公开(公告)号：CN103646848B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201310435963.X

申请日：2005-06-02

Applicant: 伊利诺伊大学评议会

Inventor： R·G·纳佐 ,  J·A·罗杰斯 ,  E·梅纳德 ,  李建宰 ,  姜达荣 ,  孙玉刚 ,  M·梅尔特 ,  朱正涛

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L31/0392 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/76 ,  B81C2201/0185 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/308 ,  H01L21/322 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1896 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80862 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15162 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S977/707 ,  Y10S977/724 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供用于制造可印刷半导体元件并将可印刷半导体元件组装至基片表面上的方法。本发明的方法和设备组件能在含有聚合物材料的基片上产生多种柔性电子和光电子器件以及器件阵列。本发明还提供能在拉伸状态下具有良好性能的可拉伸半导体元件及可拉伸电子器件。

公开(公告)号：CN102881717B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201210404971.3

申请日：2012-10-22

Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司

Inventor： 孙德明

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L21/283 ,  H01L21/322 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提供一种半导体高压器件的保护环结构及其制造方法，其保护环结构包括第一N型单晶硅衬底、第二N型单晶硅衬底、间断的氧化层、金属场板、器件区、多个P+型注入扩散环和等位环；其中，第二N型单晶硅衬底为从第一N型单晶硅衬底上外延一层的N型单晶层；且其掺杂浓度低于第一N型单晶硅衬底。并且，在P+型注入扩散环的内侧，还嵌有零偏压下完全耗尽的N型注入扩散环。因此，在相同的耐压值的情况下，本发明的场板加场限环结构，不仅优化每一个环间距缩，减少了环的数目，节省面积，同时也缩短保护环设计时间。

公开(公告)号：CN103633099B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201310436116.5

申请日：2005-06-02

Applicant: 伊利诺伊大学评议会

Inventor： R·G·纳佐 ,  J·A·罗杰斯 ,  E·梅纳德 ,  李建宰 ,  姜达荣 ,  孙玉刚 ,  M·梅尔特 ,  朱正涛

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L29/76 ,  B81C2201/0185 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/308 ,  H01L21/322 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1896 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80862 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15162 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S977/707 ,  Y10S977/724 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供用于制造可印刷半导体元件并将可印刷半导体元件组装至基片表面上的方法。本发明的方法和设备组件能在含有聚合物材料的基片上产生多种柔性电子和光电子器件以及器件阵列。本发明还提供能在拉伸状态下具有良好性能的可拉伸半导体元件及可拉伸电子器件。

公开(公告)号：CN104160488A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201380001765.0

申请日：2013-03-06

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/322 ,  H01L21/263 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/266 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种正向电压的偏差减少方法，其为减少如下的半导体晶片的正向电压Vf的偏差的方法，所述半导体晶片为N型的半导体晶片，并且在俯视观察半导体晶片时N层中所含有的杂质的密度存在偏差。本说明书所公开的正向电压偏差减少方法为，向N型的半导体晶片照射带电粒子，从而在N层中生成缺陷以减少正向电压的偏差的方法。其中一个方式为，以在俯视观察半导体晶片时根据N层的杂质的密度而使深度方向上的到达位置或照射密度不同的方式，照射带电粒子。例如，以向半导体晶片的中央区域照射的带电粒子的晶片深度方向上的到达位置，与向半导体晶片的边缘区域照射的带电粒子的到达位置相比，较靠近于P型半导体层的方式，照射带电粒子。

公开(公告)号：CN103872180A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410102294.9

申请日：2014-03-19

Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司

Inventor： 洪齐元 ,  黄海

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/322 ,  H01L21/26506 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明涉及一种利用碳离子注入吸杂的方法。包括以下步骤：采用离子注入工艺通过硅片背面裸露层或者硅片背面二氧化硅层注入高能量碳离子，并在硅片的注入层中形成晶体缺陷区；进行退火过程，使晶体缺陷区转变为吸杂区，并捕获所述硅片中的金属离子形成去杂区；采用化学机械研磨方法去除所述去杂区。本发明的离子注入吸杂工艺和光电二极管的制造过程兼容性高，可以很容易的加入到现有技术中，且碳离子注入对器件性能没有副作用，离子注入吸杂过程也不容易污染器件；同时通过对离子注入吸杂的工艺参数进行优化和控制，金属离子吸杂效果好，吸杂后的光电二极管性能有了明显好转，暗电流和白像素明显降低，提高CMOS传感器的成像效果。

公开(公告)号：CN101114593A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710000755.1

