公开(公告)号：CN100501922C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200580024663.6

申请日：2005-07-19

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 足立尚志 ,  小松幸夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/26533 ,  H01L21/31662

Abstract: 本发明公开了一种SIMOX基板的制造方法，其中把注入氧离子的硅基板在氩和氧的混合气体气氛下，进行1300～1350℃的热处理而获得SIMOX基板。在氧离子注入后热处理之前，把硅基板在惰性气体或还原性气体或者混合气体气氛中，在温度为1000～1280℃的范围内进行5分钟至4小时的预热处理。注入氧离子的硅基板优选空洞缺陷或COP组成的晶体缺陷密度在1×105cm-3以上，并且晶体缺陷尺寸分布的最大频率在0.12μm以下。进一步优选在预热处理后，把硅基板在惰性气体或还原性气体或者其混合气体气氛中，降温至600～1100℃，然后在氩和氧的混合气体气氛下进行热处理。

公开(公告)号：CN101223641A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200580051051.6

申请日：2005-07-11

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 足立尚志 ,  小松幸夫

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/322

CPC classification number: H01L21/26533 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76243

Abstract: 本发明涉及可以将器件步骤中的重金属污染有效地捕获在基板内部的SIMOX基板的制造方法，其包含向晶片内部注入氧离子的步骤；和在规定气体气氛中、在1300－1390℃下对晶片实施第1热处理而形成埋氧层，同时在晶片表面形成SOI层的步骤；其中注入氧离子之前的晶片具有8×1017－1.8×1018个原子/cm3(旧ASTM)的氧浓度，埋氧层在晶片上整面形成，并包含在规定气体气氛中，将经第1热处理的晶片在400－900℃下进行1－96小时的第2热处理，在比在埋氧层紧邻下方形成的缺陷聚集层更下方的体层中形成氧析出核的步骤；和在规定气体气氛中，将经第2热处理的晶片在比第2热处理温度高的900－1250℃下进行1－96小时的第3热处理，使形成的氧析出核生长为氧析出物的步骤。

公开(公告)号：CN1989592A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200580024663.6

申请日：2005-07-19

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 足立尚志 ,  小松幸夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/26533 ,  H01L21/31662

Abstract: 本发明公开了一种SIMOX基板的制造方法，其中把注入氧离子的硅基板在氩和氧的混合气体气氛下，进行1300～1350℃的热处理而获得SIMOX基板。在氧离子注入后热处理之前，把硅基板在惰性气体或还原性气体或者混合气体气氛中，在温度为1000～1280℃的范围内进行5分钟至4小时的预热处理。注入氧离子的硅基板优选空洞缺陷或COP组成的晶体缺陷密度在1×105cm－3以上，并且晶体缺陷尺寸分布的最大频率在0.12μm以下。进一步优选在预热处理后，把硅基板在惰性气体或还原性气体或者其混合气体气氛中，降温至600～1100℃，然后在氩和氧的混合气体气氛下进行热处理。