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公开(公告)号：CN106373883A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510826948.7
申请日：2015-11-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种高速电子迁移率场效晶体管及其形成方法。高速电子迁移率场效晶体管(HEMT)的实施例，包括栅极电极于半导体基材上、及多层半导体帽冠于半导体基材上且邻于栅极电极。多层半导体帽冠包含第一半导体层及材质异于第一半导体层的第二半导体层。第一半导体层通过第一间隔而与栅极电极侧向相间隔，而第二半导体层通过较第一间隔更大的第二间隔而与该栅极电极侧向相间隔。如此所形成的高速电子迁移率场效晶体管(HEMT)的电阻会下降，而能优越地改善晶体管的导电度(Gm)及通态电流(Ion)特性，却不增加漏电电流。
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公开(公告)号：CN112242357B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202010380640.5
申请日：2020-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种方法包括：在半导体衬底上方形成外延半导体层，以及蚀刻外延半导体层和半导体衬底以形成半导体条，该半导体条包括用作心轴的上部和位于心轴下方的下部。上部是外延半导体层的剩余部分，并且下部是半导体衬底的剩余部分。该方法还包括从心轴的第一侧壁开始生长第一半导体鳍，从心轴的第二侧壁开始生长第二半导体鳍。第一侧壁和第二侧壁是心轴的相对侧壁。基于第一半导体鳍形成第一晶体管。基于第二半导体鳍形成第二晶体管。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN110957223B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201910893163.X
申请日：2019-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/10
Abstract: 一种半导体装置的形成方法包含在基底之上设置多个第一半导体层和多个第二半导体层，其中第一半导体层和第二半导体层具有不同的材料组成且交错设置，且第一半导体层和第二半导体层在基底的第一区域和第二区域之上延伸；将第一半导体层和第二半导体层图案化，以在第一区域中形成第一鳍及在第二区域中形成第二鳍；从第一鳍和第二鳍移除第一半导体层，使得图案化的第二半导体层的第一部分在第一鳍中形成多个第一悬浮纳米结构，且图案化的第二半导体层的第二部分在第二鳍中形成多个第二悬浮纳米结构；在第二鳍中的第二悬浮纳米结构上形成多个第三半导体层；以及进行退火制程，以驱使第三半导体层中含有的材料进入对应的第二鳍中的第二悬浮纳米结构中。
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公开(公告)号：CN108231680B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201710451117.5
申请日：2017-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包含形成第一鳍片结构及第二鳍片结构在基材上，并形成图案化多晶硅结构在第一鳍片结构及第二鳍片结构的第一部分上。方法还包含沉积绝缘层在第一鳍片结构及第二鳍片结构的第二部分上，以及在图案化多晶硅结构上，接着，可选择性地从第一鳍片结构及第二鳍片结构的第二部分中移除绝缘层，并图案化在第二鳍片结构的第二部分上的第一硬遮罩层。方法也包含成长第一磊晶区域在第一鳍片结构的第二部分上、从第二鳍片结构的第二部分中移除被图案化的第一硬遮罩层、图案化在第一磊晶区域上的第二硬遮罩层，以及成长第二磊晶区域在第二鳍片结构的第二部分上。
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公开(公告)号：CN112242357A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010380640.5
申请日：2020-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种方法包括：在半导体衬底上方形成外延半导体层，以及蚀刻外延半导体层和半导体衬底以形成半导体条，该半导体条包括用作心轴的上部和位于心轴下方的下部。上部是外延半导体层的剩余部分，并且下部是半导体衬底的剩余部分。该方法还包括从心轴的第一侧壁开始生长第一半导体鳍，从心轴的第二侧壁开始生长第二半导体鳍。第一侧壁和第二侧壁是心轴的相对侧壁。基于第一半导体鳍形成第一晶体管。基于第二半导体鳍形成第二晶体管。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111092122A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911011224.1
申请日：2019-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及一种半导体结构的形成方法。该方法包括形成第一介电层于自基板凸起的半导体鳍状物上；形成第二介电层于第一介电层上；接着移除半导体鳍状物的一部分，以形成第一介电层的多个部分所定义的第一凹陷；再移除定义第一凹陷的第一介电层的部分。之后形成外延的源极/漏极结构于第一凹陷中；移除第二介电层以形成第二凹陷，其位于外延的源极/漏极结构与第一介电层的保留部分之间；以及接着形成硅化物层于外延的源极/漏极结构上，使硅化物层包覆外延的源极/漏极结构。
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公开(公告)号：CN110783202A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910695395.4
申请日：2019-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明实施例提供半导体结构的制作方法，包括形成自基板凸起的半导体鳍状物，半导体鳍状物包括第一半导体材料的多个第一半导体层与第二半导体材料的多个第二半导体层交错堆叠，且第一半导体材料与第二半导体材料的组成不同；形成第一栅极堆叠于半导体鳍状物上；形成凹陷于半导体鳍状物中与第一栅极堆叠相邻的源极/漏极区中，且凹陷中露出第一半导体层与第二半导体层的侧壁；对半导体鳍状物进行蚀刻工艺，造成底切于第一栅极堆叠下；外延成长第一半导体材料的半导体延伸结构于半导体鳍状物的侧壁上以填入底切；以及自凹陷成长外延的源极/漏极结构。
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公开(公告)号：CN107039463A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710038726.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体器件，其具有第一区域和第二区域。第一区域具有第一突出结构和第二突出结构。第二区域具有第三突出结构和第四突出结构。第一、第二、第三和第四外延层分别形成于第一、第二第三和第四突出结构上。当使得第三和第四外延层暴露时，第一和第二外延层被第一光刻胶层覆盖。介电层形成于第一光刻胶层的上方和第三和第四外延层的上方。部分介电层被第二光刻胶层覆盖。部分介电层形成于第三和第四外延层的上方。蚀刻未被第一和第二光刻胶层保护的部分介电层。去除第一和第二光刻胶层。本发明实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN104465756B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201310693713.6
申请日：2013-12-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/36 , H01L21/336 , H01L21/20
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/0847 , H01L29/66462 , H01L29/7781 , H01L29/7784 , H01L29/7785
Abstract: 本发明公开的晶体管包括栅极端子、源极端子和漏极端子。源极和漏极端子中的至少一个具有分层结构，分层结构包括端子层和中间层。端子层具有顶面和底面。中间层位于端子层内，位于顶面和底面之间并且与顶面和底面间隔开，中间层定向为垂直于电流，并且小于端子层厚度的十分之一。所述端子层和所述中间层包括共同的半导体化合物以及共同的掺杂剂，并且中间层中的掺杂剂的浓度在端子层中的掺杂剂的平均浓度的十倍以上。本发明还提供了MOSFET源极/漏极区中的δ掺杂层。
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公开(公告)号：CN105609543A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510796896.3
申请日：2015-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 公开了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括：衬底，第一和第二源极/漏极(S/D)区，第一和第二S/D区之间的沟道，接合沟道的栅极，和连接到第一S/D区的接触部件。接触部件包括第一和第二接触层。第一接触层具有共形截面轮廓并在其至少两个侧面上与第一S/D区接触。在实施例中，第一接触层与第一S/D区的三个或四个侧面直接接触，以增大接触面积。第一接触层包括半导体-金属合金、III-V族半导体和锗中的一种。本发明实施例涉及用于高度缩放的晶体管的接触件。
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