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公开(公告)号：CN105990391A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610159010.9
申请日：2016-03-18
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 在形成延伸通过顶部半导体层以及隐埋绝缘体层并且延伸到绝缘体上半导体(SOI)衬底的处理衬底中的第一沟槽之后，在第一沟槽内形成电介质波导材料堆叠，该电介质波导材料堆叠包括下电介质包覆层、核心层以及上电介质包覆层。接下来，在顶部半导体层的剩余部分中形成至少一个横向双极结型晶体管(BJT)，其可以是PNP BJT、NPN BJT或者一对互补的PNP BJT和NPN BJT。在形成延伸通过电介质波导材料堆叠的第二沟槽以重新暴露第一沟槽的底部表面的一部分之后，在第二沟槽中形成激光二极管。
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公开(公告)号：CN103262246B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201180057992.6
申请日：2011-09-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823892 , H01L21/823807 , H01L29/1041
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括半导体衬底(12)，所述半导体衬底（12）具有位于其上区域内的阱区域（12B）。半导体材料堆叠(14)位于所述阱区域上。所述半导体材料堆叠从下至上包括含半导体的缓冲层(15)和含非掺杂半导体的沟道层(16)；所述半导体材料堆叠的含半导体的缓冲层直接位于所述阱区域的上表面上。该结构还包括栅极材料堆叠(18)，其直接位于含非掺杂半导体的沟道层的上表面上。在本公开中采用的栅极材料堆叠从下至上包括高介电常数栅极电介质层(20)、功函数金属层(22)和多晶硅层(24)。
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公开(公告)号：CN103563066A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280026281.7
申请日：2012-04-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/70
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L21/8228 , H01L21/84 , H01L27/082
Abstract: 示例实施例是一种互补晶体管反相器电路。所述电路包括：绝缘体上半导体（SOI）衬底、被制造在所述SOI衬底上的横向PNP双极型晶体管和被制造在所述SOI衬底上的横向NPN双极型晶体管。横向PNP双极型晶体管包括PNP基极、PNP发射极和PNP集电极。横向NPN双极型晶体管包括NPN基极、NPN发射极和NPN集电极。PNP基极、PNP发射极、PNP集电极、NPN基极、NPN发射极和NPN集电极毗邻SOI衬底的掩埋绝缘体。
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公开(公告)号：CN103262246A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180057992.6
申请日：2011-09-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823892 , H01L21/823807 , H01L29/1041
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括半导体衬底(12)，所述半导体衬底(12)具有位于其上区域内的阱区域(12B)。半导体材料堆叠(14)位于所述阱区域上。所述半导体材料堆叠从下至上包括含半导体的缓冲层(15)和含非掺杂半导体的沟道层(16)；所述半导体材料堆叠的含半导体的缓冲层直接位于所述阱区域的上表面上。该结构还包括栅极材料堆叠(18)，其直接位于含非掺杂半导体的沟道层的上表面上。在本发明中采用的栅极材料堆叠从下至上包括高介电常数栅极电介质层(20)、功函数金属层(22)和多晶硅层(24)。
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公开(公告)号：CN101431078B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200810161774.7
申请日：2008-09-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/823857 , G11C16/0433 , G11C16/10 , H01L21/823885 , H01L21/84 , H01L27/0922 , H01L27/105 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11558 , H01L27/1203 , H01L29/66825 , H01L29/785 , H01L29/7881
Abstract: CMOS EPROM、EEPROM或反相器器件包括带有薄栅极电介质层的nFET器件、和带有厚栅极电介质层和浮置栅电极的与nFET器件并置的pFET器件。厚栅极电介质层基本上比薄栅极电介质层厚。连接两个FET器件的公用漏极节点在存储器件的情况下没有外部连接，而在反相器的情况下含有外部连接。存在到两个FET器件的源极区和到nFET器件的栅电极的外部电路连接。pFET和nFET器件可以是平面、垂直或FinFET器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101431078A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810161774.7
申请日：2008-09-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/823857 , G11C16/0433 , G11C16/10 , H01L21/823885 , H01L21/84 , H01L27/0922 , H01L27/105 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11558 , H01L27/1203 , H01L29/66825 , H01L29/785 , H01L29/7881
Abstract: CMOS EPROM、EEPROM或反相器器件包括带有薄栅极电介质层的nFET器件、和带有厚栅极电介质层和浮置栅电极的与nFET器件并置的pFET器件。厚栅极电介质层基本上比薄栅极电介质层厚。连接两个FET器件的公用漏极节点在存储器件的情况下没有外部连接，而在反相器的情况下含有外部连接。存在到两个FET器件的源极区和到nFET器件的栅电极的外部电路连接。pFET和nFET器件可以是平面、垂直或FinFET器件。
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公开(公告)号：CN1258229C
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200310123110.9
申请日：2003-12-17
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/73
CPC classification number: H01L29/66265 , H01L29/0821 , H01L29/7317
Abstract: 本发明公开了一种具有多数载流子累积层作为子集电极的双极晶体管。电子电路中包括的双极晶体管包括一个导电的背面电极、在该导电的背面电极上的绝缘层，以及在该绝缘层上的n型或者p型材料的半导体层。该半导体层包括用作集电极的掺杂区，以及与该掺杂区交界，用作所述绝缘层和集电极接点电极之间的透过区的重掺杂区。通过向背面电极施加偏压，在集电极的掺杂区中邻近绝缘层产生多数载流子累积层。
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公开(公告)号：CN103378082A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310124655.5
申请日：2013-04-11
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L29/1606 , G01L9/0042 , G01L9/0051 , H01L27/0802 , H01L29/0649
Abstract: 本发明涉及石墨烯压力传感器。一种半导体纳米压力传感器器件具有石墨烯膜，所述石墨烯膜悬置在形成于半导体衬底中的开放腔之上。悬置的石墨烯膜用作活动机电膜以感测压力，其可被制造为非常薄，厚度为约1个原子层到约10个原子层，以改善半导体压力传感器器件的灵敏度和可靠度。
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公开(公告)号：CN101908561A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010192411.7
申请日：2010-05-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/088 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/41733 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L29/78612 , H01L29/78621
Abstract: 本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。公开了一种半导体器件，其包括绝缘体上半导体衬底，所述绝缘体上半导体衬底包括掩埋的绝缘体层和上覆的半导体层。源极扩展区和漏极扩展区被形成在所述半导体层中。深漏极区和深源极区被形成在所述半导体层中。漏极金属-半导体合金接触位于所述深漏极区的上部上且端接所述漏极扩展区。源极金属-半导体合金接触端接所述源极扩展区。所述深源极区位于所述源极合金接触的第一部分之下且与其接触。所述深源极区不位于所述源极合金接触的第二部分之下且不与其接触，从而所述源极合金接触的所述第二部分是直接接触所述半导体层的内部体接触。
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公开(公告)号：CN101438400A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200780011899.5
申请日：2007-04-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8242 , H01L21/84 , G11C8/16 , G11C11/405 , H01L21/28 , H01L27/12 , H01L29/49
CPC classification number: G11C11/4097 , G11C7/18 , G11C8/16 , G11C11/405 , H01L21/28079 , H01L21/84 , H01L27/10873 , H01L29/495
Abstract: 动态随机存取存储器单元包括电容存储器件和写存取晶体管。写存取晶体管可操作地耦合到电容存储器件并具有栅极堆，所述栅极堆包括高K绝缘体(424)和耦合到所述高K绝缘体的金属栅极电极(422)，其中高K绝缘体具有大于二氧化硅的介电常数的介电常数。
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