公开(公告)号：CN115527943A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210262208.5

申请日：2022-03-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡铭谦 ,  彭士玮 ,  林威呈 ,  曾健庭

IPC: H01L21/8238 ,  H01L23/538

Abstract: 一种集成电路及其制造方法，集成电路包括第一电力轨、第二电力轨与电力分接单元。第一电力轨位于集成电路的第一面。第二电力轨位于集成电路的第二面。第一面与第二面位于至少一个互补场效应晶体管的相对面上。电力分接单元耦合至第一电力轨与第二电力轨，并且配置以从第一电力轨向第二电力轨提供电力。

公开(公告)号：CN114078768A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110931296.9

申请日：2021-08-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄禹轩 ,  蔡庆威 ,  邱奕勋 ,  廖翊博 ,  程冠伦 ,  林威呈 ,  赖韦安 ,  蔡铭谦 ,  曾健庭 ,  陈豪育 ,  谌俊元 ,  苏焕杰

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 半导体结构包括具有第一源极/漏极(S/D)部件和第一栅极的第一晶体管；具有第二S/D部件和第二栅极的第二晶体管；设置在第一晶体管和第二晶体管上方的多层互连件；位于第一晶体管和第二晶体管下方的信号互连件；以及位于信号互连件下方并且与信号互连件电隔离的电源轨，其中，信号互连件将第一S/D部件和第一栅极的一个电连接至第二S/D部件和第二栅极的一个。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN109215720B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201711279754.5

申请日：2017-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张铭宏 ,  阿图尔·卡多奇 ,  黄家恩 ,  吴经纬 ,  小唐纳德·G·米坎 ,  杨皓义 ,  林高正 ,  蔡铭谦 ,  萨曼·M·I·阿扎姆 ,  张琮永 ,  尤布·沙拉特·钱德拉

IPC: G11C29/26 ,  G11C29/36 ,  G11C29/56

Abstract: 本发明的实施例提供了存储器件及其操作方法。示例性测试环境可以在测试操作模式下操作，以测试由于一个或多个制造缺陷，存储器器件或通信连接至存储器器件的其它电子器件是否如预期或未如预期地操作。测试操作模式包括移位操作模式、捕获操作模式和/或扫描操作模式。在移位操作模式和扫描操作模式下，示例性测试环境将串行输入数据序列传送至存储器器件。在捕获操作模式下，示例性测试环境将并行输入数据序列传送至存储器器件。之后，存储器器件在移位操作模式或捕获操作模式下输送串行输入数据序列或并行输入数据序列来提供输出数据序列或在扫描操作模式下输送串行输入数据序列来提供扫描数据串行输出序列。

公开(公告)号：CN109215720A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201711279754.5

申请日：2017-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张铭宏 ,  阿图尔·卡多奇 ,  黄家恩 ,  吴经纬 ,  小唐纳德·G·米坎 ,  杨皓义 ,  林高正 ,  蔡铭谦 ,  萨曼·M·I·阿扎姆 ,  张琮永 ,  尤布·沙拉特·钱德拉

IPC: G11C29/26 ,  G11C29/36 ,  G11C29/56

Abstract: 本发明的实施例提供了存储器件及其操作方法。示例性测试环境可以在测试操作模式下操作，以测试由于一个或多个制造缺陷，存储器器件或通信连接至存储器器件的其它电子器件是否如预期或未如预期地操作。测试操作模式包括移位操作模式、捕获操作模式和/或扫描操作模式。在移位操作模式和扫描操作模式下，示例性测试环境将串行输入数据序列传送至存储器器件。在捕获操作模式下，示例性测试环境将并行输入数据序列传送至存储器器件。之后，存储器器件在移位操作模式或捕获操作模式下输送串行输入数据序列或并行输入数据序列来提供输出数据序列或在扫描操作模式下输送串行输入数据序列来提供扫描数据串行输出序列。