公开(公告)号：CN109385613A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810869824.0

申请日：2018-08-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高木聪 ,  林宽之 ,  蔡秀林

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/02645 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/345

Abstract: 本公开涉及硅膜的形成方法、形成装置以及存储介质。提供一种能够针对不同的基底来减小膜厚差并形成硅膜的硅膜的形成方法以及形成装置。包括以下工序：准备具有凹部的被处理基板，在该凹部多个不同的基底露出；一边将被处理基板加热至规定的温度，一边将适合于多个不同的基底的原料气体以及与原料气体反应的反应气体按顺序向被处理基板供给一次或多次，从而至少在凹部的内表面形成原子层晶种，接着，一边将被处理基板加热至规定的温度，一边向被处理基板供给硅原料气体，在原子层晶种的表面以填充凹部的方式形成硅膜。

公开(公告)号：CN108400157A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810104358.7

申请日：2018-02-02

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  国立大学法人金泽大学

Inventor： 野口仁 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  加藤宙光 ,  川岛宏幸 ,  山崎聪 ,  德田规夫

IPC: H01L29/04 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B25/20 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/272 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/04 ,  H01L21/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02617

Abstract: 本发明的目的在于提供一种钻石基板的制造方法以及用于所述方法的衬底基板，其对于减低包含位错缺陷等的各种缺陷是有效的。上述衬底基板是用于利用化学气相沉积法来成膜钻石膜的衬底基板，其特征在于：前述衬底基板的表面，相对于规定的晶面方位附有偏离角。

公开(公告)号：CN108155278A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711244180.8

申请日：2017-11-30

Applicant: 赛奥科思有限公司 ,  住友化学株式会社 ,  国立大学法人三重大学

Inventor： 藤仓序章 ,  今野泰一郎 ,  三宅秀人

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02502 ,  C30B25/02 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  C30B29/68 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/3245 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/0095

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件。本发明提供即便是在衬底上形成有凹凸图案的情况下、也能够容易地得到高品质的氮化物半导体模板的技术。解决手段为经由下述工序来制造氮化物半导体模板：准备工序，作为衬底，准备在表面形成有凹凸图案的图案衬底；第一层形成工序，在图案衬底的凹凸图案上，以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第一层，并且以第一层的表面不发生平坦化的厚度形成第一层；退火工序，对第一层进行退火处理；和第二层形成工序，以与经历退火工序后的第一层重叠的方式，以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第二层，并且以第二层的表面平坦化的厚度形成第二层。

公开(公告)号：CN104025282B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201280046776.6

申请日：2012-09-26

Applicant: 格芯公司

Inventor： 郑政玮 ,  李宁 ,  徐崑庭

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/20 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/7813

Abstract: 提供了一种从下面的基底衬底去除多个半导体器件层的方法。在基底衬底上形成多层叠层，该多层叠层包括牺牲材料层和半导体材料层的交替层。所形成的每个连续的牺牲材料层比先前形成的牺牲材料层更厚。由于牺牲材料层的厚度差，每个牺牲材料层以不同的速率蚀刻，较厚的牺牲材料层比较薄的牺牲材料层蚀刻得更快。然后进行蚀刻，该蚀刻首先去除所述多层叠层中的最厚的牺牲材料层。因此该多层叠层中的最上部半导体器件层首先被释放。随着蚀刻继续，其它牺牲材料层以厚度减小的顺序被依次去除，并且其它半导体器件层被依次去除。

公开(公告)号：CN107871783A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710822062.4

申请日：2017-09-13

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 富田英干 ,  兼近将一 ,  上田博之 ,  森朋彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66916 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7832 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，在具备纵型漂移区域(即，JFET区域)的半导体装置中，改善耐压与接通电阻之间存在的此消彼长的关系。半导体装置(1)具备在氮化物半导体层(20)的表面上的一部分设置的异质接合区域(42)。异质接合区域(42)与纵型漂移区域(21b)向氮化物半导体层(20)的表面露出的范围的至少一部分接触，且具有比纵型漂移区域(21b)宽的带隙。在异质接合区域(42)与纵型漂移区域(21b)之间的异质接合界面形成二维电子气体，接通电阻下降。

公开(公告)号：CN107527815A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201610452293.6

申请日：2016-06-21

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 李一凡 ,  冯立伟 ,  许力介 ,  陈俊仁 ,  胡益诚 ,  吴典逸 ,  林钰书 ,  杨能辉

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/823821 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/66795 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明公开一种外延层的制作方法，包含提供一硅基底，一介电层覆盖硅基底，接着形成一凹槽于硅基底和介电层内，之后进行一选择性外延成长步骤以及一非选择性外延成长步骤，分别形成一第一外延层和第二外延层于凹槽内，第一外延层不覆盖介电层的上表面，其中凹槽由第一外延层和第二外延层共同填满，最后平坦化第一外延层和第二外延层。

公开(公告)号：CN104241093B

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201410274878.4

申请日：2014-06-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K.普吕格尔 ,  G.鲁尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/02524 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0405 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/7685 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66037 ,  H01L29/778

Abstract: 公开了一种用于处理载体的方法和电子部件。在各个实施例中，提供一种处理载体的方法。所述用于处理载体的方法包括：在载体上形成第一催化金属层；在第一催化金属层上形成源层；在源层上形成第二催化金属层，其中第二催化金属层的厚度大于第一催化金属层的厚度；和随后进行退火，以使得能够进行源层的材料的扩散，以由源层的扩散材料形成与载体的表面邻接的界面层。

公开(公告)号：CN103943474B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201410022488.8

申请日：2014-01-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小森克彦

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供硅膜的形成方法及其形成装置。在表面形成有槽的被处理体的槽中形成硅膜的硅膜形成方法中，该硅膜的形成方法包括以下工序：第1成膜工序，以填充被处理体的槽的方式形成含有杂质的第1硅膜；掺杂工序，对在上述第1成膜工序中形成的上述第1硅膜的表面附近掺杂上述杂质；蚀刻工序，对在上述第1成膜工序中形成的上述第1硅膜进行蚀刻而扩展上述槽的开口部；以及第2成膜工序，以将第2硅膜填充于在上述蚀刻工序中被扩展了开口部的槽的方式形成第2硅膜。

公开(公告)号：CN102983243B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201210080105.3

申请日：2012-03-23

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 郑明训 ,  林贤哲 ,  金设禧 ,  崔洛俊

IPC: H01L33/38

CPC classification number: H01L33/20 ,  F21K9/23 ,  F21Y2115/10 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种发光器件及包括该发光器件的发光器件封装。公开了一种发光器件。所公开的发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。该第一导电类型半导体层、该有源层和该第二导电类型半导体层被设置为在相同方向上彼此邻近。该有源层包括交替地堆叠至少一次的阱层和势垒层。该阱层具有比该势垒层小的能带隙。该发光器件进一步包括设置在第一导电类型半导体层中的掩模层、设置在第一导电类型半导体层上的第一电极和设置在第二导电类型半导体层上的第二电极。该第一导电类型半导体层被形成有至少一个凹部。

公开(公告)号：CN104009130B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201410053096.8

申请日：2014-02-17

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 卢宗铉 ,  崔珉硕 ,  金泰亨

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明提供了一种生长衬底、氮化物半导体器件及其制造方法。公开了一种制造发光器件的方法。更具体地，公开了生长衬底、氮化物半导体器件和制造发光器件的方法。该方法包括：准备包括金属衬底的生长衬底；在生长衬底上形成包括氮化物基半导体的半导体结构；在半导体结构上提供支撑结构；以及从半导体结构分离生长衬底。