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公开(公告)号：CN106952856B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201710063306.5
申请日：2017-01-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/683 , H01L33/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种氮化物纳米带的制备方法，包括：刻蚀硅衬底，得到图形化硅衬底；在图形化硅衬底的壁面上生长氮化物外延层；对粘连在一起的图形化硅衬底与氮化物外延层结构，进行腐蚀去除图形化硅衬底，得到氮化物纳米带。本发明对Si衬底的晶向没有苛刻的要求，在Si(100)和Si(111)衬底上皆可进行降低生产成本，采用图形化衬底生长氮化物，生长氮化物的尺寸可控。
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公开(公告)号：CN105552187A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510940416.6
申请日：2015-12-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/12 , B82Y40/00 , H01L33/0075
Abstract: 一种采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜及方法，其中采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜，包括：一衬底材料层；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底材料层上；一GaN薄膜层，其制作在缓冲层上；一纳米尺寸同质外延层，其制作在GaN薄膜层上表面内；一GaN层，其制作在纳米尺寸同质外延层上。本发明可以提高氮化镓外延薄膜的质量。
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公开(公告)号：CN114689556A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210289638.6
申请日：2022-03-23
Applicant: 北京无线电计量测试研究所 , 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/64
Abstract: 本申请公开了一种热原子束流分布的测量装置及方法，利用激光与原子的共振跃迁谱线，通过测量荧光信号强度，获取原子束流沿出射路径的分布。原子炉口及准直狭缝等物理结构的设计影响了原子束流的分布，目前物理结构的设计仅以原子束流分布的仿真结果为依据，实验测量原子束流的分布不仅对原子炉口设计进行了工程验证，而且对炉口的加工装配情况进行了工程测试。此外，为优化炉口的参数设计进一步改善原子束流分布提供了实验参考。根据实测的原子束流分布验证并优化物理系统的结构设计，抑制原子束流的发散角，改善原子束流的准直特性，有利于减少原子损失、提高原子利用效率、增加原子使用寿命，推动对原子束流分布的监测和控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106229396A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610753068.6
申请日：2016-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种III族氮化物生物探针及其制备方法，属于半导体材料制备及生物医学交叉领域。本发明采用具有潜在应用前景的III-V族材料作为探针基本材料，通过调节多组量子阱的材料组分、厚度及组数，得到可调的量子线结构，满足发光强度和波长一定范围内可调的要求，又由于成熟的制备工艺，使得生物探针在生物体内高度稳定，不易淬灭，寿命长，可代谢。
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公开(公告)号：CN106558637A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201611027044.9
申请日：2016-11-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/22
Abstract: 一种非平面硅衬底LED器件及其制作方法，其中，所述方法包括：处理硅衬底，得到包含有斜侧面的非平面硅衬底；在斜侧面上生长第一外延层；在下平面上依次生长N电极和隔离层；在第一外延层上生长第二外延层；在N电极和隔离层上生长P电极；所述器件包括：基底和倒坑阵列结构，所述基底为非平面硅衬底，包含下平面和斜侧面，所述倒坑阵列结构包括：斜侧面上生长的自内而外的第一外延层和第二外延层；所述下平面上依次叠置的N电极、隔离层和P电极。本发明利用非平面硅衬底制作LED器件，具有工艺成熟、低成本、大尺寸和和实现高质量氮化物外延等诸多优点。
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公开(公告)号：CN114659470B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210290307.4
申请日：2022-03-23
Applicant: 北京无线电计量测试研究所 , 中国科学院半导体研究所
IPC: G01B11/27
Abstract: 本申请公开了一种钙原子束光钟的原子束流准直特性的测量装置及方法。测量方法为：利用电动位移平台系统，对探测激光与钙原子共振跃迁的辐射荧光信号进行扫描测量，得到原子束流发射路径上不同位置的钙原子分布，实现原子束流准直特性的测量，包括束流发散角α和偏转角β。测量装置包括钙原子束流真空物理系统，激光锁频光路，探测光路，斩波器，锁相放大器及相应的电控装置。本申请在已有的原子炉口准直管设计基础上，利用原子与激光相互作用的荧光信号强度测量原子束流的z向分布边界，得到原子束流发射路径上不同位置的原子分布，以突破工程应用中加工及装配的限制，进一步提高原子束流量及原子束流准直特性。
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公开(公告)号：CN114659470A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210290307.4
申请日：2022-03-23
Applicant: 北京无线电计量测试研究所 , 中国科学院半导体研究所
IPC: G01B11/27
Abstract: 本申请公开了一种钙原子束光钟的原子束流准直特性的测量装置及方法。测量方法为：利用电动位移平台系统，对探测激光与钙原子共振跃迁的辐射荧光信号进行扫描测量，得到原子束流发射路径上不同位置的钙原子分布，实现原子束流准直特性的测量，包括束流发散角α和偏转角β。测量装置包括钙原子束流真空物理系统，激光锁频光路，探测光路，斩波器，锁相放大器及相应的电控装置。本申请在已有的原子炉口准直管设计基础上，利用原子与激光相互作用的荧光信号强度测量原子束流的z向分布边界，得到原子束流发射路径上不同位置的原子分布，以突破工程应用中加工及装配的限制，进一步提高原子束流量及原子束流准直特性。
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公开(公告)号：CN106952856A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710063306.5
申请日：2017-01-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/683 , H01L33/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种氮化物纳米带的制备方法，包括：刻蚀硅衬底，得到图形化硅衬底；在图形化硅衬底的壁面上生长氮化物外延层；对粘连在一起的图形化硅衬底与氮化物外延层结构，进行腐蚀去除图形化硅衬底，得到氮化物纳米带。本发明对Si衬底的晶向没有苛刻的要求，在Si(100)和Si(111)衬底上皆可进行降低生产成本，采用图形化衬底生长氮化物，生长氮化物的尺寸可控。
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