公开(公告)号：CN1523649A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN200310121550.0

申请日：2003-12-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： O·H·多库马奇 ,  B·B·多里斯 ,  S·G·赫格德 ,  M·莱昂 ,  E·C·琼斯

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/66916 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/802

Abstract: 本发明提供了一种具有与前栅极对准的背栅极的平面双栅极场效应晶体管器件的制造方法。通过在部分背栅极中产生载流子耗尽区，本发明的方法实现了这种对准。载流子耗尽区降低了源/漏区和背栅极之间的电容，由此提供了高性能的自对准的平面双栅极场效应晶体管。本发明也提供了具有与前栅极对准的后栅极的平面双栅极场效应晶体管器件。通过在部分背栅极中提供载流子耗尽区实现了前栅极与背栅极的对准。

公开(公告)号：CN1282233C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200310121550.0

申请日：2003-12-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： O·H·多库马奇 ,  B·B·多里斯 ,  S·G·赫格德 ,  M·莱昂 ,  E·C·琼斯

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/66916 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/802

Abstract: 本发明提供了一种具有与前栅极对准的背栅极的平面双栅极场效应晶体管器件的制造方法。通过在部分背栅极中产生载流子耗尽区，本发明的方法实现了这种对准。载流子耗尽区降低了源/漏区和背栅极之间的电容，由此提供了高性能的自对准的平面双栅极场效应晶体管。本发明也提供了具有与前栅极对准的后栅极的平面双栅极场效应晶体管器件。通过在部分背栅极中提供载流子耗尽区实现了前栅极与背栅极的对准。

公开(公告)号：CN1828831A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610002745.7

申请日：2006-01-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 朱慧珑 ,  B·B·多里斯 ,  P·J·欧尔迪吉斯 ,  M·莱昂 ,  杨敏 ,  陈华杰

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/02

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1207 ,  Y10S438/938

Abstract: 本发明提供了一种形成半导体衬底的方法，包括以下步骤：提供初始结构，具有包括第一取向材料的第一器件区域和包括第二取向材料的第二器件区域；在第一取向材料顶部形成第一浓度的晶格调整材料；在第二取向材料顶部形成第二浓度的晶格调整材料；混合第一浓度的晶格调整材料与第一取向材料以形成第一晶格尺寸表面，并混合第二浓度的晶格调整材料与第二取向材料以形成第二晶格尺寸表面；以及在第一晶格尺寸表面顶部形成第一应变半导体层，并在第二晶格尺寸表面顶部形成第二应变半导体层。

公开(公告)号：CN100424823C

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200610002745.7

申请日：2006-01-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 朱慧珑 ,  B·B·多里斯 ,  P·J·欧尔迪吉斯 ,  M·莱昂 ,  杨敏 ,  陈华杰

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/02

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1207 ,  Y10S438/938

Abstract: 本发明提供了一种形成半导体衬底的方法，包括以下步骤：提供初始结构，具有包括第一取向材料的第一器件区域和包括第二取向材料的第二器件区域；在第一取向材料顶部形成第一浓度的晶格调整材料；在第二取向材料顶部形成第二浓度的晶格调整材料；混合第一浓度的晶格调整材料与第一取向材料以形成第一晶格尺寸表面，并混合第二浓度的晶格调整材料与第二取向材料以形成第二晶格尺寸表面；以及在第一晶格尺寸表面顶部形成第一应变半导体层，并在第二晶格尺寸表面顶部形成第二应变半导体层。

公开(公告)号：CN101268551A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200680034887.X

申请日：2006-07-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·多里斯 ,  G·科斯特里尼 ,  O·格卢斯陈克夫 ,  M·莱昂 ,  成乐根

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L27/11 ,  Y10S257/903 ,  Y10S438/973

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件结构，其包括形成在衬底中的至少一个SRAM单元。这种SRAM单元包括两个上拉晶体管、两个下拉晶体管和两个传输栅晶体管。下拉晶体管和传输栅晶体管具有基本上相似的沟道宽度且具有基本上相似的源－漏掺杂浓度，并且SRAM单元具有至少1.5的β比率。衬底优选包括具有两个隔离的区域组的混合衬底，并且在这两组区域中的载流子迁移率相差至少约1.5的系数。更优选地，SRAM单元的下拉晶体管形成在一组区域中，而传输栅晶体管形成在另一组区域中，从而下拉晶体管中的电流大于传输栅晶体管中的电流。

公开(公告)号：CN1510756A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310121549.8

申请日：2003-12-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·K·钱 ,  G·M·科昂 ,  M·莱昂 ,  R·A·罗伊 ,  P·M·所罗门 ,  杨敏

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/26533 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/78648

Abstract: 一种双栅极场效应晶体管(DGFET)结构及其这种结构的形成方法，其中源/漏区下的寄生电容显著减少。本发明引入了两个新措施，以减小源/漏区下的寄生电容。首先，将栅极外的硅区转变成氧化物，用具有第一横向厚度的第一间隔层保护了与栅极相邻的硅凸缘。使用自对准的氧注入或其它粒种注入促进氧化。其次，除去第一间隔层，用横向厚度小于第一间隔层的横向厚度的第二间隔层代替，通过使用横向选择性外延过生长并使用现在露出的硅凸缘作为籽晶在自对准的隔离区上生长新的硅源/漏区。这样可以获得到背平面的低电容，同时可以保持控制阈值电压。

公开(公告)号：CN100337334C

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200310121549.8

申请日：2003-12-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·K·钱 ,  G·M·科昂 ,  M·莱昂 ,  R·A·罗伊 ,  P·M·所罗门 ,  杨敏

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/336

Abstract: 一种双栅极场效应晶体管(DGFET)结构及其这种结构的形成方法，其中源/漏区下的寄生电容显著减少。本发明引入了两个新措施，以减小源/漏区下的寄生电容。首先，将栅极外的硅区转变成氧化物，用具有第一横向厚度的第一间隔层保护了与栅极相邻的硅凸缘。使用自对准的氧注入或其它粒种注入促进氧化。其次，除去第一间隔层，用横向厚度小于第一间隔层的横向厚度的第二间隔层代替，通过使用横向选择性外延过生长并使用现在露出的硅凸缘作为籽晶在自对准的隔离区上生长新的硅源/漏区。这样可以获得到背平面的低电容，同时可以保持控制阈值电压。