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公开(公告)号：CN101054721B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200710084192.9
申请日：2007-02-17
Applicant: 株式会社上睦可
IPC: C30B29/06 , C30B15/00 , C30B31/20 , H01L21/208
CPC classification number: C30B15/00 , C30B29/06 , H01L21/261
Abstract: IGBT用硅单晶片和IGBT用硅单晶片的制造方法本发明提供了一种IGBT用硅单晶片，其在结晶径向整个区域中排除了COP缺陷和位错簇，晶格间氧浓度为8.5×1017原子/cm3或以下，晶片面内的电阻率的偏差为5％或以下。本发明还提供该IGBT用硅单晶片的制造方法，其中在氛围气气体中导入以氢气换算分压为40Pa～400Pa的含有氢原子的物质，使硅单晶的提拉速度为能够提拉无生长引入缺陷的硅单晶的速度，育成晶格间氧浓度为8.5×1017原子/cm3或以下的单晶。对提拉后的硅单晶照射中子而掺杂磷；在硅熔融液中添加n型掺杂剂；或在硅熔融液中添加磷，使硅单晶中的磷浓度为2.9×1013原子/cm3～2.9×1015原子/cm3，在硅熔融液中添加偏析系数小于上述磷的p型掺杂剂，根据其偏析系数使其在硅单晶中的浓度为1×1013原子/cm3～1×1015原子/cm3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100472001C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200480011173.8
申请日：2004-02-25
Applicant: 株式会社上睦可
CPC classification number: C30B15/203 , C30B29/06
Abstract: 在本发明中，在使用在晶体中心部的温度梯度Gc与在晶体外周部的温度梯度Ge相同或比之大的热区结构，采用CZ法生长出无原生缺陷的硅单晶时，向拉晶炉内供给含氢的惰性气体，且在环状氧化诱生层错发生区域在晶体中心部消灭的临界速度附近进行拉晶。根据本发明，环状氧化诱生层错区域在晶体中心部消灭的临界速度提高，原生状态下在晶体径向整个区域中不存在位错簇及空洞缺陷的无原生缺陷的单晶，通过比过去高的速度的拉晶而能生长出。
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公开(公告)号：CN101006206B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200580028656.3
申请日：2005-08-24
Applicant: 株式会社上睦可
IPC: C30B29/06 , C30B15/20 , H01L21/322 , H01L21/324
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/203
Abstract: 该硅片是在含氢的惰性气氛下通过CZ法培育的，是在晶片厚度方向整个区域上、结晶直径方向的整个区域上不含COP和位错簇的完全无生长引入的缺陷的晶片，且晶片整个区域由晶格间硅优势区域构成。该硅单晶培育方法通过在含氢的惰性气氛中提拉硅单晶，扩大PI区域提拉速度的范围，通过在这种PI区域提拉速度范围内进行提拉，使单晶柱体部分成为晶格间硅优势区域。
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公开(公告)号：CN1780940A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200480011173.8
申请日：2004-02-25
Applicant: 株式会社上睦可
CPC classification number: C30B15/203 , C30B29/06
Abstract: 在本发明中，在使用在晶体中心部的温度梯度Gc与在晶体外周部的温度梯度Ge相同或比之大的热区结构，采用CZ法生长出无Grown－in缺陷的硅单晶时，向拉晶炉内供给含氢的惰性气体，且在环状OSF发生区域在晶体中心部消灭的临界速度附近进行拉晶。根据本发明，环状OSF区域在晶体中心部消灭的临界速度提高，原生状态下在晶体径向整个区域中不存在位错簇及COP的无Grown－in缺陷的单晶，通过比过去高的速度的拉晶而能生长出。
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公开(公告)号：CN101054721A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710084192.9
申请日：2007-02-17
Applicant: 株式会社上睦可
IPC: C30B29/06 , C30B15/00 , C30B31/20 , H01L21/208
CPC classification number: C30B15/00 , C30B29/06 , H01L21/261
Abstract: 本发明提供了一种IGBT用硅单晶片，其在结晶径向整个区域中排除了COP缺陷和位错簇，晶格间氧浓度为8.5×1017原子/cm3或以下，晶片面内的电阻率的偏差为5％或以下。本发明还提供该IGBT用硅单晶片的制造方法，其中在氛围气气体中导入以氢气换算分压为40Pa～400Pa的含有氢原子的物质，使硅单晶的提拉速度为能够提拉无生长引入缺陷的硅单晶的速度，育成晶格间氧浓度为8.5×1017原子/cm3或以下的单晶。对提拉后的硅单晶照射中子而掺杂磷；在硅熔融液中添加n型掺杂剂；或在硅熔融液中添加磷，使硅单晶中的磷浓度为2.9×1013原子/cm3～2.9×1015原子/cm3，在硅熔融液中添加偏析系数小于上述磷的p型掺杂剂，根据其偏析系数使其在硅单晶中的浓度为1×1013原子/cm3～1×1015原子/cm3。
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公开(公告)号：CN101006206A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200580028656.3
申请日：2005-08-24
Applicant: 株式会社上睦可
IPC: C30B29/06 , C30B15/20 , H01L21/322 , H01L21/324
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/203
Abstract: 该硅片是在含氢的惰性气氛下通过CZ法培育的，是在晶片厚度方向整个区域上、结晶直径方向的整个区域上不含COP和位错簇的完全无生长引入的缺陷的晶片，且晶片整个区域由晶格间硅优势区域构成。该硅单晶培育方法通过在含氢的惰性气氛中提拉硅单晶，扩大PI区域提拉速度的范围，通过在这种PI区域提拉速度范围内进行提拉，使单晶柱体部分成为晶格间硅优势区域。
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