公开(公告)号：CN100461384C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200510081398.7

申请日：2005-06-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 五十岚优助 ,  中村岳史 ,  井上恭典 ,  臼井良辅 ,  水原秀树

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/50 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H05K3/46 ,  H01L41/083

CPC classification number: H01L23/5384 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/48 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H05K3/4647 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2203/0369 ,  H05K2203/0733 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种电路装置及其制造方法，具有提高散热性的结构的多层配线。本发明的电路装置(10)具有介由第一绝缘层(17A)层积的第一配线层(18A)及第二配线层(18B)。第一配线层(18A)和第二配线层(18B)通过贯通第一绝缘层(17A)形成的连接部(25)在所希望的位置连接。连接部(25)由从第一配线层(18A)向厚度方向突出的第一连接部(25A)和从第二配线层(18B)向厚度方向突出的第二连接部(25B)构成。而且，第一连接部(25A)和第二连接部(25B)在第一绝缘层(17A)的厚度方向，在其中间部接触。

公开(公告)号：CN100428448C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200510082134.3

申请日：2005-06-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  井上恭典

IPC: H01L23/12 ,  H05K1/03 ,  H05K13/00 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/82 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/2413 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种电路装置及其制造方法，通过在表面粗糙度Ra为0.3～10μm的金属性基体部件上设置埋入绝缘树脂膜中的多个半导体元件及无源元件等电路元件，在基体部件和绝缘树脂膜之间作用锚固效应，提高基体部件和绝缘树脂膜的附着性。

公开(公告)号：CN100358101C

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200510055802.3

申请日：2005-03-16

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  井上恭典

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/24265 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/185 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种电路装置及其制造方法，该电路装置是在绝缘膜中埋入电路而构成的，该制造方法包括：通过在第一膜上利用真空粘附法压装包括元件间绝缘膜的具有凹部或贯通部的膜(160)，粘贴构成凹部(190)的第二膜的工序；利用刮浆板等刮取装置(200)将膏状的该元件构成部件的材料埋入该凹部(190)内部的工序；对该材料实施干燥等处理，形成构成电阻器(180)的高电阻部件或构成电容器等的高介电常数部件(170)等填充部件的工序。

公开(公告)号：CN1868062A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200480030531.X

申请日：2004-09-08

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  井上恭典

IPC: H01L25/00 ,  H01L21/56 ,  G02F1/1345

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82001 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种半导体模块及其制造方法以及其应用，如图4(a)～图4(e)所示，在基材(140)上固定多个半导体元件(142)及无源元件(144)，将由导电性膜(120)及绝缘树脂膜(122)构成的带导电性膜的绝缘树脂膜(123)按压到基材(140)上，绝缘树脂膜(122)内压入半导体元件(142)及无源元件(144)，在真空下或减压下进行加热压固。然后，将基材(140)从绝缘树脂膜(122)剥离，形成连通件(121)，并构图导电性膜(120)。由此，得到使半导体元件(142)及无源元件(144)分别在一个面由绝缘树脂膜(122)密封、在另一面露出的结构体(125)。

公开(公告)号：CN1716581A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510077882.2

申请日：2005-06-13

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  井上恭典 ,  五十岚优助 ,  中村岳史

IPC: H01L23/14 ,  H05K1/16

CPC classification number: H05K3/4688 ,  H01L23/49894 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0366 ,  H05K3/4652 ,  H05K3/4655 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 一种元件搭载基板，用于搭载元件，其包括基材和设于基材一侧的面的绝缘树脂膜。基材和绝缘树脂膜含有含浸环氧系树脂的玻璃纤维。绝缘树脂膜中含有的玻璃纤维比基材中含有的玻璃纤维的环氧系树脂的含浸比率高。

公开(公告)号：CN1705108A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200510074719.0

申请日：2005-05-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 五十岚优助 ,  中村岳史 ,  井上恭典 ,  水原秀树 ,  臼井良辅

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/50 ,  H01L23/28 ,  H01L23/34 ,  H01L23/40 ,  H05K1/05 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L41/083

CPC classification number: H05K3/421 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5383 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/056 ,  H05K3/0035 ,  H05K3/284 ,  H05K3/423 ,  H05K3/4647 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2201/096 ,  H05K2203/0369 ,  H05K2203/0554 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种电路装置及其制造方法，用于贯通绝缘层，将层积的多个配线层相互连接。本发明的混合集成电路装置(10)及其制造方法中，介由第一绝缘层(17A)层积第一导电膜(28A)，通过构图第一导电膜(28A)，形成第一配线层(18A)。其次，介由第二绝缘层(17B)层积第二导电膜(28B)。而且，通过部分地除去所希望位置的第二绝缘层(17B)和第二导电膜(28A)，形成将配线层相互间连接的连接部(25)。

公开(公告)号：CN1705107A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200510074718.6

申请日：2005-05-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 井上恭典 ,  臼井良辅 ,  小原泰浩 ,  高草木宣久 ,  中村岳史

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/50 ,  H01L23/40 ,  H05K1/05

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5383 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/056 ,  H05K3/0035 ,  H05K3/284 ,  H05K3/421 ,  H05K3/423 ,  H05K3/4647 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/09745 ,  H05K2201/09772 ,  H05K2201/09781 ,  H05K2203/0369 ,  H05K2203/0554 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015

Abstract: 一种电路装置，提高了散热性。本发明混合集成电路装置(10)的制造方法中，在第一配线层(18A)上设有仿真图案(D1)。另外，在第二配线层(18B)上设有第二仿真图案(D2)。而且，第一仿真图案D1和第二仿真图案D2通过贯通绝缘层17的连接部25连接。因此，可主动地介由仿真图案散热。另外，即使在构成多层配线时，也可以确保散热性。

公开(公告)号：CN1677634A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510059261.1

申请日：2005-03-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  井上恭典 ,  水原秀树

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76814 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，敷金属夹层孔通过如下工序形成：照射激光在绝缘树脂膜上形成开口的第一工序；通过干式蚀刻在绝缘树脂膜上形成开口的第二工序；在等离子氛围气下进行反向溅射的第三工序。

公开(公告)号：CN1266280A

公开(公告)日：2000-09-13

申请号：CN00103734.X

申请日：2000-03-03

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 笹田一弘 ,  井上恭典 ,  谷本绅一 ,  西田笃弘 ,  井原良和

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/665

Abstract: 一种能抑制高温热处理所引起的漏电流增加的半导体器件制造方法,包括:把杂质选择性地离子注入半导体衬底的主表面来形成杂质区;进行高温热处理来激活杂质区;在进行高温热处理后进行低温热处理来恢复由高温热处理所产生的晶体缺陷。依据此制造方法,通过高温热处理来恢复由离子注入所产生的晶体缺陷,并通过低温热处理来恢复由高温热处理所产生的晶体缺陷。因而,可有效地防止高温热处理所产生的晶体缺陷所引起的漏电流增加。