公开(公告)号：CN1881547A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610105541.6

申请日：2006-06-07

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 梅野繁 ,  大浦康浩 ,  加藤浩二

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/20 ,  H01L29/739 ,  H01L29/02 ,  C30B15/00 ,  C30B33/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L29/32 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3225 ,  Y10T428/31663

Abstract: 一种IGBT用硅晶片的制造方法，通过直拉法形成晶格间的氧浓度为7.0×1017原子/cm3或以下的硅锭，对该硅锭照射中子束掺杂磷后，切取晶片，在至少含有氧的氛围气中、在满足指定的式子的温度下，对该晶片进行氧化氛围气退火处理，并在前述晶片的一面侧上具有多晶硅层或应变层。

公开(公告)号：CN101054721B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200710084192.9

申请日：2007-02-17

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 小野敏昭 ,  梅野繁 ,  杉村涉 ,  宝来正隆

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B31/20 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/261

Abstract: IGBT用硅单晶片和IGBT用硅单晶片的制造方法本发明提供了一种IGBT用硅单晶片，其在结晶径向整个区域中排除了COP缺陷和位错簇，晶格间氧浓度为8.5×1017原子/cm3或以下，晶片面内的电阻率的偏差为5％或以下。本发明还提供该IGBT用硅单晶片的制造方法，其中在氛围气气体中导入以氢气换算分压为40Pa～400Pa的含有氢原子的物质，使硅单晶的提拉速度为能够提拉无生长引入缺陷的硅单晶的速度，育成晶格间氧浓度为8.5×1017原子/cm3或以下的单晶。对提拉后的硅单晶照射中子而掺杂磷；在硅熔融液中添加n型掺杂剂；或在硅熔融液中添加磷，使硅单晶中的磷浓度为2.9×1013原子/cm3～2.9×1015原子/cm3，在硅熔融液中添加偏析系数小于上述磷的p型掺杂剂，根据其偏析系数使其在硅单晶中的浓度为1×1013原子/cm3～1×1015原子/cm3。

公开(公告)号：CN101054721A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710084192.9

申请日：2007-02-17

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 小野敏昭 ,  梅野繁 ,  杉村涉 ,  宝来正隆

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B31/20 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/261

Abstract: 本发明提供了一种IGBT用硅单晶片，其在结晶径向整个区域中排除了COP缺陷和位错簇，晶格间氧浓度为8.5×1017原子/cm3或以下，晶片面内的电阻率的偏差为5％或以下。本发明还提供该IGBT用硅单晶片的制造方法，其中在氛围气气体中导入以氢气换算分压为40Pa～400Pa的含有氢原子的物质，使硅单晶的提拉速度为能够提拉无生长引入缺陷的硅单晶的速度，育成晶格间氧浓度为8.5×1017原子/cm3或以下的单晶。对提拉后的硅单晶照射中子而掺杂磷；在硅熔融液中添加n型掺杂剂；或在硅熔融液中添加磷，使硅单晶中的磷浓度为2.9×1013原子/cm3～2.9×1015原子/cm3，在硅熔融液中添加偏析系数小于上述磷的p型掺杂剂，根据其偏析系数使其在硅单晶中的浓度为1×1013原子/cm3～1×1015原子/cm3。

公开(公告)号：CN100527369C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200610105541.6

申请日：2006-06-07

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 梅野繁 ,  大浦康浩 ,  加藤浩二

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/20 ,  H01L29/739 ,  H01L29/02 ,  C30B15/00 ,  C30B33/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L29/32 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3225 ,  Y10T428/31663

Abstract: 一种IGBT用硅晶片的制造方法，通过直拉法形成晶格间的氧浓度为7.0×1017原子/cm3或以下的硅锭，对该硅锭照射中子束掺杂磷后，切取晶片，在至少含有氧的氛围气中、在满足指定的式子的温度下，对该晶片进行氧化氛围气退火处理，并在前述晶片的一面侧上具有多晶硅层或应变层。