公开(公告)号：CN100530557C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610106125.8

申请日：2006-07-19

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 古屋田荣 ,  桥井友裕 ,  村山克彦 ,  高石和成 ,  加藤健夫

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/14

CPC classification number: H01L21/30608 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/6708

Abstract: 根据本发明的刻蚀方法，可将晶片端部的局部形状破坏降至最小程度，而且晶片前表面和晶片端部都能均匀地刻蚀，同时能防止刻蚀剂流到晶片后表面。所提供的单晶片刻蚀方法，在具有平坦前、后表面的单晶片被固定的状态下，将刻蚀剂提供给晶片前表面，并利用水平旋转该晶片产生的离心力刻蚀晶片前表面和前表面侧端部。按此方法，刻蚀剂是分两次或更多次间断性提供给晶片前表面，在提供用于一次处理的刻蚀剂后停止刻蚀剂供应，并在所提供的刻蚀剂从晶片端部流出后再提供用于下次处理的刻蚀剂。

公开(公告)号：CN1917151A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610159243.5

申请日：2006-08-15

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 古屋田荣 ,  桥井友裕 ,  村山克彦 ,  高石和成 ,  加藤健夫

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  C23F1/24

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明的硅晶片的制造方法的特征在于，按顺序包括：利用供给喷嘴向将硅单晶锭切片后得到的单枚薄圆板状的硅晶片的表面供给蚀刻液，通过使上述晶片旋转，将上述供给的蚀刻液扩大到整个晶片表面上进行蚀刻的单片式蚀刻工序(12)；和研磨上述硅晶片的表面的研磨工序(14)，在单片式蚀刻中使用的蚀刻液是酸蚀刻液，上述酸蚀刻液由氢氟酸、硝酸和磷酸构成，是上述氢氟酸、硝酸和磷酸按重量百分比为氢氟酸∶硝酸∶磷酸＝0.5～40％∶5～50％∶5～70％的混合比例含有的水溶液。

公开(公告)号：CN1937179A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610106125.8

申请日：2006-07-19

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 古屋田荣 ,  桥井友裕 ,  村山克彦 ,  高石和成 ,  加藤健夫

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/14

CPC classification number: H01L21/30608 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/6708

Abstract: 根据本发明的刻蚀方法，可将晶片端部的局部形状破坏降至最小程度，而且晶片前表面和晶片端部都能均匀地刻蚀，同时能防止刻蚀剂流到晶片后表面。所提供的单晶片刻蚀方法，在具有平坦前、后表面的单晶片被固定的状态下，将刻蚀剂提供给晶片前表面，并利用水平旋转该晶片产生的离心力刻蚀晶片前表面和前表面侧端部。按此方法，刻蚀剂是分两次或更多次间断性提供给晶片前表面，在提供用于一次处理的刻蚀剂后停止刻蚀剂供应，并在所提供的刻蚀剂从晶片端部流出后再提供用于下次处理的刻蚀剂。

公开(公告)号：CN100435288C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200610159243.5

申请日：2006-08-15

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 古屋田荣 ,  桥井友裕 ,  村山克彦 ,  高石和成 ,  加藤健夫

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  C23F1/24

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明的硅晶片的制造方法的特征在于，按顺序包括：利用供给喷嘴向将硅单晶锭切片后得到的单枚薄圆板状的硅晶片的表面供给蚀刻液，通过使上述晶片旋转，将上述供给的蚀刻液扩大到整个晶片表面上进行蚀刻的单片式蚀刻工序(12)；和研磨上述硅晶片的表面的研磨工序(14)，在单片式蚀刻中使用的蚀刻液是酸蚀刻液，上述酸蚀刻液由氢氟酸、硝酸和磷酸构成，是上述氢氟酸、硝酸和磷酸按重量百分比为氢氟酸∶硝酸∶磷酸=0.5～40%∶5～50%∶5～70%的混合比例含有的水溶液。

公开(公告)号：CN100411110C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200480012603.8

申请日：2004-05-11

Applicant: 株式会社上睦可 ,  学校法人汉阳学院

Inventor： 朴在勤 ,  加藤健夫 ,  李元模 ,  姜贤求 ,  金成准 ,  白云揆

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明公开了可补偿在晶片表面形成的纳米形貌效应的化学机械抛光用浆液组合物以及利用其的半导体元件的表面平坦化方法。本发明的浆液组合物，在对晶片表面形成的氧化物层进行机械化学机械抛光的工序时，在用于补偿纳米形貌效应的化学机械抛光用浆液组合物中，含有抛光粒子和添加剂，为了在上述化学机械抛光工序后将上述氧化物层的厚度偏差(OTD)控制在一定水平以下，上述抛光粒子的尺寸和上述添加剂的浓度最优化为一定的范围内。

公开(公告)号：CN1784771A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200480012603.8

申请日：2004-05-11

Applicant: 株式会社上睦可 ,  学校法人汉阳学院

Inventor： 朴在勤 ,  加藤健夫 ,  李元模 ,  姜贤求 ,  金成准 ,  白云揆

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明公开了可补偿在晶片表面形成的纳米形貌效应的化学机械抛光用浆液组合物以及利用其的半导体元件的表面平坦化方法。本发明的浆液组合物，在对晶片表面形成的氧化物层进行机械化学机械抛光的工序时，在用于补偿纳米形貌效应的化学机械抛光用浆液组合物中，含有抛光粒子和添加剂，为了在上述化学机械抛光工序后将上述氧化物层的厚度偏差(OTD)控制在一定水平以下，上述抛光粒子的尺寸和上述添加剂的浓度最优化为一定的范围内。