公开(公告)号：CN100555573C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200610137580.4

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社上睦可 ,  株式会社电装

Inventor： 野上彰二 ,  山冈智则 ,  山内庄一 ,  山口仁 ,  柴田巧

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B25/165 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/0634

Abstract: 在具有外延膜的沟渠的开口处抑制封闭并由此改善沟渠中的填充形态。一种半导体衬底的制造方法包括在硅衬底(13)的表面上生长外延层(11)的步骤，在该外延层(11)中形成沟渠(14)的步骤，和用外延膜(12)填充沟渠(14)的内部的步骤，其中在用外延膜填充沟渠的内部中流通作为材料气体的通过将类卤基混合入硅源气体制造的混合气体，当类卤基气体的标准流速定义为Xslm和将通过流通硅源气体形成的外延膜的薄膜形成速度定义为Yμm/min时，在当沟渠的纵横比小于10的情况下，满足表达式Y＜0.2X+0.10，在沟渠的纵横比在10和小于20之间的情况下，满足表达式Y＜0.2X+0.05，在沟渠的纵横比是20或者更大的情况下，满足表达式Y＜0.2X。

公开(公告)号：CN100543936C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200580019566.8

申请日：2005-06-17

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 足立尚志

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67306 ,  F27D5/0037 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/6732 ,  H01L21/67323

Abstract: 提供一种半导体硅基板用热处理夹具，其接触于半导体硅基板并对其进行保持，并被搭载于纵型热处理炉的热处理舟，其中，夹具形状是环结构或圆板结构，其厚度为1.5mm以上、6.0mm以下，在被搭载于所述热处理舟时的和所述半导体硅基板接触的区域的挠曲变位量在100μm以下，和所述半导体硅基板接触并对其进行保持的夹具的外径在该半导体硅基板的直径的65%以上，和所述半导体硅基板接触的面的表面粗糙度(Ra值)在1.0μm以上、100μm以下。根据该热处理夹具，在有效地降低平滑裂隙的发生的同时，避免基板背面的热氧化膜的成长抑制，能够消除在设备制造的光刻工序中成为散焦的原因的表面阶梯差。由此，能够维持半导体硅基板的高品质，并且可以大幅度地提高设备成品率。

公开(公告)号：CN100530557C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610106125.8

申请日：2006-07-19

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 古屋田荣 ,  桥井友裕 ,  村山克彦 ,  高石和成 ,  加藤健夫

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/14

CPC classification number: H01L21/30608 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/6708

Abstract: 根据本发明的刻蚀方法，可将晶片端部的局部形状破坏降至最小程度，而且晶片前表面和晶片端部都能均匀地刻蚀，同时能防止刻蚀剂流到晶片后表面。所提供的单晶片刻蚀方法，在具有平坦前、后表面的单晶片被固定的状态下，将刻蚀剂提供给晶片前表面，并利用水平旋转该晶片产生的离心力刻蚀晶片前表面和前表面侧端部。按此方法，刻蚀剂是分两次或更多次间断性提供给晶片前表面，在提供用于一次处理的刻蚀剂后停止刻蚀剂供应，并在所提供的刻蚀剂从晶片端部流出后再提供用于下次处理的刻蚀剂。

公开(公告)号：CN100474594C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200580025175.7

申请日：2005-05-25

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 森田悦郎 ,  佐野理太郎 ,  远藤昭彦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/76254 ,  Y10T428/24479

Abstract: 该SOI基板具备由半导体单晶构成的支承基板和经由氧化膜在上述支承基板上贴合并由半导体单晶构成的活性层，上述氧化膜只在上述活性层上形成，只选择使用通过等离子体蚀刻法生成的反应性自由基蚀刻上述活性层表面，由此使上述活性层的厚度在10-200nm的范围内形成，并且使上述活性层整体的膜厚差在1.5nm或以下。

公开(公告)号：CN100461349C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200480031061.9

申请日：2004-08-02

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 栗田一成 ,  定光信介 ,  高尾浩之 ,  宝来正隆

IPC: H01L21/322 ,  C30B29/06 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/324 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/322 ,  H01L21/76243

Abstract: 本发明提供一种高电阻硅晶片的制造方法。根据本发明的高电阻硅晶片的制造方法，通过使用利用CZ法得到的电阻高并且含有碳的硅晶片，组合进行利用升温操作(lumping)的第1热处理、由高温热处理及中温热处理构成的第2热处理，就可以有效地抑制氧给体的生成，即使在设备制造的工序中的热处理后，也可以维持高电阻，可以获得抑制了电阻率的变动的高电阻硅晶片。另外，由于如果使用该高电阻硅晶片，则可以制造优良的外延晶片及SOI晶片，因此可以在高频通信设备或模拟、数字混载设备等广泛的领域中使用。

