公开(公告)号：CN101223641A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200580051051.6

申请日：2005-07-11

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 足立尚志 ,  小松幸夫

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/322

CPC classification number: H01L21/26533 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76243

Abstract: 本发明涉及可以将器件步骤中的重金属污染有效地捕获在基板内部的SIMOX基板的制造方法，其包含向晶片内部注入氧离子的步骤；和在规定气体气氛中、在1300－1390℃下对晶片实施第1热处理而形成埋氧层，同时在晶片表面形成SOI层的步骤；其中注入氧离子之前的晶片具有8×1017－1.8×1018个原子/cm3(旧ASTM)的氧浓度，埋氧层在晶片上整面形成，并包含在规定气体气氛中，将经第1热处理的晶片在400－900℃下进行1－96小时的第2热处理，在比在埋氧层紧邻下方形成的缺陷聚集层更下方的体层中形成氧析出核的步骤；和在规定气体气氛中，将经第2热处理的晶片在比第2热处理温度高的900－1250℃下进行1－96小时的第3热处理，使形成的氧析出核生长为氧析出物的步骤。

公开(公告)号：CN101010805A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200580025113.6

申请日：2005-05-19

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 足立尚志

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/322

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L21/3225

Abstract: 本发明可以有效地将因离子注入或高温热处理而产生的重金属污染捕获到体层内部。该方法包含向晶片11内部注入氧离子的步骤；在规定的气体气氛中，将晶片在1300－1390℃进行第1热处理，形成埋入氧化物层12，同时形成SOI层13的步骤，其中氧离子注入前的晶片具有9×1017－1.8×1018个原子/cm3(旧ASTM)的氧浓度，埋入氧化物层在晶片总体上或局部地形成，并且在氧离子注入步骤前或在氧离子注入步骤和第1热处理步骤之间包含用于在晶片内部形成氧析出核14b的第2热处理步骤和用于使在晶片内部形成的氧析出核14b生长为氧析出物14c的第3热处理步骤。

公开(公告)号：CN1771588A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200480009308.7

申请日：2004-03-15

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 足立尚志

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/22 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67306 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/68757

Abstract: 一种半导体晶片用热处理夹具，是在其上面搭载半导体晶片并进行热处理的圆盘形状的热处理夹具，通过使其厚度在1.0mm以上、100mm以下，且使与所述晶片接触的面的表面粗糙度(Ra值)为0.1μm以上，100μm以下，对在同心圆方向以及直径方向其平坦度进行规定，或者代替所述平坦度，通过多点平面度测定对在各个区域的最大高度进行测定，使与所求出的假想平均值面的差值在50μm以下，从而能够降低因半导体晶片与热处理夹具的粘合而产生的划伤。这样，即使在对自重应力较大的半导体晶片进行热处理的情况下，也能够有效防止划伤的产生，能广泛应用作为稳定的半导体基板用的热处理夹具。

公开(公告)号：CN100543936C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200580019566.8

申请日：2005-06-17

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 足立尚志

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67306 ,  F27D5/0037 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/6732 ,  H01L21/67323

Abstract: 提供一种半导体硅基板用热处理夹具，其接触于半导体硅基板并对其进行保持，并被搭载于纵型热处理炉的热处理舟，其中，夹具形状是环结构或圆板结构，其厚度为1.5mm以上、6.0mm以下，在被搭载于所述热处理舟时的和所述半导体硅基板接触的区域的挠曲变位量在100μm以下，和所述半导体硅基板接触并对其进行保持的夹具的外径在该半导体硅基板的直径的65%以上，和所述半导体硅基板接触的面的表面粗糙度(Ra值)在1.0μm以上、100μm以下。根据该热处理夹具，在有效地降低平滑裂隙的发生的同时，避免基板背面的热氧化膜的成长抑制，能够消除在设备制造的光刻工序中成为散焦的原因的表面阶梯差。由此，能够维持半导体硅基板的高品质，并且可以大幅度地提高设备成品率。

