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公开(公告)号：CN112968341A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110138461.5
申请日：2021-02-01
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: H01S3/00
Abstract: 一种用于宽带超短激光及其相关应用领域的能量衰减装置，该装置由半波片、单面镀膜的第一楔板偏振片、单面镀膜的第二楔板偏振片及吸收池组成，通过所述半波片对宽带超短激光的偏振方向进行调制，通过所述第一楔板偏振片对宽带超短激光S分量反射光进行检偏，通过旋转所述半波片的角度实现对宽带超短激光脉冲能量的连续衰减调整，并利用所述第二楔板偏振片实现所述第二楔板偏振片的反射光方向与所述第一楔板偏振片入射宽带超短激光平行。上述装置可以降低宽带超短激光传输过程中的能量损耗以及激光系统中光学元件发生损伤的几率，避免宽带超短激光传输过程中产生的色散效应及脉宽展宽，便于对后续光路的准直和调节。
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公开(公告)号：CN112663141A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011430780.5
申请日：2020-12-07
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本申请公开一种二维卤化钙钛矿单晶体生长形态的控制方法，用于生成各种形态的二维卤化钙钛矿单晶体，以用于各种用途。所述二维卤化钙钛矿单晶体生长形态的控制方法包括以下步骤：制备二维卤化钙钛矿饱和溶液；以预设降温速率降低所述二维卤化钙钛矿饱和溶液的温度，以在所述二维卤化钙钛矿饱和溶液的上表面形成预设尺寸的单晶体。
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公开(公告)号：CN112636150A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011517087.1
申请日：2020-12-21
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于光转化隔板玻璃的激光放大器，由氙灯泵浦源、隔板玻璃、增益介质组成，其特征在于：在所述的隔板玻璃内部烧结波长转化材料，使隔板玻璃吸收增益介质非吸收波段的氙灯光谱，并转化为增益介质可吸收的波长，从而提高氙灯光源的利用率和激光放大器的工作效率。本发明将光转化材料烧结入隔板玻璃中，能使其在放大器高温高真空条件下极为稳定地工作，杜绝由材料龟裂或放气带来的腔室污染，极大地提高激光放大器的稳定性；能根据增益介质的吸收光谱进行特殊定制，能有效应用于不同种类的激光放大器，具有普适性。
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公开(公告)号：CN112432898A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011206315.3
申请日：2020-11-03
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种KDP类晶体锥柱生长区域的判别方法和测试装置，其中方法包括：测量深紫外某一波长激光光束的初始能量E1或者光功率P1，在所述深紫外激光光路上放置KDP类晶体，测量透过KDP类晶体后激光束能量E2或者光功率P2，利用公式T＝E2/E1*100％或者T＝P2/P1*100％计算出该KDP类晶体测量点处的透过率T。根据透过率T判断晶体锥柱生长区域：透过率T高于70％，为KDP类晶体的锥面生长区；透过率T低于50％，为KDP类晶体的柱面生长区；透过率T在[50％，70％]，则为KDP类晶体的锥柱交界区。该方法可简便、快速判别快速生长KDP类晶体的锥柱生长区类别。
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公开(公告)号：CN110055578B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910299107.3
申请日：2019-04-15
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明公开了一种KDP类晶体生长过程中载晶架上杂晶的消除装置和方法，可以在载晶架上产生杂晶的情况下，通过计算机图像识别杂晶的位置，自动发送指令通知控制器控制杂晶位置下面加热片发热，从而在杂晶所在的区域形成一个局部的高温，直到杂晶被完全消除。本发明可以在不影响晶体正常生长的情况下溶解载晶架上的杂晶，提高KDP类晶体生长的成功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112267098A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202010928969.0
申请日：2020-09-07
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明属于光学薄膜技术领域，具体涉及空间激光薄膜制备方法。该方法提出一种制备空间激光薄膜的全流程技术方案，包括去除基底表面污染物和亚表面缺陷、增加抗辐照保护层，基底上镀膜，明确了各环节的技术方案和实现途径，使用本发明制备的薄膜，基底表面及亚表面缺陷大大减少，薄膜折射率可达到体材料水平，在大气‑真空环境下光谱偏移小，也不易受到空间粒子辐照的影响，并且具有较高的激光损伤阈值，改善了常规激光薄膜不适用于空间环境的情况。
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公开(公告)号：CN112229854A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202010916390.2
申请日：2020-09-03
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G01N21/95
Abstract: 本发明提出了一种球面光学元件表面缺陷测量装置和测量方法，利用照明反射光和表面缺陷产生的散射光的偏振特性的差异，去除照明反射光对表面缺陷暗场成像的影响，在准直照明条件下，即可实现不同曲率半径光学元件表面缺陷检测，无需因球面光学元件的曲率改变而调整照明光源，也不需要复杂的光学设计来实现不同程度聚焦照明光。结合抛光液等污染性缺陷的光致发光效应，实现对球面光学元件表面残留的抛光液等缺陷的原位同步检测。提出了一种结合位置探测器的原位反射式球面定心光路结构，球面光学元件无需在定心系统和测量系统之间移动，避免了运动定位误差，结构简单方便。
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公开(公告)号：CN111190386B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010013796.X
申请日：2020-01-07
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海恒益光学精密机械有限公司
Abstract: 一种磁流变抛光中最优角度路径规划与加工方法，步骤为：测量得到磁流变去除函数，同时确定加工路径的采样间距；对去除函数进行二维傅里叶变换，分析磁流变去除函数二维频谱在路径采样频率处的最低截止频率的对应角度；加工时通过调整加工路径的方向或磁流变抛光轮的姿态使得抛光轮与路径的夹角始终呈上述分析得到的角度；最终控制机床加工得到的面形中频误差将远优于传统垂直路径加工所得到的结果。本发明仅需改变去除函数与路径之间的夹角至理论分析得到的最优值，不需要任何附加成本即可获得中频误差优于传统路径5～10倍以上的加工结果；同时使得磁流变工具的无中频加工成为可能，这对加工效率提高、机床寿命延长都有着重要意义。
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公开(公告)号：CN108872154B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201810516822.3
申请日：2018-05-25
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种无包层光纤空间角分辨激光散射损耗的测量装置和方法，装置包括：由连续激光器、光束准直器、调频器、起偏器、相位延迟器、分光片、光纤耦合器、机械夹持装置、圆柱形暗箱、电动位移台、第一光电探测器、第二光电探测器、第一锁相放大器、第二锁相放大器、A/D数据采集卡和计算机。本发明可以测量沿光纤长度方向的截面内激光散射的角分辨强度分布，还可以得到沿光纤长度方向散射分布。本发明还可以通过调节激光偏振方向，获得不同偏振态激光对光纤散射的影响规律。本发明不但适用于单晶光纤，也可用于普通光纤。该装置和方法适用于所有波长的激光，可以为光纤激光散射损耗测量提供实验平台。
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公开(公告)号：CN108981923B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201810819131.0
申请日：2018-07-24
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G01J5/00
Abstract: 一种在线测量连续激光作用下光学元件表面温升的装置包括：由连续激光器、可供样品放置的样品台、第一固定安装式红外热像仪和第一计算机构成的测量连续激光作用下光学元件表面精确温升装置，由固体表面热电偶、可供样品放置的高温恒温加热台、第二固定安装式红外热像仪和第二计算机构成的标定等效辐射率系数ε′装置；及方法。本发明为连续激光系统中光学元件表面温升的直接测量提供参考，在测量之前先对固定安装式红外热像仪的等效辐射率系数进行标定。
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