公开(公告)号：CN101126173B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200710106433.5

申请日：2007-05-29

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 早川裕 ,  前田德次

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1012 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1072

Abstract: 本发明提供一种单晶硅的培育工艺中溶液的液面位置监视装置，以带籽晶时的溶液的液面位置为基准位置监视使用了CZ法的单晶硅的培育工艺中坩锅内的溶液的液面位置，在单晶硅的培育工艺中，由于可计算对应于所有状况的溶液的假想液面位置，故可高精度地控制溶液和隔热板或水冷体的间隔。另外，在溶液的假想液面位置超过设定的上限而接近隔热板时产生警报，进而在与隔热板接触或接近水冷体时根据需要产生警报，同时强制地停止坩锅的移动，由此，可将溶液和水冷体的接触造成的水蒸气爆炸等重大事故防患于未然。由此，能够作为可进行使用了CZ法的单晶硅的培育装置的安全的操作的溶液的液面位置监视装置广泛地应用。

公开(公告)号：CN101504944A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200910003998.X

申请日：2004-03-30

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 中田嘉信 ,  白木弘幸 ,  长谷川健

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/324

CPC classification number: F27D5/0037 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明提供一种硅片热处理夹具和热处理方法，在相互隔开间隔地从支承框向中心点突出的3个支承臂部的上侧设有支承突起，在将硅片载置在上述支承突起上、在热处理炉内进行热处理时，支承突起全部在硅片的同一圆周上、且位于硅片半径的外侧方向85～99.5％的范围内，各支承臂部分别配置成相对于中心点构成120°的角度，由此，使从销迹点进入的位移的自由深度比器件形成区域深，而且，使这样的晶片表面上没有滑动的无滑动区域扩大到最大。

公开(公告)号：CN100433270C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200580010006.6

申请日：2005-03-30

Applicant: 株式会社上睦可 ,  三菱麻铁里亚尔株式会社

Inventor： 藤原秀树 ,  池泽一浩 ,  田口裕章 ,  岩元尚文 ,  石井利升 ,  米久孝志

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供了一种耐久性的等离子体蚀刻用硅电极板，它是由按原子比含有3-11ppba的硼、还含有总量为0.5-6ppba的磷和砷中的一种或两种的硅单晶制成的。

公开(公告)号：CN100423190C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200610159241.6

申请日：2006-08-08

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 奥内茂 ,  远藤光弘 ,  田中智也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/30 ,  B08B3/04

CPC classification number: B08B3/08 ,  C11D1/66 ,  C11D3/3947 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/0064 ,  H01L21/02052

Abstract: 本发明为硅晶片的洗涤方法，其包括将表面的镜面抛光加工完毕的硅晶片浸渍在非离子型表面活性剂水溶液中的第一洗涤工序、将完成了第一洗涤工序的晶片浸渍在溶解臭氧水溶液中的第二洗涤工序、将完成了第二洗涤工序的硅晶片浸渍在含有氨和过氧化氢的水溶液中的第三洗涤工序，并且前述各工序连续进行。

公开(公告)号：CN1989620A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200580025175.7

申请日：2005-05-25

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 森田悦郎 ,  佐野理太郎 ,  远藤昭彦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/76254 ,  Y10T428/24479

Abstract: 该SOI基板具备由半导体单晶构成的支承基板和经由氧化膜在上述支承基板上贴合并由半导体单晶构成的活性层，上述氧化膜只在上述活性层上形成，只选择使用通过等离子体蚀刻法生成的反应性自由基蚀刻上述活性层表面，由此使上述活性层的厚度在10－200nm的范围内形成，并且使上述活性层整体的膜厚差在1.5nm或以下。

公开(公告)号：CN1881547A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610105541.6

申请日：2006-06-07

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 梅野繁 ,  大浦康浩 ,  加藤浩二

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/20 ,  H01L29/739 ,  H01L29/02 ,  C30B15/00 ,  C30B33/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L29/32 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3225 ,  Y10T428/31663

Abstract: 一种IGBT用硅晶片的制造方法，通过直拉法形成晶格间的氧浓度为7.0×1017原子/cm3或以下的硅锭，对该硅锭照射中子束掺杂磷后，切取晶片，在至少含有氧的氛围气中、在满足指定的式子的温度下，对该晶片进行氧化氛围气退火处理，并在前述晶片的一面侧上具有多晶硅层或应变层。

