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公开(公告)号：CN102623588B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210093564.5
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次外延生长u-GaN层、n-GaN层、多量子阱层和p-GaN耦合层；步骤3：在p-GaN耦合层上生长纳米金属层；步骤4：在纳米金属层上生长一P-GaN盖层；步骤5：在P-GaN盖层上生长一p-GaN电流扩展层，完成外延结构的制备。本发明是利用金属的核壳结构的等立体增强绿光发光二极管的内量子效率。
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公开(公告)号：CN102208340B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201110134149.5
申请日：2011-05-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种自支撑氮化镓衬底的制作方法，其中包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长一层薄膜层；步骤3：在薄膜层上生长一层纳米薄膜，得到一基片；步骤4：对基片进行退火，退火后使基片上的纳米薄膜形成纳米颗粒，形成源衬底；步骤5：在源衬底的纳米薄膜上生长出自支撑衬底；步骤6：将源衬底与自支撑衬底通过机械方法实现分离，完成制作。
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公开(公告)号：CN102610716A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210093603.1
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层和n-GaN层；步骤3：在n-GaN层上生长中间层；步骤4：在中间层上生长纳米图形层；步骤5：采用等离子体刻蚀的方法，刻蚀中间层，刻蚀深度到达n-GaN层的表面；步骤6：采用等离子体刻蚀的方法，刻蚀n-GaN层，刻蚀深度小于n-GaN层的厚度，完成图形衬底的制备。其可实现低成本，可工业化生产纳米图形衬底，进而提高氮化镓材料的材料质量。
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公开(公告)号：CN102623590A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210101763.6
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种纳米氮化镓发光二极管的制作方法，包括以下步骤：取一衬底；在衬底上依次外延生长GaN缓冲层、n-GaN层、量子阱层和p-GaN层，形成基片；在基片的p-GaN层上生长中间层；在中间层生长纳米图形层；以纳米图形层作掩膜，采用ICP-RIE的方法，刻蚀中间层；以刻蚀后的中间层作掩膜，采用ICP-RIE的方法，刻蚀基片上的p-GaN层、量子阱层和部分n-GaN层，形成纳米图形化的结构；并去除纳米图形层和中间层，形成图形化的基片；在图形化的基片上均匀地旋涂上绝缘层，并去除表面的绝缘层；将图形化的基片一侧的部分刻蚀掉，刻蚀深度到达n-GaN层内，形成台面；在图形化的基片的上面制作p-GaN电极；在台面上制作n-GaN电极，完成发光二极管的制作。
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公开(公告)号：CN102214743A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110152904.2
申请日：2011-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一氮化镓LED外延片，该外延片由衬底，N型氮化镓，多量子阱，铝镓氮EBL和P型氮化镓组成；步骤2：将该氮化镓LED外延片隔离成多个重复单元，每个单元就是一个独立的LED芯片；步骤3：对每个单元上表面的选定区域进行表面处理，使P型氮化镓的表层的中心区域形成电流阻挡层；步骤4：在每个单元上表面制作P电极，该P电极覆盖整个电流阻挡层及P型氮化镓，完成氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102610715B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210093601.2
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n-GaN层；步骤3：在n-GaN层上通过纳米技术制作GaN纳米线模板；步骤4：在GaN纳米线模板上生长GaN过渡层；步骤5：在GaN过渡层上生长InGaN量子盘；步骤6：在InGaN量子盘上生长p-GaN层，形成基片；步骤7：将基片一侧的部分刻蚀掉，刻蚀深度到达n-GaN层内，形成台面；步骤8：在n-GaN层的台面上制作下电极；步骤9：在p-GaN层上制作上电极，完成发光二极管的制作。由于本方法采用的是纳米的模板的基底，能很好地释放应力，从而降低Droop效应，增加LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN102623606A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210093368.8
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/42
Abstract: 一种银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管，其中包括：一衬底；一外延层，制作在衬底上面，该外延层为台阶状，其的一侧形成有一台面，该外延层用以受激，发光，电注入；一纳米薄膜，生长在外延层上，用于做电流扩展层；一二氧化硅层，制作在外延层和纳米薄膜靠近台面的一端，并覆盖部分纳米薄膜的上表面；一P电极，制作在纳米薄膜上；一n电极，制作在外延层上的台面上。该方法具有工艺简单，操作方便，高效率等特点，同时还能够代替现有的ITO(氧化铟锡)作为LED新型的透明电极。本发明不但可以降低成本，同时还能实现大面积，工业化生产。
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公开(公告)号：CN102623588A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210093564.5
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次外延生长u-GaN层、n-GaN层、多量子阱层和p-GaN耦合层；步骤3：在p-GaN耦合层上生长纳米金属层；步骤4：在纳米金属层上生长一P-GaN盖层；步骤5：在P-GaN盖层上生长一p-GaN电流扩展层，完成外延结构的制备。本发明是利用金属的核壳结构的等立体增强绿光发光二极管的内量子效率。
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公开(公告)号：CN102610715A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210093601.2
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n-GaN层；步骤3：在n-GaN层上通过纳米技术制作GaN纳米线模板；步骤4：在GaN纳米线模板上生长GaN过渡层；步骤5：在GaN过渡层上生长InGaN量子盘；步骤6：在InGaN量子盘上生长p-GaN层，形成基片；步骤7：将基片一侧的部分刻蚀掉，刻蚀深度到达n-GaN层内，形成台面；步骤8：在n-GaN层的台面上制作下电极；步骤9：在p-GaN层上制作上电极，完成发光二极管的制作。由于本方法采用的是纳米的模板的基底，能很好地释放应力，从而降低Droop效应，增加LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN102214753A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110147591.1
申请日：2011-06-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED，包括：一p型金属电极，该p型金属电极包括一金属支撑衬底，以及制作在金属支撑衬底上的金属反射镜；一空穴注入层，该空穴注入层制作在P型金属电极的金属反射镜上；一电子阻挡层，该电子阻挡层制作在空穴注入层上；一发光层，该发光层制作在电子阻挡层上；一电子限制层，该电子限制层制作在发光层上；一电子注入层，该电子注入层制作在电子限制层上；一电流扩展层，该电流扩展层制作在电子限制层上；两个n型金属电极，制作在电流扩展层上，覆盖一部分电流扩展层。
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