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公开(公告)号：CN115849700B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202211505443.7
申请日：2022-11-28
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: C03B37/012 , C03B37/027
Abstract: 本发明公开了一种全固态大模场硫系玻璃光子晶体光纤的制备方法，包括制备基底硫系玻璃复合套管、制备填充硫系玻璃棒、制备基底硫系玻璃束缚套管、制备硫系玻璃复合细棒、制备基底硫系玻璃细棒、组装光子晶体光纤预制棒和拉制光子晶体光纤。本发明全固态大模场硫系玻璃光子晶体光纤的制备方法可显著减少纤芯/包层界面上的缺陷，降低光纤的传输损耗。本发明可制备最大芯径～120μm的柔性全固态大模场硫系玻璃光子晶体光纤，光纤的最低传输损耗
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公开(公告)号：CN115849700A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211505443.7
申请日：2022-11-28
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: C03B37/012 , C03B37/027
Abstract: 本发明公开了一种全固态大模场硫系玻璃光子晶体光纤的制备方法，包括制备基底硫系玻璃复合套管、制备填充硫系玻璃棒、制备基底硫系玻璃束缚套管、制备硫系玻璃复合细棒、制备基底硫系玻璃细棒、组装光子晶体光纤预制棒和拉制光子晶体光纤。本发明全固态大模场硫系玻璃光子晶体光纤的制备方法可显著减少纤芯/包层界面上的缺陷，降低光纤的传输损耗。本发明可制备最大芯径～120μm的柔性全固态大模场硫系玻璃光子晶体光纤，光纤的最低传输损耗
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公开(公告)号：CN112663141A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011430780.5
申请日：2020-12-07
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本申请公开一种二维卤化钙钛矿单晶体生长形态的控制方法，用于生成各种形态的二维卤化钙钛矿单晶体，以用于各种用途。所述二维卤化钙钛矿单晶体生长形态的控制方法包括以下步骤：制备二维卤化钙钛矿饱和溶液；以预设降温速率降低所述二维卤化钙钛矿饱和溶液的温度，以在所述二维卤化钙钛矿饱和溶液的上表面形成预设尺寸的单晶体。
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公开(公告)号：CN112636150A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011517087.1
申请日：2020-12-21
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于光转化隔板玻璃的激光放大器，由氙灯泵浦源、隔板玻璃、增益介质组成，其特征在于：在所述的隔板玻璃内部烧结波长转化材料，使隔板玻璃吸收增益介质非吸收波段的氙灯光谱，并转化为增益介质可吸收的波长，从而提高氙灯光源的利用率和激光放大器的工作效率。本发明将光转化材料烧结入隔板玻璃中，能使其在放大器高温高真空条件下极为稳定地工作，杜绝由材料龟裂或放气带来的腔室污染，极大地提高激光放大器的稳定性；能根据增益介质的吸收光谱进行特殊定制，能有效应用于不同种类的激光放大器，具有普适性。
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公开(公告)号：CN108680106B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201810620203.9
申请日：2018-06-15
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种KDP类晶体生长参数的实时测量系统及其测量方法，包括晶体生长槽、位于晶体生长槽内部的载晶架，载晶架通过载晶架连杆与位于晶体生长槽外部的旋转电机相连，晶体生长槽的侧壁开有观察窗，载晶架连杆上安装有编码器，观察窗外侧安装有相机，相机通过相机支架固定，编码器和相机都与计算机通信连接。该用于KDP类晶体生长参数的实时测量系统及其测量方法，可以实时准确得到晶体的尺寸、生长速度以及过饱和度，有利于科研人员掌握KDP类晶体的生长规律，优化KDP类晶体生长工艺和提高晶体质量，助力ICF装置的顺利完工。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109943881A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910283597.8
申请日：2019-04-10
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种KDP类长籽晶单锥晶体生长的载晶架，包括上横梁、下托盘、两个搅拌桨以及连接杆，所述的搅拌桨为等腰三角立柱结构；所述的下托盘的上表面的正中央为籽晶的固定位置，所述的两个搅拌桨的顶点棱边朝向下托盘的中心，所述的两个搅拌桨、连接杆、上横梁在同一竖直平面上，所述的两个搅拌桨的下端固定在所述的下托盘同一直径的两端，所述的连接杆下端固定在所述的上横梁的正中间；所有连接处均平滑相连，并在整个载晶架上涂有一层膜以保证光滑。本发明为长籽晶单锥晶体生长提供了合适的载晶架，使得溶质分布更均匀，从而长出更均匀高质量的晶体。
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公开(公告)号：CN108680106A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810620203.9
申请日：2018-06-15
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种KDP类晶体生长参数的实时测量系统及其测量方法，包括晶体生长槽、位于晶体生长槽内部的载晶架，载晶架通过载晶架连杆与位于晶体生长槽外部的旋转电机相连，晶体生长槽的侧壁开有观察窗，载晶架连杆上安装有编码器，观察窗外侧安装有相机，相机通过相机支架固定，编码器和相机都与计算机通信连接。该用于KDP类晶体生长参数的实时测量系统及其测量方法，可以实时准确得到晶体的尺寸、生长速度以及过饱和度，有利于科研人员掌握KDP类晶体的生长规律，优化KDP类晶体生长工艺和提高晶体质量，助力ICF装置的顺利完工。
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公开(公告)号：CN105845554A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610204422.X
申请日：2016-04-02
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/02096
Abstract: 一种超薄光学薄膜衬底硅片清洗方法包括步骤：用石油醚和丙酮的混合溶液超声清洗硅片表面；利用去离子水兆声清洗硅片表面；将硅片静置于添加JFC渗透剂的碱式清洗溶液中65℃～100℃水浴，清洗硅片表面，该碱式清洗溶液的体积比为NH4OH∶H2O2∶H2O＝(1％～5％)∶(10％～30％)∶1；将硅片静置于HF/HCL/H2O混合溶液中，清洗硅片表面；利用去离子水兆声清洗硅片表面；真空干燥箱烘干。本发明具有三大显著优点，清洗溶液不受管制，方便购置；每个清洗环节的温度控制到最佳状态，提高清洗效率，降低了清洗难度；碱式清洗溶液中加入JFC渗透剂，避免清洗过程中对硅片表面粗糙度的影响。
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公开(公告)号：CN104051553B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410268647.2
申请日：2014-06-17
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/028
Abstract: 一种高吸收率太阳能薄膜，包括薄膜衬底和高吸收率太阳能薄膜的多层膜(100)，所述的高吸收率太阳能薄膜包括四种膜层:AlN膜层、Si膜层、HfO2膜层和SiO2膜层共34层。实验表明，本发明高吸收率太阳能薄膜在正入射条件下实现了可见光波段吸收率大于94％，红外波段的发射率小于10％，该薄膜在太阳能电池系统中具有重要的实用前景。
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公开(公告)号：CN115896955B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202211504984.8
申请日：2022-11-28
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 提供了一种提高钙钛矿单晶表面性能的抛光方法，包括使用新型的抛光液对晶体上下表面进行抛光的同时实现化学钝化。本发明利用化学抛光液在机械抛光钙钛矿单晶表面的同时，钝化表面，达到降低表面粗糙度，减少表面缺陷，提高晶体透过率和电学稳定性的效果。抛光后的晶体表面粗糙度和缺陷明显降低，透过率和电学稳定性有明显提高，因此，本发明提出的改进方法是一种可行的提高晶体表面性能的手段。
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