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公开(公告)号：CN111254414A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010071226.6
申请日：2020-01-21
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法，将石墨烯湿法转移至SiO2/Si上，采用金属催化VLS机制的CVD法(化学气相沉积法)，利用2nm厚Au作为催化剂，在石墨烯上直接生长Si纳米线。生长温度为500℃，源气体SiH4流量为10sccm，生长压力1.33×104Pa，生长时间10分钟。生长结束后，关闭SiH4气体阀门，在氩气保护下，CVD炉自然冷却后得到石墨烯基硅纳米线异质结。然后，将制备好的石墨烯基硅纳米线异质结，旋涂PMMA/PDMS双支撑膜，利用NaOH溶液刻蚀掉SiO2，实现石墨烯基硅纳米线异质结的整体转移，得到柔性、可移植的石墨烯基硅纳米线异质结。
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公开(公告)号：CN105137620B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201510603240.5
申请日：2015-09-21
Applicant: 西安工程大学
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明公开的一种波状PIN电光调制器结构，包括有N‑Sub型衬底，N‑Sub型衬底的上部设置有SiO2埋层，SiO2埋层上部的两侧各设置分别设置有波状P+阱区、波状N+阱区，SiO2埋层上部的波状P+阱区、波状N+阱区之间设置有本征N型调制区，波状P+阱区的上部配设有第一电极，波状N+阱区的上部配设有第二电极，第一电极、本征N型调制区及第二电极的上部覆盖有SiO2覆盖层。本发明的波状PIN电光调制器结构，不仅有效降低PIN电光调制器的发热，抑制热光效应对PIN电光调制器的影响，还能高载流子注入，增强等离子色散效应。
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公开(公告)号：CN106950646A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710119536.9
申请日：2017-03-02
Applicant: 西安工程大学
CPC classification number: G02B6/12007 , G02B6/122
Abstract: 本发明公开的一种内外双微环谐振器结构，包括有N‑Sub型衬底，N‑Sub型衬底的顶部设置有SiO2埋层，SiO2埋层顶部的两侧分别设置有上侧直波导和下侧直波导，SiO2埋层顶部的中间分别设置有外环形波导和内环形波导。本发明一种内外双微环谐振器结构具有谐振峰平坦和自由光谱范围大的优点，在不增加芯片面积和工艺成本的情况下，改善了微环谐振器的谐振特性，便于微环谐振器结构向高速、低功耗的方向发展。
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公开(公告)号：CN105093569A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510562937.2
申请日：2015-09-07
Applicant: 西安工程大学
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明公开了一种双异质结PIN电光调制器结构，包括有N-Sub型衬底，N-Sub型衬底的上部设置有SiO2埋层，SiO2埋层上部的两侧分别设置有P+阱区、N+阱区，P+阱区、N+阱区之间设置有本征N型锗硅调制区，P+阱区的上部设置有第一电极，N+阱区的上部设置有第二电极，第一电极、本征N型锗硅调制区及第二电极的上部覆盖有SiO2覆盖层。本发明的双异质结PIN电光调制器结构是一种高载流子注入，低调制功耗的PIN电光调制器，可代替常规硅基PIN电光调制器结构，在电光调制时能够获得更小的调制功耗，提升了光电转换效率，减小了光电集成中电学元件的比重，便于光电集成向更小尺寸的发展。
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公开(公告)号：CN206996775U
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201720445977.3
申请日：2017-04-26
Applicant: 西安工程大学
IPC: B02C19/00
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体材料粉碎装置包括底座，所述底座的顶部从左到右依次固定连接有支撑杆和固定座，所述固定座的顶部固定连接有挡块，所述挡块之间开设有漏口，所述固定座的顶部开设有第一圆形滑槽和卡槽，所述第一圆形滑槽内滚动连接有滚珠。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该半导材料粉碎装置，通过设置磨盘、磨板、凸起和凹槽，达到了对半导体材料的研磨破碎，研磨破碎使破碎的更彻底，破碎成完全的粉末状，通过防护罩，达到了防止磨盘转动使破碎后的粉末飞出收集范围，通过设置凸起和凹槽为三角形，达到了对材料的彻底破碎，同时研磨破碎效率高，节省了人力物力。
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