公开(公告)号：CN100474594C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200580025175.7

申请日：2005-05-25

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 森田悦郎 ,  佐野理太郎 ,  远藤昭彦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/76254 ,  Y10T428/24479

Abstract: 该SOI基板具备由半导体单晶构成的支承基板和经由氧化膜在上述支承基板上贴合并由半导体单晶构成的活性层，上述氧化膜只在上述活性层上形成，只选择使用通过等离子体蚀刻法生成的反应性自由基蚀刻上述活性层表面，由此使上述活性层的厚度在10-200nm的范围内形成，并且使上述活性层整体的膜厚差在1.5nm或以下。

公开(公告)号：CN101071767A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710101162.4

申请日：2007-05-09

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 村上贤史 ,  森本信之 ,  西畑秀树 ,  远藤昭彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/302 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 提供了一种甚至在无氧化物膜晶片中抑制缺陷如空穴或气泡出现的方法，其中将氢离子注入表面上无氧化物膜的活性层晶片以形成氢离子注入层，注入不同于氢的其它离子直到自氢离子注入表面侧的深度比氢离子注入层浅的位置，将活性层晶片层压到支承衬底的晶片上，然后使活性层晶片在氢离子注入层处剥落。

公开(公告)号：CN1989620A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200580025175.7

申请日：2005-05-25

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 森田悦郎 ,  佐野理太郎 ,  远藤昭彦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/76254 ,  Y10T428/24479

Abstract: 该SOI基板具备由半导体单晶构成的支承基板和经由氧化膜在上述支承基板上贴合并由半导体单晶构成的活性层，上述氧化膜只在上述活性层上形成，只选择使用通过等离子体蚀刻法生成的反应性自由基蚀刻上述活性层表面，由此使上述活性层的厚度在10－200nm的范围内形成，并且使上述活性层整体的膜厚差在1.5nm或以下。