公开(公告)号：CN1816901A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200480018575.0

申请日：2004-10-28

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 古屋田荣 ,  高石和成

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/30608 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明的硅晶片的加工方法包括：腐蚀工艺(13)，其中将酸腐蚀液和碱腐蚀液分别存储在多个腐蚀罐中，将经过了研磨工艺(11)并随后进行了清洗工艺(12)的具有变质表面层的硅晶片依次浸入到酸腐蚀液和碱腐蚀液中；正面镜面抛光工艺(18)，对所述腐蚀后的晶片的一面进行镜面抛光；清洗工艺(19)，对所述正面镜面抛光后的晶片进行清洗，其中腐蚀工艺这样进行，碱腐蚀在酸腐蚀之后进行；其中当主要由氢氟酸和硝酸组成的酸水溶液为100％重量比时，酸腐蚀液中含有重量比等于或者大于30％的磷酸。本发明的加工方法可以保持研磨后的平整度，同时可以降低表面粗糙度。进一步的，在正面是镜面抛光的晶片上，可以得到好的平整度，并使背面粗糙度变小。

公开(公告)号：CN1816900A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200480018582.0

申请日：2004-10-28

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 古屋田荣 ,  高石和成

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/02019

Abstract: 本发明的硅晶片的制造方法，其特征在于，包括分别在多个浸蚀槽储存酸浸蚀液和碱浸蚀液并把经过抛光工艺而具有加工变质层的硅晶片依次浸渍在酸浸蚀液和碱浸蚀液中以除去加工变质层的浸蚀工艺(14)、以及浸蚀工艺后同时对晶片表面和背面进行研磨的两面同时研磨工艺(16)，浸蚀工艺的碱浸蚀液使用40～60重量百分比的氢氧化钠水溶液，在两面同时研磨工艺中，设晶片表面的研磨量A为5～10μm，背面的研磨量B为2～6μm，研磨量A和研磨量B之差(A－B)为3～4μm。本发明的制造方法，提供的硅晶片是，晶片两面具有高精度的平坦度及小的表面粗糙度且可用目视识别晶片表面和背面的单面镜面晶片，其中保持在曝光装置夹具等状态下的晶片平坦度优异。

公开(公告)号：CN1795545A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200480014685.X

申请日：2004-05-26

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 浅川庆一郎

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02013 ,  B24B7/17 ,  B24B9/065 ,  B24B37/042 ,  B24B37/08 ,  B24B37/245 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/30625

Abstract: 本发明提供了一种半导体晶片的制造方法，其中利用自由研磨剂颗粒的半固定研磨剂颗粒研磨降低了由线锯切割或双盘研磨产生的微小表面起伏，同时简化了常规半导体晶片的制造工艺步骤。半导体晶片的制造方法的特征在于，进行以下工艺：切割，然后倒角，蚀刻，以及一侧或双侧抛光，其中在所述切割工艺之后进行利用多孔抛光衬垫和自由研磨剂颗粒的半固定研磨剂研磨工艺。

公开(公告)号：CN1795544A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200480014676.0

申请日：2004-05-27

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 古屋田荣 ,  高石和成

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02021 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/30604

Abstract: 用于加工硅晶片的方法，其包括：步骤(11)，其中将单晶坯锭切成薄盘状晶片；步骤(13)，其中将每个晶片的表面研磨成平面；步骤(14)，其中对晶片进行碱性清洗，去除先前机械加工带来的污染物；以及步骤(16)，其中将晶片在两组腐蚀槽之间交替轮换，其中一组中含有酸性腐蚀液，另一组中含有碱性腐蚀液，其中在步骤11和步骤13之间引入另外的步骤(12)，其中将晶片浸在含有的氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的体积比(HF/HNO3)为1/8－1/2的酸性溶液中，这样，就可以去除机械加工在晶片前后表面上带来的质量下降的表面层，并将其边缘表面斜切。本发明方法简化了晶片加工所含的步骤，减少了伴随机械斜切的碱性清洗的干扰，由此降低了被可能来自碱性清洗的金属杂质污染的危险。