公开(公告)号：CN101126173A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710106433.5

申请日：2007-05-29

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 早川裕 ,  前田德次

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1012 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1072

Abstract: 本发明提供一种单晶硅的培育工艺中溶液的液面位置监视装置，以带籽晶时的溶液的液面位置为基准位置监视使用了CZ法的单晶硅的培育工艺中坩埚内的溶液的液面位置，在单晶硅的培育工艺中，由于可计算对应于所有状况的溶液的假想液面位置，故可高精度地控制溶液和隔热板或水冷体的间隔。另外，在溶液的假想液面位置超过设定的上限而接近隔热板时产生警报，进而在与隔热板接触或接近水冷体时根据需要产生警报，同时强制地停止坩锅的移动，由此，可将溶液和水冷体的接触造成的水蒸气爆炸等重大事故防患于未然。由此，能够作为可进行使用了CZ法的单晶硅的培育装置的安全的操作的溶液的液面位置监视装置广泛地应用。

公开(公告)号：CN101054721A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710084192.9

申请日：2007-02-17

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 小野敏昭 ,  梅野繁 ,  杉村涉 ,  宝来正隆

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B31/20 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/261

Abstract: 本发明提供了一种IGBT用硅单晶片，其在结晶径向整个区域中排除了COP缺陷和位错簇，晶格间氧浓度为8.5×1017原子/cm3或以下，晶片面内的电阻率的偏差为5％或以下。本发明还提供该IGBT用硅单晶片的制造方法，其中在氛围气气体中导入以氢气换算分压为40Pa～400Pa的含有氢原子的物质，使硅单晶的提拉速度为能够提拉无生长引入缺陷的硅单晶的速度，育成晶格间氧浓度为8.5×1017原子/cm3或以下的单晶。对提拉后的硅单晶照射中子而掺杂磷；在硅熔融液中添加n型掺杂剂；或在硅熔融液中添加磷，使硅单晶中的磷浓度为2.9×1013原子/cm3～2.9×1015原子/cm3，在硅熔融液中添加偏析系数小于上述磷的p型掺杂剂，根据其偏析系数使其在硅单晶中的浓度为1×1013原子/cm3～1×1015原子/cm3。

公开(公告)号：CN101006206A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200580028656.3

申请日：2005-08-24

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 宝来正隆 ,  杉村涉 ,  小野敏昭

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/20 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/04 ,  C30B15/203

Abstract: 该硅片是在含氢的惰性气氛下通过CZ法培育的，是在晶片厚度方向整个区域上、结晶直径方向的整个区域上不含COP和位错簇的完全无生长引入的缺陷的晶片，且晶片整个区域由晶格间硅优势区域构成。该硅单晶培育方法通过在含氢的惰性气氛中提拉硅单晶，扩大PI区域提拉速度的范围，通过在这种PI区域提拉速度范围内进行提拉，使单晶柱体部分成为晶格间硅优势区域。

公开(公告)号：CN1989592A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200580024663.6

申请日：2005-07-19

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 足立尚志 ,  小松幸夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/26533 ,  H01L21/31662

Abstract: 本发明公开了一种SIMOX基板的制造方法，其中把注入氧离子的硅基板在氩和氧的混合气体气氛下，进行1300～1350℃的热处理而获得SIMOX基板。在氧离子注入后热处理之前，把硅基板在惰性气体或还原性气体或者混合气体气氛中，在温度为1000～1280℃的范围内进行5分钟至4小时的预热处理。注入氧离子的硅基板优选空洞缺陷或COP组成的晶体缺陷密度在1×105cm－3以上，并且晶体缺陷尺寸分布的最大频率在0.12μm以下。进一步优选在预热处理后，把硅基板在惰性气体或还原性气体或者其混合气体气氛中，降温至600～1100℃，然后在氩和氧的混合气体气氛下进行热处理。

公开(公告)号：CN1971851A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610168911.0

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社电装 ,  株式会社上睦可

Inventor： 山内庄一 ,  柴田巧 ,  山冈智则 ,  野上彰二

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/66 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66712 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括如下步骤：在硅衬底(1、40)上形成第一外延膜(2、41)；在第一外延膜(2、41)中形成沟槽(4、43)；并且在第一外延膜(2、41)上和在沟槽(4、43)中形成第二外延膜(23、44、45)。形成第二外延膜(23、44、45)的步骤包括最后的步骤，其中使用硅源气体和卤化物气体的混合气体。硅衬底(1、40)具有被定义为α的砷浓度，第二外延膜(23、44、45)具有被定义为β的杂质浓度。砷浓度和杂质浓度具有如下关系：α≤3×1019×ln(β)－1×1021。