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公开(公告)号：CN118880463A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411185614.1
申请日：2024-08-27
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明公开一种导模法生长氧化镓单晶的生长装置及生长方法。所述生长装置包括坩埚和位于所述坩埚中的模具，所述生长装置还包括：发热体，所述发热体位于所述坩埚外围，所述发热体的上边缘高于所述坩埚的上边缘10‑15mm；盖板，所述盖板盖于所述发热体上，所述盖板的中心处设置有通孔。本发明采用了一定的后热设计和大间距的隔热盖板，并结合特定的功率控制工艺，巧妙利用了氧化镓的结晶习性，实现了可控的分步放肩过程。放肩过程分步可控，避免了宽厚二维随机放肩，单晶成品率高。所有流程单次连续完成，流程简单。通常放肩三角部作为不可加工部分，会造成原料浪费，本发明这种方法大大降低了原料的浪费率。
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公开(公告)号：CN117817868A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311636238.9
申请日：2023-12-01
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海恒益光学精密机械有限公司
Abstract: 一种用于KDP和DKDP晶体线切割机的切削液恒温循环供给装置，包括L型的控制箱和嵌入在该控制箱内的切削液箱；在切削液箱的上方设有循环泵，用于抽取切削液，该循环泵外接进液管路，切削液箱通过隔板分为沉淀区和供给区，且沉淀区经过滤板分为上下二层，排液管道伸入至所述沉淀区的下层；切削液箱内切削液初始为装满状态，循环泵将切削液送往进液管道，进液管道直达DKDP晶体切割机的前端需要切削液冲淋的位置，切削液冲淋过后，经过排液管道回到切削液箱的沉淀区内，其中较大的杂质会通过重力的作用沉淀下去，切削液中小的杂质会被所述过滤板过滤掉，然后到达供给区。本发明具有升温速率快，切削液供给质量稳定，切削液的温度可调，切削液可循环使用。
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公开(公告)号：CN117719084A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311636242.5
申请日：2023-12-01
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海恒益光学精密机械有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于KDP和DKDP晶体线切割机的机床线轮装置，所述装置包括左安装板、左安装架、顶部安装架、右安装架、右安装板以及若干线轮等。与本发明在切割KDP和DKDP晶体时，起到增大传动效率，减少线轮磨损，减小运转时线的抖动的作用。本发明通过张力控制系统，提高KDP和DKDP晶体切割时的稳定性，且切割的张力控制可调节，可以提高切割出的KDP和DKDP晶体切割面平整度，采用气缸提供的稳定气推力输出，可以避免或减少金刚石线在切割时的振动。
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公开(公告)号：CN113089074B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202110341818.X
申请日：2021-03-30
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 重庆大学
Abstract: 一种基于二维运动的DKDP晶体长籽晶生长方法，具有两大优势，一是沿柱面生长晶体，不存在低光学质量的柱锥交界面；二是免除了转晶法晶体生长中不可避免的迎流、侧流和尾流三种易引起包裹物形成的流动区域。长籽晶在新鲜溶液中周期运动，运动一周四个柱面能实现可逆剪切流，且柱面上任一点在一个运动周期内经历完全一样的流体力学条件，使溶质供应既充分又均匀，生长速度得以提高，形貌稳定性能得到保证。该方法有利于快速生长高质量的DKDP晶体，为ICF激光装置所需的大尺寸、高质量DKDP晶体生长提供较好的解决方案。
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公开(公告)号：CN110055578B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910299107.3
申请日：2019-04-15
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明公开了一种KDP类晶体生长过程中载晶架上杂晶的消除装置和方法，可以在载晶架上产生杂晶的情况下，通过计算机图像识别杂晶的位置，自动发送指令通知控制器控制杂晶位置下面加热片发热，从而在杂晶所在的区域形成一个局部的高温，直到杂晶被完全消除。本发明可以在不影响晶体正常生长的情况下溶解载晶架上的杂晶，提高KDP类晶体生长的成功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108680106B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201810620203.9
申请日：2018-06-15
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种KDP类晶体生长参数的实时测量系统及其测量方法，包括晶体生长槽、位于晶体生长槽内部的载晶架，载晶架通过载晶架连杆与位于晶体生长槽外部的旋转电机相连，晶体生长槽的侧壁开有观察窗，载晶架连杆上安装有编码器，观察窗外侧安装有相机，相机通过相机支架固定，编码器和相机都与计算机通信连接。该用于KDP类晶体生长参数的实时测量系统及其测量方法，可以实时准确得到晶体的尺寸、生长速度以及过饱和度，有利于科研人员掌握KDP类晶体的生长规律，优化KDP类晶体生长工艺和提高晶体质量，助力ICF装置的顺利完工。
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公开(公告)号：CN109943881A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910283597.8
申请日：2019-04-10
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种KDP类长籽晶单锥晶体生长的载晶架，包括上横梁、下托盘、两个搅拌桨以及连接杆，所述的搅拌桨为等腰三角立柱结构；所述的下托盘的上表面的正中央为籽晶的固定位置，所述的两个搅拌桨的顶点棱边朝向下托盘的中心，所述的两个搅拌桨、连接杆、上横梁在同一竖直平面上，所述的两个搅拌桨的下端固定在所述的下托盘同一直径的两端，所述的连接杆下端固定在所述的上横梁的正中间；所有连接处均平滑相连，并在整个载晶架上涂有一层膜以保证光滑。本发明为长籽晶单锥晶体生长提供了合适的载晶架，使得溶质分布更均匀，从而长出更均匀高质量的晶体。
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公开(公告)号：CN108680106A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810620203.9
申请日：2018-06-15
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种KDP类晶体生长参数的实时测量系统及其测量方法，包括晶体生长槽、位于晶体生长槽内部的载晶架，载晶架通过载晶架连杆与位于晶体生长槽外部的旋转电机相连，晶体生长槽的侧壁开有观察窗，载晶架连杆上安装有编码器，观察窗外侧安装有相机，相机通过相机支架固定，编码器和相机都与计算机通信连接。该用于KDP类晶体生长参数的实时测量系统及其测量方法，可以实时准确得到晶体的尺寸、生长速度以及过饱和度，有利于科研人员掌握KDP类晶体的生长规律，优化KDP类晶体生长工艺和提高晶体质量，助力ICF装置的顺利完工。
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公开(公告)号：CN106756814A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710000701.9
申请日：2017-01-03
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
CPC classification number: C23C14/30 , C23C14/225 , C23C14/505
Abstract: 一种电子束蒸发倾斜沉积镀膜装置及使用方法，该装置包括角度准直装置、基片安装夹具、连接螺柱、连接筒、步进电机、步进电机驱动器和计算机，特点在于由基片安装夹具、角度准直装置及其连接螺柱构成倾斜沉积镀膜装置，具有多个不同角度倾斜的电子束蒸发沉积通道，本发明一次镀膜可以实现多片倾斜角度一致或者不一致的“雕塑”薄膜，具有结构简单，性能稳定，可操作性强等特点。
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