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公开(公告)号：CN111048496A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201811194251.2
申请日：2018-10-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种倒装LED红光器件结构及其制备方法，结构包括：倒装蓝光LED芯片和位于所述倒装蓝光LED芯片上的红光OLED结构。其中，倒装蓝光LED芯片结构包括：蓝宝石衬底上依次生长缓冲层、N-GaN层、多量子阱发光层、P-GaN层；红光OLED结构包括：在倒装蓝光LED芯片背面依次生长空穴传输层、掺杂红光掺杂剂的电子传输层、不掺杂掺杂剂的电子传输层和外层保护层。制备方法包括：制备倒装蓝光LED芯片；制备红光OLED结构；倒装LED红光器件倒装焊到电路板上。本发明采用倒装蓝光LED光致红光OLED发光的方法实现器件制备，该器件制备工艺简单，可以有效解决倒装红光LED器件制备工艺复杂、成品率低、成本高等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111370543A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010207119.1
申请日：2020-03-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种LED与OLED串联的可调谐白光三端发光器件，所述器件包括：透明衬底；蓝光LED结构，其形成在所述透明衬底上，包括P电极与N电极；OLED结构，其形成在所述LED结构上，包括阳极与阴极；所述蓝光LED结构的P电极作为所述器件的阳极；所述OLED结构的阴极作为所述器件的阴极；所述OLED结构的阳极为透明导电层；所述蓝光LED结构的N电极与OLED结构的透明导电层实现电互联，并作为器件的中间电极；所述蓝光LED结构的P电极、中间电极和OLED结构的阴极构成三端可调控电极。该器件将蓝光LED高光效与黄光OLED宽光谱的优势相结合，可获得高效率、高品质、可调谐、长寿命、低成本的白光光源。
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公开(公告)号：CN109216588B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201810999692.3
申请日：2018-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种倒装OLED器件及其制备方法，该倒装OLED器件包括蓝宝石衬底；隔离开的氧化铟锡电极层，沉积于衬底上；有机功能层，生长于正氧化铟锡电极层上；金属电极层，位于有机功能层上，一侧与负氧化铟锡电极层相连；保护层，位于OLED的功能层和金属电极层外侧；以及加厚电极，位于隔离开的氧化铟锡电极层的两端。本发明的倒装OLED器件制备工艺简单，解决了传统TFT驱动OLED显示屏的尺寸限制，可制备出大尺寸OLED显示屏；可通过倒装焊方式直接焊接到电路基板上，在大尺寸显示领域有明显的优势；倒装结构OLED芯片可与mini LED显示兼容。
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公开(公告)号：CN110875358A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201811011001.0
申请日：2018-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/32
Abstract: 本发明公开了一种LED与OLED串联的白光发光芯片，涉及照明技术领域。所述发光芯片包括：衬底；蓝光LED结构，形成在所述衬底上，包括N电极；OLED结构，形成在所述蓝光LED结构上，包括第二透明导电层；其中，所述蓝光LED结构的N电极与所述OLED结构的第二透明导电层电性互联。本发明通过将蓝光LED结构的N电极与所述OLED结构的第二透明导电层的电性互联，从而实现蓝光LED结构和OLED结构的串联，使得蓝光LED的高光效与黄光OLED的宽光谱且可调的优势相结合，以此获得高效率、高品质、长寿命、低成本的白光光源。
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公开(公告)号：CN111048496B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201811194251.2
申请日：2018-10-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种倒装LED红光器件结构及其制备方法，结构包括：倒装蓝光LED芯片和位于所述倒装蓝光LED芯片上的红光OLED结构。其中，倒装蓝光LED芯片结构包括：蓝宝石衬底上依次生长缓冲层、N‑GaN层、多量子阱发光层、P‑GaN层；红光OLED结构包括：在倒装蓝光LED芯片背面依次生长空穴传输层、掺杂红光掺杂剂的电子传输层、不掺杂掺杂剂的电子传输层和外层保护层。制备方法包括：制备倒装蓝光LED芯片；制备红光OLED结构；倒装LED红光器件倒装焊到电路板上。本发明采用倒装蓝光LED光致红光OLED发光的方法实现器件制备，该器件制备工艺简单，可以有效解决倒装红光LED器件制备工艺复杂、成品率低、成本高等问题。
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公开(公告)号：CN109216588A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810999692.3
申请日：2018-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种倒装OLED器件及其制备方法，该倒装OLED器件包括蓝宝石衬底；隔离开的氧化铟锡电极层，沉积于衬底上；有机功能层，生长于正氧化铟锡电极层上；金属电极层，位于有机功能层上，一侧与负氧化铟锡电极层相连；保护层，位于OLED的功能层和金属电极层外侧；以及加厚电极，位于隔离开的氧化铟锡电极层的两端。本发明的倒装OLED器件制备工艺简单，解决了传统TFT驱动OLED显示屏的尺寸限制，可制备出大尺寸OLED显示屏；可通过倒装焊方式直接焊接到电路基板上，在大尺寸显示领域有明显的优势；倒装结构OLED芯片可与mini LED显示兼容。
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