公开(公告)号：CN100435288C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200610159243.5

申请日：2006-08-15

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 古屋田荣 ,  桥井友裕 ,  村山克彦 ,  高石和成 ,  加藤健夫

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  C23F1/24

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明的硅晶片的制造方法的特征在于，按顺序包括：利用供给喷嘴向将硅单晶锭切片后得到的单枚薄圆板状的硅晶片的表面供给蚀刻液，通过使上述晶片旋转，将上述供给的蚀刻液扩大到整个晶片表面上进行蚀刻的单片式蚀刻工序(12)；和研磨上述硅晶片的表面的研磨工序(14)，在单片式蚀刻中使用的蚀刻液是酸蚀刻液，上述酸蚀刻液由氢氟酸、硝酸和磷酸构成，是上述氢氟酸、硝酸和磷酸按重量百分比为氢氟酸∶硝酸∶磷酸=0.5～40%∶5～50%∶5～70%的混合比例含有的水溶液。

公开(公告)号：CN100530557C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610106125.8

申请日：2006-07-19

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 古屋田荣 ,  桥井友裕 ,  村山克彦 ,  高石和成 ,  加藤健夫

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/14

CPC classification number: H01L21/30608 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/6708

Abstract: 根据本发明的刻蚀方法，可将晶片端部的局部形状破坏降至最小程度，而且晶片前表面和晶片端部都能均匀地刻蚀，同时能防止刻蚀剂流到晶片后表面。所提供的单晶片刻蚀方法，在具有平坦前、后表面的单晶片被固定的状态下，将刻蚀剂提供给晶片前表面，并利用水平旋转该晶片产生的离心力刻蚀晶片前表面和前表面侧端部。按此方法，刻蚀剂是分两次或更多次间断性提供给晶片前表面，在提供用于一次处理的刻蚀剂后停止刻蚀剂供应，并在所提供的刻蚀剂从晶片端部流出后再提供用于下次处理的刻蚀剂。

公开(公告)号：CN1917151A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610159243.5

申请日：2006-08-15

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 古屋田荣 ,  桥井友裕 ,  村山克彦 ,  高石和成 ,  加藤健夫

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  C23F1/24

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明的硅晶片的制造方法的特征在于，按顺序包括：利用供给喷嘴向将硅单晶锭切片后得到的单枚薄圆板状的硅晶片的表面供给蚀刻液，通过使上述晶片旋转，将上述供给的蚀刻液扩大到整个晶片表面上进行蚀刻的单片式蚀刻工序(12)；和研磨上述硅晶片的表面的研磨工序(14)，在单片式蚀刻中使用的蚀刻液是酸蚀刻液，上述酸蚀刻液由氢氟酸、硝酸和磷酸构成，是上述氢氟酸、硝酸和磷酸按重量百分比为氢氟酸∶硝酸∶磷酸＝0.5～40％∶5～50％∶5～70％的混合比例含有的水溶液。

公开(公告)号：CN1816901A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200480018575.0

申请日：2004-10-28

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 古屋田荣 ,  高石和成

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/30608 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明的硅晶片的加工方法包括：腐蚀工艺(13)，其中将酸腐蚀液和碱腐蚀液分别存储在多个腐蚀罐中，将经过了研磨工艺(11)并随后进行了清洗工艺(12)的具有变质表面层的硅晶片依次浸入到酸腐蚀液和碱腐蚀液中；正面镜面抛光工艺(18)，对所述腐蚀后的晶片的一面进行镜面抛光；清洗工艺(19)，对所述正面镜面抛光后的晶片进行清洗，其中腐蚀工艺这样进行，碱腐蚀在酸腐蚀之后进行；其中当主要由氢氟酸和硝酸组成的酸水溶液为100％重量比时，酸腐蚀液中含有重量比等于或者大于30％的磷酸。本发明的加工方法可以保持研磨后的平整度，同时可以降低表面粗糙度。进一步的，在正面是镜面抛光的晶片上，可以得到好的平整度，并使背面粗糙度变小。

公开(公告)号：CN1816900A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200480018582.0

申请日：2004-10-28

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 古屋田荣 ,  高石和成

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/02019

Abstract: 本发明的硅晶片的制造方法，其特征在于，包括分别在多个浸蚀槽储存酸浸蚀液和碱浸蚀液并把经过抛光工艺而具有加工变质层的硅晶片依次浸渍在酸浸蚀液和碱浸蚀液中以除去加工变质层的浸蚀工艺(14)、以及浸蚀工艺后同时对晶片表面和背面进行研磨的两面同时研磨工艺(16)，浸蚀工艺的碱浸蚀液使用40～60重量百分比的氢氧化钠水溶液，在两面同时研磨工艺中，设晶片表面的研磨量A为5～10μm，背面的研磨量B为2～6μm，研磨量A和研磨量B之差(A－B)为3～4μm。本发明的制造方法，提供的硅晶片是，晶片两面具有高精度的平坦度及小的表面粗糙度且可用目视识别晶片表面和背面的单面镜面晶片，其中保持在曝光装置夹具等状态下的晶片平坦度优异。

公开(公告)号：CN1795544A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200480014676.0

申请日：2004-05-27

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 古屋田荣 ,  高石和成

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02021 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/30604

Abstract: 用于加工硅晶片的方法，其包括：步骤(11)，其中将单晶坯锭切成薄盘状晶片；步骤(13)，其中将每个晶片的表面研磨成平面；步骤(14)，其中对晶片进行碱性清洗，去除先前机械加工带来的污染物；以及步骤(16)，其中将晶片在两组腐蚀槽之间交替轮换，其中一组中含有酸性腐蚀液，另一组中含有碱性腐蚀液，其中在步骤11和步骤13之间引入另外的步骤(12)，其中将晶片浸在含有的氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的体积比(HF/HNO3)为1/8－1/2的酸性溶液中，这样，就可以去除机械加工在晶片前后表面上带来的质量下降的表面层，并将其边缘表面斜切。本发明方法简化了晶片加工所含的步骤，减少了伴随机械斜切的碱性清洗的干扰，由此降低了被可能来自碱性清洗的金属杂质污染的危险。

公开(公告)号：CN1937179A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610106125.8

申请日：2006-07-19

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 古屋田荣 ,  桥井友裕 ,  村山克彦 ,  高石和成 ,  加藤健夫

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/14

CPC classification number: H01L21/30608 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/6708

Abstract: 根据本发明的刻蚀方法，可将晶片端部的局部形状破坏降至最小程度，而且晶片前表面和晶片端部都能均匀地刻蚀，同时能防止刻蚀剂流到晶片后表面。所提供的单晶片刻蚀方法，在具有平坦前、后表面的单晶片被固定的状态下，将刻蚀剂提供给晶片前表面，并利用水平旋转该晶片产生的离心力刻蚀晶片前表面和前表面侧端部。按此方法，刻蚀剂是分两次或更多次间断性提供给晶片前表面，在提供用于一次处理的刻蚀剂后停止刻蚀剂供应，并在所提供的刻蚀剂从晶片端部流出后再提供用于下次处理的刻蚀剂。