公开(公告)号：CN1084055C

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：CN98100008.8

申请日：1998-01-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王国宏 ,  马骁宇 ,  曹青 ,  王树堂 ,  李玉璋 ,  陈良惠

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及基本电气元件中的一种半导体及其器件方法。它主要是通过减小发光二极管发光侧电极对光的吸收，利用金属气相淀积法制造的高效发光二极管，它包括有衬底、下限制层、活型区、上限制层、扩展层、欧姆接触层，其中磷化铝镓铟(AlGaInP)混晶层12、13、14形成双异质结或多量子阱发光区，各结晶层是用有机金属气相淀积法连续形成的。本发明具有结构简单、制造技术可靠、以及成本低，因此具有实用性。

公开(公告)号：CN1222769A

公开(公告)日：1999-07-14

申请号：CN98100008.8

申请日：1998-01-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王国宏 ,  马骁宇 ,  曹青 ,  王树堂 ,  李玉璋 ,  陈良惠

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及基本电气元件中的一种半导体及其器件方法。它主要是通过减小发光二极管发光侧电极对光的吸收,利用金属气相淀积法制造的高效发光二极管,它包括有衬底、下限制层、活型区、上限制层、扩展层、欧姆接触层,其中磷化铝镓铟(AlGaInP)混晶层12、13、14形成双异质结或多量子阱发光区,各结晶层是用有机金属气相淀积法连续形成的。本发明具有结构简单、制造技术可靠、以及成本低,因此具有实用性。