第二半导体表面上方，其中所述第二高度不同于所述第一高度，并且其中每个第一半导体鳍和每个第二半导体鳍具有彼此共面的最上表面。

公开(公告)号：CN115280528A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202180020436.5

申请日：2021-02-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·哈希米 ,  B·多里斯 ,  J·J·诺瓦克 ,  J·Z·孙

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16 ,  G11C11/15

Abstract: 提供了一种制造双磁性隧道结器件的方法。该方法包括：形成第一磁性隧道结堆叠(204)，在第一磁性隧道结堆叠(204)上形成自旋导电层(206)，以及在自旋导电层(206)上形成第二磁性隧道结堆叠(704)。第二磁性隧道结堆叠(704)的宽度大于第一磁性隧道结堆叠(204)的宽度。相对于相关的单磁性隧道结器件，双磁性隧道结器件可以实现切换效率的提升，并且可以实现潜在地减小切换电流的增加的磁阻比。

公开(公告)号：CN119998882A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202380069219.4

申请日：2023-05-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·哈希米 ,  C·萨弗兰斯基

IPC: G11C11/16

Abstract: 一种磁性随机存取存储器（MRAM）设备包括：磁性隧道结（MTJ）堆叠；自旋轨道转矩（SOT）层，其位于MTJ堆叠下方；以及电介质柱，其位于SOT层和MTJ堆叠下方。SOT层具有台阶形轮廓。

公开(公告)号：CN119949036A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202380068955.8

申请日：2023-09-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·哈希米 ,  谢瑞龙

IPC: H10B61/00

Abstract: 公开了用于三端自旋轨道转矩(SOT)磁阻随机存取存储器(MRAM)设备的实施例。三端SOT MRAM设备包括驱动SOT线的第一型场效应晶体管(FET)。附加地，第一型FET包括与写字线(WWL)电接触的写入栅极。此外，该设备也包括与磁性隧道结(MTJ)电接触的第二型FET。同样，第二型FET包括与读字线(RWL)电接触的读取栅极。附加地，第一型FET被设置在第二型FET上方。此外，三端SOT MRAM设备提供每两个单元三个接触式多晶间距(CPP)的密度。

公开(公告)号：CN119856601A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380065350.3

申请日：2023-09-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·哈希米 ,  A·雷兹尼塞克

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 公开了一种半导体器件和形成该器件的方法。该半导体器件包括底部电极、在底部电极上的磁性隧道结(MTJ)堆叠，以及在MTJ堆叠上的顶部电极(136，236)。该底部电极和顶部电极(136，236)中的至少一个电极包括掺杂的SiGeSn。

公开(公告)号：CN114613804A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202111429450.9

申请日：2021-11-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安藤崇志 ,  A·雷茨尼采克 ,  P·哈希米 ,  谢瑞龙

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 一种交叉式ReRAM包括基板、在基板的上表面上彼此平行地延伸的多个第一列，其中多个第一列中的每一个包括由多个层组成的电阻式随机存取存储器(ReRAM)堆叠。多个第二列彼此平行地延伸，并且多个第二列垂直于多个第一列地延伸，其中多个第二列位于多个第一列之上，以使得多个第二列跨越多个第一列。介电层填充在多个第一列与多个第二列之间的空间中，其中，介电层与ReRAM堆叠的多个层中的每个层的侧壁直接接触。