公开(公告)号：CN104393045A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410710282.4

申请日：2014-11-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 贾利芳 ,  何志 ,  刘志强 ,  李迪 ,  樊中朝 ,  程哲 ,  梁亚楠 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66431

Abstract: 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三金属电极覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化保护层覆盖在势垒层上表面未被高空穴浓度结构层、第一金属电极和第二金属电极覆盖的区域；其中，第一金属电极和第二金属电极与势垒层之间形成欧姆接触，第三金属电极与高空穴浓度结构层之间形成肖特基接触。本发明还公开了一种GaN基增强型HEMT器件的制备方法。本发明可靠性高，重复性好，通过选择不同的组分渐变范围、不同的氮化物合金及其掺杂浓度和厚度可以实现对器件阈值电压的调节，使制得的器件满足不同的要求。

公开(公告)号：CN104465748B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201410708477.5

申请日：2014-11-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 贾利芳 ,  何志 ,  刘志强 ,  李迪 ,  樊中朝 ,  程哲 ,  梁亚楠 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三金属电极覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化介质层覆盖在得到的基板的上表面且形成台面图形；钝化保护层覆盖在钝化介质层的上表面。本发明还公开了一种GaN基增强型HEMT器件的制备方法。本发明可靠性高，重复性好，通过选择不同的组分渐变范围、不同的氮化物合金及其掺杂浓度和厚度可以实现对器件阈值电压的调节，使制得的器件满足不同的要求。

公开(公告)号：CN107978642B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201711346622.X

申请日：2017-12-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  中国科学院大学

Inventor： 梁亚楠 ,  贾利芳 ,  何志 ,  樊中朝 ,  颜伟 ,  杨富华

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种GaN基异质结二极管及其制备方法，该GaN基异质结二极管包括：依次生长在衬底上的GaN本征层和势垒层；在部分势垒层上形成部分凹槽区域，高空穴浓度结构层覆盖在凹槽上表面；阴极电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；阳极电极第一部分位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的另一部分区域，其位置紧挨着高空穴浓度结构层；阳极电极第二部分覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化保护层覆盖在势垒层上表面未被阴极电极和阳极电极覆盖的区域。本发明可靠性高，重复性好，可实现对器件开启电压的调节，获得低开启电压、低反向漏电流的GaN异质结二极管。

公开(公告)号：CN104465748A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410708477.5

申请日：2014-11-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 贾利芳 ,  何志 ,  刘志强 ,  李迪 ,  樊中朝 ,  程哲 ,  梁亚楠 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66431

Abstract: 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三金属电极覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化介质层覆盖在得到的基板的上表面且形成台面图形；钝化保护层覆盖在钝化介质层的上表面。本发明还公开了一种GaN基增强型HEMT器件的制备方法。本发明可靠性高，重复性好，通过选择不同的组分渐变范围、不同的氮化物合金及其掺杂浓度和厚度可以实现对器件阈值电压的调节，使制得的器件满足不同的要求。

公开(公告)号：CN107978642A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201711346622.X

申请日：2017-12-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  中国科学院大学

Inventor： 梁亚楠 ,  贾利芳 ,  何志 ,  樊中朝 ,  颜伟 ,  杨富华

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种GaN基异质结二极管及其制备方法，该GaN基异质结二极管包括：依次生长在衬底上的GaN本征层和势垒层；在部分势垒层上形成部分凹槽区域，高空穴浓度结构层覆盖在凹槽上表面；阴极电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；阳极电极第一部分位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的另一部分区域，其位置紧挨着高空穴浓度结构层；阳极电极第二部分覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化保护层覆盖在势垒层上表面未被阴极电极和阳极电极覆盖的区域。本发明可靠性高，重复性好，可实现对器件开启电压的调节，获得低开启电压、低反向漏电流的GaN异质结二极管。

公开(公告)号：CN104393045B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201410710282.4

申请日：2014-11-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 贾利芳 ,  何志 ,  刘志强 ,  李迪 ,  樊中朝 ,  程哲 ,  梁亚楠 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三金属电极覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化保护层覆盖在势垒层上表面未被高空穴浓度结构层、第一金属电极和第二金属电极覆盖的区域；其中，第一金属电极和第二金属电极与势垒层之间形成欧姆接触，第三金属电极与高空穴浓度结构层之间形成肖特基接触。本发明还公开了一种GaN基增强型HEMT器件的制备方法。本发明可靠性高，重复性好，通过选择不同的组分渐变范围、不同的氮化物合金及其掺杂浓度和厚度可以实现对器件阈值电压的调节，使制得的器件满足不同的要求。