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公开(公告)号：CN107924838B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201680046221.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 梁树荣 , 科斯特尔·拜洛 , 葛兰·F·R·吉尔克里斯特 , 维克拉姆·辛 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 理查德·赫尔特 , 艾立克斯恩德·刚特司 , 皮耶罗·斯佛拉佐 , 陈宗良
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H01L21/02
Abstract: 一种处理衬底的装置、处理衬底的系统以及蚀刻衬底的方法。装置可包含：具有安置在处理腔室中的反应气体出口的反应气体源，反应气体出口将第一反应气体引导到衬底；耦合到处理腔室且包含提取板的等离子体腔室，提取板具有沿着第一方向延伸的提取孔隙、安置在处理腔室内以及可在面向反应气体源的第一位置与面向提取孔隙的第二位置之间沿着垂直于第一方向的第二方向移动；以及安置于反应气体出口与提取孔隙之间的气流限制器，气流限制器界定至少等离子体腔室与衬底平台之间的差动泵浦通道。本发明的处理衬底的装置提供较高产出率工艺的能力。
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公开(公告)号：CN107851576B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201680042951.2
申请日：2016-07-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/02 , H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种处理衬底的设备，可包括：提取板，自等离子体室提取等离子体束并将所述等离子体束引导至所述衬底，所述等离子体束可包含相对于所述衬底的平面的垂线而形成非零入射角的离子；以及气体出口系统，安置于所述等离子体室外部，所述气体出口系统耦合至气体源且被配置成将自所述气体源接收的反应气体递送至所述衬底，其中所述反应气体不通过所述等离子体室。本发明还提供一种处理衬底的系统及方法。本发明的处理衬底的设备能够实行对非挥发性金属的蚀刻以形成经图案化特征，同时避免或减少经蚀刻材料在经图案化特征上的再沉积。
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公开(公告)号：CN107851576A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042951.2
申请日：2016-07-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/02 , H01L21/3213
CPC classification number: H01J37/3053 , C23F4/00 , H01J37/08 , H01J37/1471
Abstract: 在一个实施例中，一种处理衬底的设备可包括：提取板，自等离子体室提取等离子体束并将所述等离子体束引导至所述衬底，所述等离子体束可包含相对于所述衬底的平面的垂线而形成非零入射角的离子；以及气体出口系统，安置于所述等离子体室外部，所述气体出口系统耦合至气体源且被配置成将自所述气体源接收的反应气体递送至所述衬底，其中所述反应气体不通过所述等离子体室。
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公开(公告)号：CN102449731B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201080023330.2
申请日：2010-04-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛 , 尹赫云
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L29/66803
Abstract: 本发明提供一种保形地处理具有非平面表面的基底的技术。所述技术包含若干阶段。在第一阶段中，有效地处理所述基底的某些表面。在第二阶段期间，这些表面经处置以限制或消除对这些表面的进一步处理。在第三阶段期间，处理所述基底的其他表面。在某些应用中，在所述第一及第二阶段中处理垂直于或实质上垂直于粒子流的表面，而在所述第三阶段中处理其他表面。在某些实施例中，所述第二阶段包含在所述基底上沉积膜。
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公开(公告)号：CN102428762B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201080020257.3
申请日：2010-04-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H05H1/24 , H05H1/34 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32623 , C23C14/48
Abstract: 一种等离子体处理装置，其包含处理腔室；压板，其定位于处理腔室中，用于支撑工件；源，其经组态以在所述处理腔室中产生等离子体，等离子体具有邻近工件的前表面的等离子体鞘；以及绝缘修改器。绝缘修改器具有间隙以及间隙平面，其中间隙平面由绝缘修改器的最靠近鞘且接近间隙的部分界定。将间隙角度界定为间隙平面与由工件的前表面所界定的平面之间的角度。另外，揭示一种使离子撞击工件的方法，其中撞击工件的离子的入射角范围包含中心角以及角分布，且其中绝缘修改器的使用形成不垂直于工件的中心角。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102971825A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201080051532.8
申请日：2010-11-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 安东尼·雷诺 , 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒 , 约瑟·C·欧尔森 , 维克拉姆·辛 , 詹姆士·布诺德诺 , 迪帕克·瑞曼帕 , 拉塞尔·J·罗 , 阿塔尔·古普塔 , 凯文·M·丹尼尔斯
