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公开(公告)号：CN108342775B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201710061035.X
申请日：2017-01-25
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: C30B29/16 , C30B13/00 , H01L31/032 , B01J23/20
Abstract: 本发明公开了一种钽掺杂β氧化镓晶态材料及其制备方法和应用。该Ta掺杂β‑Ga2O3晶态材料属于单斜晶系，空间群为C2/m，电阻率在2.0×10‑4到1×104Ω·cm范围内和/或载流子浓度在5×1012到7×1020/cm3范围内。制备方法包括步骤：将纯度在4N以上的Ta2O5和Ga2O3混合后进行晶体生长即可。本发明采用常规工艺即可制备得到高电导率，呈n型导电特性的β‑Ga2O3晶态材料，为其在电力电子器件、光电子器件、光催化剂或导电衬底上的应用提供基础。
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公开(公告)号：CN113981521B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202111211292.X
申请日：2021-10-18
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种长籽晶KDP类晶体的偏置式快速生长方法，将长籽晶置于远离载晶架底部托盘上表面中心的位置，使长籽晶在生长过程中绕载晶架旋转轴在生长槽中周期性正反交替旋转，所述的长籽晶的中心纵轴与所述的载晶架的旋转轴不重合。由于长籽晶放置在远离载晶架底部托盘上表面中心的位置，在随载晶架底部托盘上表面正反转动的过程中，长籽晶的每个面都具有比较高的圆周运动线速度，而且长籽晶的运动范围很大，有利于长籽晶接触较大范围内的新鲜溶液，提高晶体生长初期的溶质供应能力。本发明有利于改善长籽晶KDP类晶体生长初期长籽晶附近的流场状态，显著降低晶体生长初期白纹缺陷的产生几率，提高快速生长KDP类晶体的成功率和晶体元件的切割效率。
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公开(公告)号：CN110587122A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201911031282.0
申请日：2019-10-28
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种提高激光材料损伤性能的预处理装置及方法，包括固体激光器、光学系统、第一反射镜、第二反射镜、第一小孔光阑、聚焦镜、控制系统、第二小孔光阑和吸收体。所述的固体激光器是高重频紫外固体激光器，重复频率30kHz-200kHz可调节，波长355nm。本发明所用的激光器是高重频紫外固体激光器，重复频率很高且可调节，不仅能够显著的提高激光预处理的效率，而且还可以进一步的提升激光预处理的效果。
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公开(公告)号：CN110055579A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910283598.2
申请日：2019-04-10
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种KDP类晶体长籽晶单锥生长方法，本发明提供的生长方法中，长籽晶下端受到下托盘的限制，上端自由成锥生长，同时[100]和[010]两个方向的四个柱面能够生长，晶体生长过程中不存在生长应力问题，所有切割出来的光学元件都具有很高的光学质量。由于生长过程是四个生长环境高度相似的柱面同时生长，且在晶体生长过程中通过叶状搅拌桨进行搅拌，所以切割出来的光学元件都具有很高的光学均匀性。由于KDP类晶体三倍频元件切割角度的独特性，用本发明长成的晶体切割三倍频元件时具有很高的切割效率，而且还可以通过长成的晶体水平尺寸的大小提前知晓能够切割出来的最大的三倍频元件的面积。
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公开(公告)号：CN110055578A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910299107.3
申请日：2019-04-15
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明公开了一种KDP类晶体生长过程中载晶架上杂晶的消除装置和方法，可以在载晶架上产生杂晶的情况下，通过计算机图像识别杂晶的位置，自动发送指令通知控制器控制杂晶位置下面加热片发热，从而在杂晶所在的区域形成一个局部的高温，直到杂晶被完全消除。本发明可以在不影响晶体正常生长的情况下溶解载晶架上的杂晶，提高KDP类晶体生长的成功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106868593B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710011291.8
申请日：2017-01-06
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明公开了一种电阻率低至10‑3Ω·cm量级的共掺杂氧化镓晶体，通过Sn和In离子掺入氧化镓形成的n型导电晶体，化学式为Ga2‑2x‑2yIn2xSn2yO3+y，其中x＝10～30mol％，y＝0.005～1mol％。同时公开了获得高电导率氧化镓晶体的制备方法，通过在氧化镓基质里面同时掺入Sn和In元素，使用光学浮区法生长出单晶，在较低的掺杂浓度下，获得较高的载流子浓度，实现氧化镓晶体电导率的提高。
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公开(公告)号：CN105568383B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201610006799.4
申请日：2016-01-06
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，提供了一种CaCu3Ti4O12晶体生长原料的合成方法，将CaCO3、CuO和TiO2按照配比充分混合均匀、压制成块状、高温烧结后成为晶体生长的起始原料。还提供了一种制备CaCu3Ti4O12晶体的方法，将上述烧结体放入晶体生长炉中，以铂金坩埚作为生长容器，升温至熔化后，搅拌溶液，然后冷却至饱和点以上5～15℃，得到混合均匀的熔体，将籽晶预热后缓慢引入晶体生长炉开始试探饱和温度，20～24h后籽晶未熔未长，则开始以0.1～2℃/day的降温速率缓慢生长，晶体生长结束后，提出晶体然后缓慢降至室温，取出得到CaCu3Ti4O12晶体。CaCu3Ti4O12晶体具有巨介电常数，有望用于新信息存储材料等领域。
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公开(公告)号：CN106048724B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201610523873.X
申请日：2016-07-06
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种钠钡镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法，钠钡和镱离子共掺YAG晶体的化学式为：Na3xBa3yYb3zY3(1‑x‑y‑z)Al5O12，式中x＝0.0001～0.01,y＝0.0001～0.01，z＝0.05～0.3,x为Na离子的掺杂浓度，y为Ba离子的掺杂浓度，z为Yb离子的掺杂量，Na、Ba、Yb离子进入晶体均取代Y离子格位。本发明制备的Na3xBa3yYb3zY3(1‑x‑y‑z)Al5O12超快闪烁晶体具有光产额高、抗辐照损伤强等优点，可应用于超快脉冲辐射探测、惯性约束核聚变、空间辐射探测、核反应动力学研究等领域。
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公开(公告)号：CN105908257B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201610407716.2
申请日：2016-06-12
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种钙镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法，钙和镱离子共掺YAG晶体的化学式为：Ca3xYb3yY3(1‑x‑y)Al5O12，式中x＝0.0001～0.01，y＝0.05～0.3，x为Ca离子的掺杂量，y为基质Yb离子的掺杂量，Ca离子和Yb离子进入晶体取代Y离子格位。本发明制备的Ca3xYb3yY3(1‑x‑y)Al5O12超快闪烁晶体具有光产额高、抗辐照损伤强等优点，可应用于超快脉冲辐射探测、惯性约束核聚变、空间辐射探测、核反应动力学研究等领域。
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公开(公告)号：CN105044813B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201510524712.8
申请日：2015-08-25
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G02B5/20
Abstract: 一种宽带深截止蓝光荧光滤光片，由下到上依次包括700‑890nmHR短波通、第一330‑420nmHR长波通、第二330‑420nmHR长波通、460nm带通滤光片和550‑700nmHR短波通胶合而成。本发明结合K9玻璃吸收特性以及通过一定胶合顺序实现反射带相互叠加，既能在460nm‑480nm有超过80％的透过率，还能在200nm‑460nm以及480nm‑890nm范围内对激发光深截止，满足了荧光检测系统对在470nm监测波段高透过率及其它荧光激发光的深截止的薄膜稳定性要求。广泛应用于免疫检测系统，是生物医学和生命科学仪器的关键元件。
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