公开(公告)号：CN1871698A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200480031061.9

申请日：2004-08-02

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 栗田一成 ,  定光信介 ,  高尾浩之 ,  宝来正隆

IPC: H01L21/322 ,  C30B29/06 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/324 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/322 ,  H01L21/76243

Abstract: 本发明提供一种高电阻硅晶片的制造方法。根据本发明的高电阻硅晶片的制造方法，通过使用利用CZ法得到的电阻高并且含有碳的硅晶片，组合进行利用升温操作(lumping)的第1热处理、由高温热处理及中温热处理构成的第2热处理，就可以有效地抑制氧给体的生成，即使在设备制造的工序中的热处理后，也可以维持高电阻，可以获得抑制了电阻率的变动的高电阻硅晶片。另外，由于如果使用该高电阻硅晶片，则可以制造优良的外延晶片及SOI晶片，因此可以在高频通信设备或模拟、数字混载设备等广泛的领域中使用。

公开(公告)号：CN100461349C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200480031061.9

申请日：2004-08-02

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 栗田一成 ,  定光信介 ,  高尾浩之 ,  宝来正隆

IPC: H01L21/322 ,  C30B29/06 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/324 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/322 ,  H01L21/76243

Abstract: 本发明提供一种高电阻硅晶片的制造方法。根据本发明的高电阻硅晶片的制造方法，通过使用利用CZ法得到的电阻高并且含有碳的硅晶片，组合进行利用升温操作(lumping)的第1热处理、由高温热处理及中温热处理构成的第2热处理，就可以有效地抑制氧给体的生成，即使在设备制造的工序中的热处理后，也可以维持高电阻，可以获得抑制了电阻率的变动的高电阻硅晶片。另外，由于如果使用该高电阻硅晶片，则可以制造优良的外延晶片及SOI晶片，因此可以在高频通信设备或模拟、数字混载设备等广泛的领域中使用。