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公开(公告)号：CN1084055C
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN98100008.8
申请日：1998-01-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及基本电气元件中的一种半导体及其器件方法。它主要是通过减小发光二极管发光侧电极对光的吸收，利用金属气相淀积法制造的高效发光二极管，它包括有衬底、下限制层、活型区、上限制层、扩展层、欧姆接触层，其中磷化铝镓铟(AlGaInP)混晶层12、13、14形成双异质结或多量子阱发光区，各结晶层是用有机金属气相淀积法连续形成的。本发明具有结构简单、制造技术可靠、以及成本低，因此具有实用性。
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公开(公告)号：CN111370543A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010207119.1
申请日：2020-03-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种LED与OLED串联的可调谐白光三端发光器件，所述器件包括：透明衬底；蓝光LED结构，其形成在所述透明衬底上，包括P电极与N电极；OLED结构，其形成在所述LED结构上，包括阳极与阴极；所述蓝光LED结构的P电极作为所述器件的阳极；所述OLED结构的阴极作为所述器件的阴极；所述OLED结构的阳极为透明导电层；所述蓝光LED结构的N电极与OLED结构的透明导电层实现电互联，并作为器件的中间电极；所述蓝光LED结构的P电极、中间电极和OLED结构的阴极构成三端可调控电极。该器件将蓝光LED高光效与黄光OLED宽光谱的优势相结合，可获得高效率、高品质、可调谐、长寿命、低成本的白光光源。
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公开(公告)号：CN103633218B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201310651954.4
申请日：2013-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓系发光器件，包括衬底；成核层；n型III族氮化物层；多量子阱有源区；最后一个量子垒层；类电子阻挡层；p型III族氮化物层；n型金属电极和p型金属电极。其中最后一个量子垒层和类电子阻挡层之间的界面存在负的净极化电荷。本发明提出的上述方案相比现有的GaN LQB/AlGaN EBL结构(界面存在正的净极化电荷)，或极化匹配GaN LQB/AIInGaN EBL结构(界面净极化电荷为零)，能够增强电子阻挡层阻挡电子泄漏的效果，从而提高LED发光效率，并减少大注入电流下的发光效率衰减。
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公开(公告)号：CN103730558B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201310750549.8
申请日：2013-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法。该发光二极包括：衬底；依次沉积于衬底上的缓冲层、n型GaN层、多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层，其中，该发光二极管一侧的p型GaN层、p型AlGaN层、多量子阱和部分的n型GaN层被刻蚀形成台阶；p型复合透明导电层，形成于发光二极管未经刻蚀一侧的p型GaN层上，自下而上依次包括：ITO透明接触层、ZnO基电流扩展层、ITO导光层；p型金属电极层和n型金属电极层，分别形成于发光二极管未经刻蚀一侧的ITO导光层上和发光二极管被刻蚀一侧的台阶上。本发明提高了透明导电层的抗腐蚀能力，进而提高整个发光二极管器件的合格率。
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公开(公告)号：CN105552187A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510940416.6
申请日：2015-12-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/12 , B82Y40/00 , H01L33/0075
Abstract: 一种采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜及方法，其中采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜，包括：一衬底材料层；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底材料层上；一GaN薄膜层，其制作在缓冲层上；一纳米尺寸同质外延层，其制作在GaN薄膜层上表面内；一GaN层，其制作在纳米尺寸同质外延层上。本发明可以提高氮化镓外延薄膜的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103579461B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310553763.4
申请日：2013-11-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，制备GaN外延片；步骤B，通过深刻蚀工艺在所述GaN外延片上形成多个独立的LED结构；以及步骤F，对准不同列的LED结构，在蓝宝石衬底背面涂敷不同荧光粉，以形成红、绿、蓝LED芯片，从而形成晶圆级全彩LED显示阵列。本发明制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法由逐列涂覆的荧光粉直接在LED蓝宝石wafer上实现全彩显示，从而实现了晶圆级LED显示阵列的像素尺寸小于500um。
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公开(公告)号：CN104377542A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410730192.1
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器引脚式封装结构及方法。所述封装结构包括：正极管舌、负极管舌、环氧树脂透镜；半导体激光器芯片的负极通过焊料粘结在负极管舌上，芯片与负极管舌平行；所述半导体激光器芯片的正极通过金线与正极管舌相连；所述正极管舌和负极管舌由所述环氧树脂透镜所封装，所述正极管舌和负极管舌作为所述半导体激光器的正极引脚和负极引脚自所述环氧树脂透镜引出。本发明具有封装结构简单、封装工艺简化、成本低、可靠性好等优点。
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公开(公告)号：CN103956358A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410193836.8
申请日：2014-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L25/075 , H01L33/64
Abstract: 一种LED模组的散热结构，包括：一散热基板；一粘结层，其形成在散热基板的上面；多个LED芯片，其均匀粘接在粘结层的上面；一侧面散热材料，其填充在各LED芯片之间。本发明具有结构简单、工作温度降低、热阻小及散热效果好的优点。本发明还提供一种LED模组的散热结构的散热方法。
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公开(公告)号：CN102623588B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210093564.5
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次外延生长u-GaN层、n-GaN层、多量子阱层和p-GaN耦合层；步骤3：在p-GaN耦合层上生长纳米金属层；步骤4：在纳米金属层上生长一P-GaN盖层；步骤5：在P-GaN盖层上生长一p-GaN电流扩展层，完成外延结构的制备。本发明是利用金属的核壳结构的等立体增强绿光发光二极管的内量子效率。
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公开(公告)号：CN102208340B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201110134149.5
申请日：2011-05-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种自支撑氮化镓衬底的制作方法，其中包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长一层薄膜层；步骤3：在薄膜层上生长一层纳米薄膜，得到一基片；步骤4：对基片进行退火，退火后使基片上的纳米薄膜形成纳米颗粒，形成源衬底；步骤5：在源衬底的纳米薄膜上生长出自支撑衬底；步骤6：将源衬底与自支撑衬底通过机械方法实现分离，完成制作。
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