申请日：2007-01-19

Applicant: 财团法人电力中央研究所

Inventor： 土田秀一 ,  柳特拉斯·斯特拉斯塔

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/328 ,  H01L29/70

CPC classification number: H01L21/0445 ,  C30B29/36 ,  C30B31/22 ,  H01L21/322 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7325 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明的目的在于提供一种通过高温退火有效地减少或消除载流子俘获中心来提高SiC层质量的方法和通过该方法制造的SiC半导体器件。该通过消除或者减少部分载流子俘获中心提高SiC层质量的方法包括：(a)执行离子注入碳原子、硅原子、氢原子或氦原子到SiC晶体层(E)内的浅表面层(A)中以导入多余的碳间隙到注入的表面层中，及(b)加热该层使导入到表面层中的碳间隙(C)从注入的表面层(A)扩散到本体层(E)中，以及使本体层中的电活性点缺陷失去活性。经过以上步骤后，表面层(A)可以被蚀刻或者机械地去除。根据本发明的半导体器件用该方法制造。

公开(公告)号：CN108885998A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201680081475.5

申请日：2016-11-25

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 古贺祥泰

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/322 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种能够抑制杂质从支撑基板向外延层扩散的外延晶圆的制造方法及外延晶圆。该外延晶圆的制造方法的特征在于，具有：外延层形成工序，在活性层用晶圆(11)的表面上形成外延层(17)；吸杂层形成工序，在支撑基板用晶圆(12)及外延层(17)中的至少一者的内部形成吸杂层(16)，该吸杂层(16)包含有助于吸除重金属的元素；贴合工序，在真空且常温的环境下，对外延层(17)的表面及支撑基板用晶圆(12)的表面实施活化处理而在两个表面上形成非晶层(18)后，隔着两个表面的非晶层(18)将活性层用晶圆(11)与支撑基板用晶圆(12)贴合；以及基板去除工序，将活性层用晶圆(11)去除而露出外延层(17)。

公开(公告)号：CN108496239A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201680074745.X

申请日：2016-12-05

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 门野武 ,  栗田一成

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够在形成外延层后在半导体晶片的表面部使氢的峰值浓度增加的半导体外延晶片的制造方法。本发明的半导体外延晶片的制造方法的特征在于包括：第一工序，对半导体晶片的表面照射含有氢作为构成元素的簇离子，在该半导体晶片的表面部形成含有所述氢的所述簇离子的构成元素固溶而成的改性层；第二工序，在该第一工序之后，对所述半导体晶片照射频率300MHz以上且3THz以下的电磁波而将所述半导体晶片加热；以及第三工序，在该第二工序之后，在所述半导体晶片的所述改性层上形成外延层。

公开(公告)号：CN103975272B

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201280059827.9

申请日：2012-10-05

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： 勇-霍·庄 ,  弗拉基米尔·德里宾斯基

IPC: G02F1/35

CPC classification number: H01L21/3003 ,  C30B29/10 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  G01N21/3563 ,  G01N21/59 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/9501 ,  G01N2021/3568 ,  G01N2021/3595 ,  G01N2021/8477 ,  G01N2021/8822 ,  G01N2201/06113 ,  H01L21/322 ,  H01S3/027 ,  H01S3/094 ,  H01S3/109 ,  H01S3/1666

Abstract: 本发明包括暴露室，其经配置以含纳具有选定氢浓度的钝化气体，所述暴露室进一步经配置以含纳供暴露于所述室内的所述钝化气体的至少一个NLO晶体；钝化气体源，其流体连接到所述暴露室，所述钝化气体源经配置以将钝化气体供应到所述暴露室的内部部分；及衬底，其经配置以将所述NLO晶体固持于所述室内，所述衬底进一步经配置以使所述NLO晶体的温度维持处于或接近选定温度，所述选定温度低于所述NLO晶体的熔化温度。

公开(公告)号：CN106104756A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580013050.6

申请日：2015-02-23

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大槻刚 ,  竹野博

IPC: H01L21/265 ,  G01N23/225 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L22/24 ,  G01N23/2254 ,  G01N2223/3106 ,  G01N2223/6116 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明提供一种半导体基板的评价方法，其是对具有结晶缺陷的半导体基板实施用于修复所述结晶缺陷的缺陷修复热处理的半导体基板的评价方法，其特征在于，以闪光灯退火进行所述缺陷修复热处理，并具有：通过控制所述闪光灯退火的处理条件，对修复途中的半导体基板的结晶缺陷进行测量的工序；以及基于该测量的结果对所述结晶缺陷的修复机制进行解析的工序。由此，提供一种能够对结晶缺陷的修复过程进行评价的半导体基板的评价方法。