公开(公告)号：CN1989592A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200580024663.6

申请日：2005-07-19

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 足立尚志 ,  小松幸夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/26533 ,  H01L21/31662

Abstract: 本发明公开了一种SIMOX基板的制造方法，其中把注入氧离子的硅基板在氩和氧的混合气体气氛下，进行1300～1350℃的热处理而获得SIMOX基板。在氧离子注入后热处理之前，把硅基板在惰性气体或还原性气体或者混合气体气氛中，在温度为1000～1280℃的范围内进行5分钟至4小时的预热处理。注入氧离子的硅基板优选空洞缺陷或COP组成的晶体缺陷密度在1×105cm－3以上，并且晶体缺陷尺寸分布的最大频率在0.12μm以下。进一步优选在预热处理后，把硅基板在惰性气体或还原性气体或者其混合气体气氛中，降温至600～1100℃，然后在氩和氧的混合气体气氛下进行热处理。

公开(公告)号：CN1969376A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200580019566.8

申请日：2005-06-17

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 足立尚志

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67306 ,  F27D5/0037 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/6732 ,  H01L21/67323

Abstract: 提供一种半导体硅基板用热处理夹具，其接触于半导体硅基板并对其进行保持，并被搭载于纵型热处理炉的热处理舟，其中，夹具形状是环结构或圆板结构，其厚度为1.5mm以上、6.0mm以下，在被搭载于所述热处理舟时的和所述半导体硅基板接触的区域的挠曲变位量在100μm以下，和所述半导体硅基板接触并对其进行保持的夹具的外径在该半导体硅基板的直径的65％以上，和所述半导体硅基板接触的面的表面粗糙度(Ra值)在1.0μm以上、100μm以下。根据该热处理夹具，在有效地降低平滑裂隙的发生的同时，避免基板背面的热氧化膜的成长抑制，能够消除在设备制造的光刻工序中成为散焦的原因的表面阶梯差。由此，能够维持半导体硅基板的高品质，并且可以大幅度地提高设备成品率。

公开(公告)号：CN100517612C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200480009308.7

申请日：2004-03-15

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 足立尚志

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/22 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67306 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/68757

Abstract: 一种半导体晶片用热处理夹具，是在其上面搭载半导体晶片并进行热处理的圆盘形状的热处理夹具，通过使其厚度在1.0mm以上、100mm以下，且使与所述晶片接触的面的表面粗糙度(Ra值)为0.1μm以上，100μm以下，对在同心圆方向以及直径方向其平坦度进行规定，或者代替所述平坦度，通过多点平面度测定对在各个区域的最大高度进行测定，使与所求出的假想平均值面的差值在50μm以下，从而能够降低因半导体晶片与热处理夹具的粘合而产生的划伤。这样，即使在对自重应力较大的半导体晶片进行热处理的情况下，也能够有效防止划伤的产生，能广泛应用作为稳定的半导体基板用的热处理夹具。

公开(公告)号：CN100501922C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200580024663.6

申请日：2005-07-19

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 足立尚志 ,  小松幸夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/26533 ,  H01L21/31662

Abstract: 本发明公开了一种SIMOX基板的制造方法，其中把注入氧离子的硅基板在氩和氧的混合气体气氛下，进行1300～1350℃的热处理而获得SIMOX基板。在氧离子注入后热处理之前，把硅基板在惰性气体或还原性气体或者混合气体气氛中，在温度为1000～1280℃的范围内进行5分钟至4小时的预热处理。注入氧离子的硅基板优选空洞缺陷或COP组成的晶体缺陷密度在1×105cm-3以上，并且晶体缺陷尺寸分布的最大频率在0.12μm以下。进一步优选在预热处理后，把硅基板在惰性气体或还原性气体或者其混合气体气氛中，降温至600～1100℃，然后在氩和氧的混合气体气氛下进行热处理。