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公开(公告)号：CN118231255A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410215873.8
申请日：2024-02-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/82
Abstract: 本申请的实施例公开了半导体结构及其形成方法。形成半导体结构的方法包括在半导体层上形成鳍，在鳍的侧壁上沉积隔离部件，使鳍的部分凹陷以形成暴露半导体层的顶面的第一沟槽，在第一沟槽中形成牺牲部件，在牺牲部件上形成外延部件，暴露牺牲部件的底面，去除所述牺牲部件以形成暴露所述外延部件的底面的第二沟槽，并在所述第二沟槽中形成导电部件。导电部件电耦合到外延部件。
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公开(公告)号：CN118173560A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311694599.9
申请日：2023-12-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。根据本公开实施例的半导体结构包括：半导体主体的沟道区域，升高至隔离部件之上；栅极结构，包裹在沟道区域上方；源极/漏极部件，与沟道区域的侧壁接触；背侧硅化物层，设置在源极/漏极部件的底面上；以及背侧接触部件，延伸穿过隔离部件以接触背侧硅化物层的底面。背侧接触部件的侧壁通过第一背侧接触蚀刻停止层(CESL)和第二背侧CESL与隔离部件间隔开。
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公开(公告)号：CN116978864A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310712397.6
申请日：2023-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括提供伪结构，该伪结构包括设置在衬底的前侧上方的多个沟道层、设置在多个沟道层的相邻沟道之间以及沟道层的横向端部处的内部间隔件、以及介于多个沟道层之间的栅极结构。伪结构设置在与有缘区域相邻的有源边缘处。执行蚀刻工艺蚀刻栅极结构和多个沟道层以沿着有源边缘形成切割区域。在切割区域中沉积导电材料以形成导电部件。该方法还包括从衬底的背侧减薄衬底以暴露导电部件，以及在衬底的背侧上形成背侧金属导线层。背侧金属导线层与导电部件电连接。本发明的实施例还提供了半导体器件。
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公开(公告)号：CN115377000A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210665495.4
申请日：2022-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 提供了一种半导体结构。半导体结构包括环绕第一纳米结构的第一栅极堆叠件、环绕第二纳米结构的第二栅极堆叠件、介于第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件之间的栅极隔离结构、邻接第一纳米结构的第一源极/漏极部件、邻接第二纳米结构的第二源极/漏极部件、以及介于第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件之间的源极/漏极间隔件结构。栅极隔离结构覆盖源极/漏极间隔件结构的侧壁。本发明的实施例还提供了一种形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN114975268A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210302849.9
申请日：2022-03-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 提供了一种具有双侧源极/漏极(S/D)接触结构的半导体装置及其制造方法。此方法包括在基板上形成鳍状结构，在鳍状结构上形成超晶格结构，在超晶格结构内形成第一及第二源极/漏极区，在第一及第二源极/漏极区之间形成栅极结构，在第一及第二源极/漏极区的第一表面上形成第一及第二接触结构，在第一源极/漏极区的第二表面上形成具有功函数金属(work function metal,WFM)硅化层和双金属衬层的第三接触结构。第二表面相反于第一源极/漏极区的第一表面，相较于第一源极/漏极区的材料的价带能量，功函数金属硅化层的功函数值更接近该材料的导带能量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114664737A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210137474.5
申请日：2022-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本申请公开了具有栅极切割特征的半导体器件及其形成方法。根据本公开的方法包括提供具有衬底、第一多个沟道构件、第二多个沟道构件、接合第一多个沟道构件的第一栅极结构、接合第二多个沟道构件的第二栅极结构的工件。沟道构件、设置在第一和第二栅极结构之间的混合鳍、以及设置在混合鳍下方的隔离特征。该方法还包括在工件的前侧形成金属帽盖层。金属帽盖层电连接第一栅极结构与第二栅极结构。该方法还包括蚀刻隔离特征、蚀刻混合鳍、蚀刻金属帽盖层和沉积电介质材料以形成设置在第一和第二栅极结构之间的栅极隔离特征。
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公开(公告)号：CN114628328A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210083536.9
申请日：2022-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。根据一个实施例，半导体结构包括：第一纳米结构；第一栅极结构，包裹第一纳米结构中的每个并且设置在隔离结构上方；以及背侧栅极接触件，设置在第一纳米结构下方并且与隔离结构相邻。第一栅极结构的底面与背侧栅极接触件直接接触。
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公开(公告)号：CN114078768A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110931296.9
申请日：2021-08-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 半导体结构包括具有第一源极/漏极(S/D)部件和第一栅极的第一晶体管；具有第二S/D部件和第二栅极的第二晶体管；设置在第一晶体管和第二晶体管上方的多层互连件；位于第一晶体管和第二晶体管下方的信号互连件；以及位于信号互连件下方并且与信号互连件电隔离的电源轨，其中，信号互连件将第一S/D部件和第一栅极的一个电连接至第二S/D部件和第二栅极的一个。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN113658907A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110357016.8
申请日：2021-04-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 半导体结构的形成方法，包括：提供鳍状物、隔离结构、以及第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构位于鳍状物上；形成蚀刻遮罩以覆盖第一源极/漏极结构之下的鳍状物的第一部分，并露出鳍状物的第二部分；移除鳍状物的该第二部分，以形成第一沟槽；将第一介电结构填入第一沟槽；移除蚀刻遮罩；施加蚀刻制程，以移除鳍状物的第一部分并使第一源极/漏极结构部分地凹陷。蚀刻制程包括等向蚀刻，其调整以对第一源极/漏极结构的材料具有选择性而对隔离结构与第一介电结构的材料不具有选择性，以形成第二沟槽于第一源极/漏极结构之下，且第二沟槽的间隙位于第一源极/漏极结构的下表面与隔离结构的上表面之间。方法还包括形成通孔于第二沟槽中。
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公开(公告)号：CN113540081A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110631287.8
申请日：2021-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 根据本发明实施例，一种半导体结构包含于基板上的底部介电部件、直接位于底部介电部件上方的多个通道构件、环绕每个通道构件的栅极结构、沿着第一方向夹住底部介电部件两个第一外延部件、以及沿着第一方向夹住多个通道构件的两个第二外延部件。
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