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公开(公告)号：CN102637789A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210126306.2
申请日：2012-04-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种晶圆级LED管芯整体集成封装装置，包括：一模具，包括下模具和上模具，该下模具的表面开有模穴，该上模具内为一真空腔室，其下面开有多个吸气孔；一真空泵，其通过管路与上模具内的真空腔室连接。本发明具有批量化、产业化的优点，且成本低廉。
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公开(公告)号：CN101974772A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010251510.8
申请日：2010-08-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法，包括：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓LED层；在氮化镓LED层上采用电镀方法制作一次电镀层；对一次电镀层进行减薄抛光处理，使其表面光亮平整；用激光刻划方法在一次电镀层的表面上制作激光刻划图形，作为光刻对准标记；运用光刻方法，通过前烘，匀胶，曝光，显影，坚膜，在一次电镀层上形成光刻胶图形，该光刻胶图形覆盖一次电镀层周边部分面积；继续电镀，在一次电镀层和光刻胶图形上制作二次电镀层；剥离光刻胶图形的光刻胶，裸露出光刻胶图形下的一次电镀层，该一次电镀层和二次电镀层构成氮化镓基垂直结构发光二极管的转移衬底；清洗吹干，完成垂直结构发光二极管转移衬底的制作。
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公开(公告)号：CN101937956A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010251507.6
申请日：2010-08-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/36
Abstract: 一种氮化镓基垂直结构发光二极管芯片桥联电极制备方法，包括：取一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片，将该具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上的外延层的四周刻蚀，形成第一台面；在第一台面上的外延层的四周制作侧壁绝缘薄膜，该侧壁绝缘薄膜并覆盖外延层上表面的四周；在外延层及侧壁绝缘薄膜的上面制作P电极；然后用键合或电镀的方式，在P电极的上表面制作转移衬底；采用激光剥离去除外延片中的蓝宝石衬底，形成第二台面；在第二台面上制作绝缘薄膜，该绝缘薄膜覆盖外延层的四周及其侧壁绝缘薄膜的上表面；在第二台面的外延层的部分表面及部分绝缘薄膜的上表面，制作N电极，该N电极的焊盘在外延层以外的区域，完成发光二极管芯片桥联电极的制备。
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公开(公告)号：CN102064260B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201010534622.4
申请日：2010-11-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种栅极调制正装结构GaN基发光二极管结构，包括：一蓝宝石衬底；一n型GaN层，该n型GaN层制作在蓝宝石衬底上，该n型GaN层上面的一侧形成有一台面，该台面的深度小于n型GaN层的厚度；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在n型GaN层上面没有台面的另一侧上；一p型GaN层，该p型GaN层制作在多量子阱有源层上；一P电极，该p电极制作在p型GaN层上面远离台面的一侧；一N电极，该N电极制作在n型GaN层上面的台面上；一栅极绝缘层，该栅极绝缘层制作在p型GaN层上面没有P电极的另一侧；一栅电极，该电极制作在栅极绝缘层上。
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公开(公告)号：CN101974772B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010251510.8
申请日：2010-08-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法，包括：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓LED层；在氮化镓LED层上采用电镀方法制作一次电镀层；对一次电镀层进行减薄抛光处理，使其表面光亮平整；用激光刻划方法在一次电镀层的表面上制作激光刻划图形，作为光刻对准标记；运用光刻方法，通过前烘，匀胶，曝光，显影，坚膜，在一次电镀层上形成光刻胶图形，该光刻胶图形覆盖一次电镀层周边部分面积；继续电镀，在一次电镀层和光刻胶图形上制作二次电镀层；剥离光刻胶图形的光刻胶，裸露出光刻胶图形下的一次电镀层，该一次电镀层和二次电镀层构成氮化镓基垂直结构发光二极管的转移衬底；清洗吹干，完成垂直结构发光二极管转移衬底的制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102214743A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110152904.2
申请日：2011-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一氮化镓LED外延片，该外延片由衬底，N型氮化镓，多量子阱，铝镓氮EBL和P型氮化镓组成；步骤2：将该氮化镓LED外延片隔离成多个重复单元，每个单元就是一个独立的LED芯片；步骤3：对每个单元上表面的选定区域进行表面处理，使P型氮化镓的表层的中心区域形成电流阻挡层；步骤4：在每个单元上表面制作P电极，该P电极覆盖整个电流阻挡层及P型氮化镓，完成氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作。
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公开(公告)号：CN101937957A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010251508.0
申请日：2010-08-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/36
Abstract: 一种氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片，将该具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上的外延层的四周刻蚀，形成台面，该台面是LED的发光区域；步骤2：在台面上及外延层的四周，并覆盖部分外延层四周的上表面制作绝缘薄膜；步骤3：在绝缘薄膜上及覆盖外延层的上表面制作P电极；步骤4：然后用键合或电镀的方式，在P电极的上表面制作转移衬底；步骤5：采用激光剥离去除外延片中的蓝宝石衬底；步骤6：在去除衬底后的外延层的表面制作N电极，完成氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作。
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公开(公告)号：CN102208340B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201110134149.5
申请日：2011-05-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种自支撑氮化镓衬底的制作方法，其中包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长一层薄膜层；步骤3：在薄膜层上生长一层纳米薄膜，得到一基片；步骤4：对基片进行退火，退火后使基片上的纳米薄膜形成纳米颗粒，形成源衬底；步骤5：在源衬底的纳米薄膜上生长出自支撑衬底；步骤6：将源衬底与自支撑衬底通过机械方法实现分离，完成制作。
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公开(公告)号：CN102709415A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210208501.X
申请日：2012-06-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种利用热应力化学腐蚀分离蓝宝石和氮化镓基外延层的方法，包括：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓基外延层；在氮化镓基外延层上沉积金属层；将外延结构和金属层转移到衬底上，外延结构、金属层和衬底组成外延片；用机械研磨方法，将蓝宝石衬底抛光研磨减薄；将蓝宝石衬底划出沟槽，该沟槽的深度与蓝宝石衬底的厚度相同；将外延片沉浸于溶液99中，加热腐蚀，将蓝宝石衬底剥离，完成制备。该方法是通过将样品放入高温溶液中腐蚀。不同材料之间的热膨胀系数的不同会导致界面存在热应力，界面的氮化镓为氮极性面比较容易被腐蚀，垂直界面方向的热应力分力剥离应力会加速对界面材料的腐蚀，从而可以较便捷地分离蓝宝石和氮化镓外延层。
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公开(公告)号：CN102694093A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210208853.5
申请日：2012-06-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法，包括：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓LED层，氮化镓LED层包括非故意掺杂氮化镓层，N型氮化镓层，量子阱层和p型氮化镓层；在p型氮化镓层上沉积金属层；将外延结构和金属层转移到衬底上，形成基片；用激光剥离方法，将外延结构中的蓝宝石衬底从外延结构中分离；将基片放入溶液中进行腐蚀，在外延结构的氮化镓LED层的非故意掺杂氮化镓层一面形成分立的微纳金字塔结构；将硅胶涂覆在微纳金字塔结构的表面；用等离子体技术，将微纳金字塔结构尖端部分的硅胶去除，保留微纳金字塔结构底部的硅胶；在微纳金字塔结构的表面沉积透明导电层；在透明导电层上通过光刻方法沉积图形金属电极，完成制备。
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