公开(公告)号：CN101126173B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200710106433.5

申请日：2007-05-29

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 早川裕 ,  前田德次

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1012 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1072

Abstract: 本发明提供一种单晶硅的培育工艺中溶液的液面位置监视装置，以带籽晶时的溶液的液面位置为基准位置监视使用了CZ法的单晶硅的培育工艺中坩锅内的溶液的液面位置，在单晶硅的培育工艺中，由于可计算对应于所有状况的溶液的假想液面位置，故可高精度地控制溶液和隔热板或水冷体的间隔。另外，在溶液的假想液面位置超过设定的上限而接近隔热板时产生警报，进而在与隔热板接触或接近水冷体时根据需要产生警报，同时强制地停止坩锅的移动，由此，可将溶液和水冷体的接触造成的水蒸气爆炸等重大事故防患于未然。由此，能够作为可进行使用了CZ法的单晶硅的培育装置的安全的操作的溶液的液面位置监视装置广泛地应用。

公开(公告)号：CN101126173A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710106433.5

申请日：2007-05-29

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 早川裕 ,  前田德次

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1012 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1072

Abstract: 本发明提供一种单晶硅的培育工艺中溶液的液面位置监视装置，以带籽晶时的溶液的液面位置为基准位置监视使用了CZ法的单晶硅的培育工艺中坩埚内的溶液的液面位置，在单晶硅的培育工艺中，由于可计算对应于所有状况的溶液的假想液面位置，故可高精度地控制溶液和隔热板或水冷体的间隔。另外，在溶液的假想液面位置超过设定的上限而接近隔热板时产生警报，进而在与隔热板接触或接近水冷体时根据需要产生警报，同时强制地停止坩锅的移动，由此，可将溶液和水冷体的接触造成的水蒸气爆炸等重大事故防患于未然。由此，能够作为可进行使用了CZ法的单晶硅的培育装置的安全的操作的溶液的液面位置监视装置广泛地应用。