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公开(公告)号：CN101316027A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200710099865.8
申请日：2007-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种用于改善输出光斑的量子阱边发射半导体激光器的制作方法，包括：A.在N型镓砷衬底上依次制备镓砷缓冲层和镓铟磷缓冲层；B.在镓铟磷缓冲层上依次制备铝镓铟磷限制层、光波导层和有源层，并形成分别限制异质结构；C.在外延片上通过两次光刻出双沟脊波导，制备脊形台面作为出光面；D.在脊形台面上淀积电绝缘膜；E.在电绝缘膜上制备P面电极；F.对N型衬底减薄抛光后制备N面电极。利用本发明，在保证脊形光波导激光器原有输出功率、电光转换效率基本不受影响的同时，增大了平行发散角，改善了激光器的输出光斑。
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公开(公告)号：CN1222769A
公开(公告)日：1999-07-14
申请号：CN98100008.8
申请日：1998-01-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及基本电气元件中的一种半导体及其器件方法。它主要是通过减小发光二极管发光侧电极对光的吸收,利用金属气相淀积法制造的高效发光二极管,它包括有衬底、下限制层、活型区、上限制层、扩展层、欧姆接触层,其中磷化铝镓铟(AlGaInP)混晶层12、13、14形成双异质结或多量子阱发光区,各结晶层是用有机金属气相淀积法连续形成的。本发明具有结构简单、制造技术可靠、以及成本低,因此具有实用性。
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公开(公告)号：CN101840964A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200910080069.9
申请日：2009-03-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法，该方法包括：取一衬底，在衬底上生长一器件外延层；对器件外延层进行表面清洗；采用腐蚀剂将器件外延层表面的氧化物去除；光刻，将光刻板上的图形转移到器件外延层上；在器件外延层的表面生长透明电极层；剥离、退火，使透明电极层发生反应，在透明电极层的表面形成高阻层；将发生反应的透明电极层表面的高阻层去除；在透明电极层的表面依次生长连接层和电极加厚层。
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公开(公告)号：CN1845296A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200510063365.X
申请日：2005-04-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用激光对准晶片晶向的方法及装置。本发明利用一束激光通过一小孔光阑入射到晶片的解理面上，调整晶片的方位，使得入射到该晶片解理面上的激光沿与入射方向相反的方向反射，反射激光从小孔光阑返回；按同样的方法调节好另一块晶片后，使其中一晶片缓慢平移到另一块晶片上，面对面靠紧，完成晶片晶向的对准。本发明提供的利用激光对准晶片晶向的方法及装置结构简单，操作容易、快速，且对准精度高，易于在工业上推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101316025A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200710099864.3
申请日：2007-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块的制备方法，包括：在N型镓砷衬底上依次制备镓砷缓冲层和镓铟磷缓冲层；在镓铟磷缓冲层上依次制备铝镓铟磷限制层、光波导层和有源层，并形成分别限制异质结构；在外延片上光刻腐蚀出光台面；在出光台面上淀积电绝缘膜；在电绝缘膜上制备P面电极；对N型衬底减薄抛光后制备N面电极；将具有P、N电极的片子解理成条作为激光器的谐振腔面，并在激光器前后腔面蒸镀增透膜和高反膜；将单管芯激光器烧结到铜热沉上；采用柱透镜压缩半导体激光器的垂直发散角；采用自聚焦透镜将半导体激光器的光束压缩聚焦并耦合到多模光纤中。本发明利于制备大功率的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN100395868C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200510063365.X
申请日：2005-04-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用激光对准晶片晶向的方法及装置。本发明利用一束激光通过一小孔光阑入射到晶片的解理面上，调整晶片的方位，使得入射到该晶片解理面上的激光沿与入射方向相反的方向反射，反射激光从小孔光阑返回；按同样的方法调节好另一块晶片后，使其中一晶片缓慢平移到另一块晶片上，面对面靠紧，完成晶片晶向的对准。本发明提供的利用激光对准晶片晶向的方法及装置结构简单，操作容易、快速，且对准精度高，易于在工业上推广应用。
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公开(公告)号：CN101840964B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200910080069.9
申请日：2009-03-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法，该方法包括：取一衬底，在衬底上生长一器件外延层；对器件外延层进行表面清洗；采用腐蚀剂将器件外延层表面的氧化物去除；光刻，将光刻板上的图形转移到器件外延层上；在器件外延层的表面生长透明电极层；剥离、退火，使透明电极层发生反应，在透明电极层的表面形成高阻层；将发生反应的透明电极层表面的高阻层去除；在透明电极层的表面依次生长连接层和电极加厚层。
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公开(公告)号：CN1084055C
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN98100008.8
申请日：1998-01-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及基本电气元件中的一种半导体及其器件方法。它主要是通过减小发光二极管发光侧电极对光的吸收，利用金属气相淀积法制造的高效发光二极管，它包括有衬底、下限制层、活型区、上限制层、扩展层、欧姆接触层，其中磷化铝镓铟(AlGaInP)混晶层12、13、14形成双异质结或多量子阱发光区，各结晶层是用有机金属气相淀积法连续形成的。本发明具有结构简单、制造技术可靠、以及成本低，因此具有实用性。
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公开(公告)号：CN2836237Y
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200520015631.7
申请日：2005-04-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/00
Abstract: 本实用新型公开了一种新型键合用晶向对准装置。该装置包括两套可调节上下的五维调节架及安置在其上的两个吸盘，小孔光阑，激光器；其中两块晶片分别安置在两个吸盘上，激光器发出的激光经过小孔光阑后入射到一块晶片的解理面上，调节五维调节架使反射回来的激光从小孔光阑返回，此时将该晶片平动移开，按同样的方法调节好另一块晶片后调节五维调节架使之缓慢平动到前一块晶片上靠紧。本实用新型提供的新型键合用晶向对准装置结构简单，操作容易、快速，易于在工业上推广应用。
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