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公开(公告)号：CN116936324A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210328583.5
申请日：2022-03-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J37/317 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种离子注入重复性和稳定性的监测方法，包括：基于椭偏仪测试离子注入样片的样片参数，构建用于描述所述离子注入样片的光学模型，通过回归分析确定所述光学模型中的模型参数，将所述模型参数与所述样片参数进行拟合，通过拟合结果得到用于监测离子注入重复性和稳定性的光学常数和损伤层厚度。以此快速、方便的测试损伤层厚度和对应的光学参数，从而实时监测离子注入设备的稳定性和均匀性，低成本的对离子注入的稳定性和均匀性进行监测与调控。
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公开(公告)号：CN115547824A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211323761.1
申请日：2022-10-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/3065 , H01J37/20 , B81C1/00
Abstract: 本公开提供一种衬底上高深宽比倾斜沟槽的制备方法，包括：在衬底上沉积硬掩模；在沉积有硬掩模的衬底上涂覆光刻胶，利用所述光刻胶对所述衬底进行光刻；将光刻后的衬底置于斜台上，再将承载有衬底的斜台放置于法拉第笼中进行干法刻蚀，以在所述衬底上制备高深宽比倾斜沟槽。该方法能够制备高深宽比的倾斜沟槽，并且能够实现倾斜沟槽角度精确控制。
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公开(公告)号：CN111474703A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910071616.0
申请日：2019-01-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: G02B26/02
Abstract: 本发明公开了一种可适用于高能激光的连续衰光装置，此装置主要包括一个介质膜透镜、一个偏折补偿透镜和一个热沉；其中，介质膜透镜和偏折补偿透镜均能够围绕各自中心轴旋转，它们的旋转角度相同，但方向相反；热沉能够围绕介质膜透镜的中心轴旋转，旋转角度是介质膜透镜的两倍，旋转方向与介质膜透镜的相同。本发明可以在不改变入射激光传播方向和光强在空间中的相对分布的前提下，对高能激光的功率进行连续衰减。
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公开(公告)号：CN109659220A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710939614.X
申请日：2017-10-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02019
Abstract: 本公开提供了一种激光辅助无掩膜高深宽比碳化硅深槽孔结构制备方法，包括：取一待加工的碳化硅材料；对所述待加工的碳化硅材料进行激光辐照；以及对所述激光辐照后的碳化硅材料进行干法刻蚀。本公开激光辅助无掩膜高深宽比碳化硅深槽孔结构制备方法，解决了碳化硅高深宽比深槽孔结构的加工难题，实现了无掩膜的刻蚀，工艺简单，提高了制备效率，可选择性的重复激光辐照与干法刻蚀步骤，由此满足了对碳化硅沟槽深度的更高需求。
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公开(公告)号：CN105529246B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201510876293.4
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明提供了一种制备碳化硅超结结构的方法，首先采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀，以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽，然后在沟槽中外延生长碳化硅，以形成碳化硅超结结构。本发明通过激光刻蚀来制备碳化硅超结结构，在SiC上刻蚀形成沟槽的效率明显增加，深宽比明显提升，同时具有均匀性好、沟槽侧壁光滑、工艺简单、可操作性强等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104465748B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410708477.5
申请日：2014-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三金属电极覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化介质层覆盖在得到的基板的上表面且形成台面图形；钝化保护层覆盖在钝化介质层的上表面。本发明还公开了一种GaN基增强型HEMT器件的制备方法。本发明可靠性高，重复性好，通过选择不同的组分渐变范围、不同的氮化物合金及其掺杂浓度和厚度可以实现对器件阈值电压的调节，使制得的器件满足不同的要求。
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公开(公告)号：CN104599952A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510032621.2
申请日：2015-01-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法，包括以下步骤：步骤1、在碳化硅晶体表面生长氮化铝掩膜层；步骤2、在氮化铝掩膜层上刻蚀形成刻蚀碳化硅晶体所需图形；步骤3、利用所述氮化铝掩膜层上的所述图形对所述碳化硅晶体进行刻蚀，形成沟槽结构；步骤4、在高温环境下，通入刻蚀气体，去除碳化硅晶体上形成的刻蚀损伤层；步骤5、在室温环境下，去除所述碳化硅晶体上的氮化铝掩膜层。在碳化硅沟槽器件制备过程中，采用此方法后，可以有效的去除等离子刻蚀的损伤层，提高碳化硅沟槽器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN103219437A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310141878.2
申请日：2013-04-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石图形衬底的制备方法，其包括如下步骤：步骤1：在蓝宝石衬底表面形成掩膜层；步骤2：将掩膜层图形化，形成掩膜图形；步骤3：利用干法刻蚀具有掩膜图形的蓝宝石衬底，并形成与所述掩膜图形对应的原始凸起；步骤4：利用湿法修饰所述原始凸起的表面，使其表面粗化形成最终的凸起图形。该制备方法利用干法刻蚀技术制备出图形形貌可控，均匀性、稳定性好的图形衬底中间产品，后续使用湿法腐蚀去除物理损伤改善表面反射率，进一步提高LED出光效率。
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公开(公告)号：CN102064242B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201010534588.0
申请日：2010-11-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法，包括：步骤1：在衬底上制备氮化镓外延片；步骤2：在氮化镓外延片上制备第一层掩膜和第二层掩膜；步骤3：采用不同图形面积光刻版进行光刻，将第二层掩膜的两侧刻蚀掉，使第二层掩膜的面积小于第一层掩膜的面积；步骤4：通过双层掩膜的差异，采用ICP刻蚀的方法，将第一层掩膜和氮化镓外延片两侧刻蚀成梯形台面，该梯形台面的上部的宽度与第二层掩膜的宽度相同，该梯形台面的下部的宽度与衬底的宽度相同；步骤5：采用湿法腐蚀的方法，腐蚀掉第一层掩膜和第二层掩膜；步骤6：在氮化镓外延片上制作P电极；步骤7：采用激光剥离的方法，去掉衬底；步骤8：在P电极上制作转移衬底；步骤9：在氮化镓外延片上制作N电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN102064242A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010534588.0
申请日：2010-11-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法，包括：步骤1：在衬底上制备氮化镓外延片；步骤2：在氮化镓外延片上制备第一层掩膜和第二层掩膜；步骤3：采用不同图形面积光刻版进行光刻，将第二层掩膜的两侧刻蚀掉，使第二层掩膜的面积小于第一层掩膜的面积；步骤4：通过双层掩膜的差异，采用ICP刻蚀的方法，将第一层掩膜和氮化镓外延片两侧刻蚀成梯形台面，该梯形台面的上部的宽度与第二层掩膜的宽度相同，该梯形台面的下部的宽度与衬底的宽度相同；步骤5：采用湿法腐蚀的方法，腐蚀掉第一层掩膜和第二层掩膜；步骤6：在氮化镓外延片上制作P电极；步骤7：采用激光剥离的方法，去掉衬底；步骤8：在P电极上制作转移衬底；步骤9：在氮化镓外延片上制作N电极，完成制备。
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