IPC: H01J37/317 , H01J37/32 , H01L21/265 , H01L21/266 , C23C14/48
CPC classification number: B01J19/081 , H01J37/3171 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32623 , H01J2237/0453 , H01J2237/1205 , H01L21/2236 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/08 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种等离子体处理装置包括等离子体源，所述等离子体源经组态以在等离子体腔室中产生等离子体，以使得所述等离子体含有用于植入至工件中的离子。所述装置亦包含具有孔隙配置的聚焦板配置，所述聚焦板配置经组态以修改接近所述聚焦板的所述等离子体的等离子体外鞘的形状，以使得离开所述孔隙配置的孔隙的离子界定聚焦离子。所述装置还包含与所述聚焦板隔开的含有工件的处理腔室，以使得在所述工件处的所述聚焦离子的固定植入区域实质上比所述孔隙窄。所述装置经组态以藉由在离子植入期间扫描所述工件而在所述工件中形成多个图案化区。
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公开(公告)号：CN102598219A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080046098.4
申请日：2010-10-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛 , 尹赫云 , 海伦·L·梅纳德 , 卢多维克·葛特
IPC: H01L21/265 , H01L21/336 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/321 , H01J37/32706 , H01J37/32834 , H01L29/66803
Abstract: 揭示一种处理具有水平表面以及非水平表面的基材的方法。藉由采用离子植入器，将粒子植入到基材中。在离子植入期间，由于植入处理的性质，可以在表面上沉积薄膜，其中水平表面上的薄膜的厚度较厚。薄膜的出现可能逆向改变基材的特性。为了对此情况进行更正，执行第二处理步骤来移除沉积在水平表面上的薄膜。在一些实施例中，蚀刻处理被用于移除此薄膜。在一些实施例中，材料改性步骤被用于改变组成薄膜的材料的组成物。材料改性步骤可以替代蚀刻处理，或者作为蚀刻处理的附加步骤。
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公开(公告)号：CN102449731A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080023330.2
申请日：2010-04-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛 , 尹赫云
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L29/66803
Abstract: 本发明提供一种保形地处理具有非平面表面的基底的技术。所述技术包含若干阶段。在第一阶段中，有效地处理所述基底的某些表面。在第二阶段期间，这些表面经处置以限制或消除对这些表面的进一步处理。在第三阶段期间，处理所述基底的其他表面。在某些应用中，在所述第一及第二阶段中处理垂直于或实质上垂直于粒子流的表面，而在所述第三阶段中处理其他表面。在某些实施例中，所述第二阶段包含在所述基底上沉积膜。
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公开(公告)号：CN101601118A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200780051063.8
申请日：2007-12-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 具本雄 , 史帝文·R·沃特 , 克里斯多夫·J·里维特 , 贾斯汀·托可 , 玄盛焕 , 提摩太·J·米勒 , 杰·T·舒尔 , 阿塔尔·古普塔 , 维克拉姆·辛 , 戴文·洛吉
CPC classification number: H01J37/32706 , H01J37/32623 , H01L21/67011 , H01L21/67069 , H01L21/68714 , H01L21/68735
Abstract: 一种用于在等离子处理应用期间对半导体晶片提供改良的电性接触的方法与装置。在一实施例中，本装置(100)包括用以支撑晶片的晶片平台(106)以及多个电性接触元件(120)，将多个电性接触元件(120)中的每个配置为提供通道，此通道用于将来自偏压源的偏置电压供应至位于晶片平台(106)上的晶片(102)。并且将多个电性接触元件(120)作几何排列，使得至少一个电性接触元件接触内部表面区域(114)(举例来说，此区域在晶片的中心与约晶片的半径的一半的距离之间)以及至少一个电性接触元件接触外部环形表面区域(116)(举例来说，此区域在晶片的外边缘与约晶片的半径的一半的距离之间)。
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公开(公告)号：CN101595548A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200780050832.2
申请日：2007-12-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32018 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32642 , H01J37/32935 , H01J37/3299
Abstract: 揭示一种在等离子式离子注入中使用改良式遮蔽环的技术。在根据本发明一特定例示实施例中，此技术可实现为等离子式离子注入的装置及方法，例如，射频等离子掺杂(RF－PLAD)。此装置及方法可包括：遮蔽环(244)，其与目标晶片(120)定位于同一平面上并环绕目标晶片(120)的周围，其中遮蔽环包括用于定义出至少一个孔(246)的面积的孔定义装置；法拉第杯(140)，其定位于至少一个孔的下方；以及剂量计数电子设备(142)，其连接法拉第杯，以计算离子剂量率。上述至少一个孔的形状可包括为圆形、弧形、缝状、环状、矩形、三角形以及或椭圆形中的至少一种。孔定义装置可包括硅、碳化硅、碳以及或石墨中的至少一种。
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