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公开(公告)号：CN101765679A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200880100529.3
申请日：2008-06-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 史帝文·R·沃特
CPC classification number: H01J37/32339 , H01J37/32412
Abstract: 一种等离子体掺杂设备包括等离子体源，所述等离子体源产生脉冲的等离子体。压板接近等离子体源而支撑基板以供等离子体掺杂。结构吸附薄膜，所述薄膜在被解吸附时提供多个中性。偏压电源产生偏压波形，所述偏压波形具有将等离子体中的离子吸引至基板以供等离子体掺杂的负电位。辐射源照射吸附在结构上的薄膜，藉此解吸附薄膜且产生多个中性，所述多个中性在来自等离子体的离子被吸引至基板时使离子散射，藉此执行共形等离子体掺杂。
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公开(公告)号：CN101536149B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200780034015.8
申请日：2007-07-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67213 , H01L21/26593 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , H01L21/67248
Abstract: 一种低温离子布植技术。在一特定较佳实施例中，所述技术可表现为低温离子布植装置。该装置可包含预冷站。预冷站靠近离子布植机中的终端站。该装置也可包含位于预冷站内的冷却机构。该装置可更包括与预冷站和终端站相连接的装载组件。所述装置可另包括控制器。控制器与装载组件及冷却机构通信，藉以将晶圆载入预冷站、使晶圆冷却到预定温度范围以及将冷却后的晶圆载入终端站。在终端站中，对冷却后的晶圆进行离子布植制造工艺。
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公开(公告)号：CN101601118A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200780051063.8
申请日：2007-12-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 具本雄 , 史帝文·R·沃特 , 克里斯多夫·J·里维特 , 贾斯汀·托可 , 玄盛焕 , 提摩太·J·米勒 , 杰·T·舒尔 , 阿塔尔·古普塔 , 维克拉姆·辛 , 戴文·洛吉
CPC classification number: H01J37/32706 , H01J37/32623 , H01L21/67011 , H01L21/67069 , H01L21/68714 , H01L21/68735
Abstract: 一种用于在等离子处理应用期间对半导体晶片提供改良的电性接触的方法与装置。在一实施例中，本装置(100)包括用以支撑晶片的晶片平台(106)以及多个电性接触元件(120)，将多个电性接触元件(120)中的每个配置为提供通道，此通道用于将来自偏压源的偏置电压供应至位于晶片平台(106)上的晶片(102)。并且将多个电性接触元件(120)作几何排列，使得至少一个电性接触元件接触内部表面区域(114)(举例来说，此区域在晶片的中心与约晶片的半径的一半的距离之间)以及至少一个电性接触元件接触外部环形表面区域(116)(举例来说，此区域在晶片的外边缘与约晶片的半径的一半的距离之间)。
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公开(公告)号：CN101842911B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200880111831.9
申请日：2008-09-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/03529 , H01L31/068 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 所揭示的是制造太阳能电池的装置及其方法。在具体实施例中，太阳能电池可按照以下步骤来制造：将太阳能电池配置在具有粒子源的处理室中；将图案化组件配置在粒子源与太阳能电池之间，其中此图案化组件包括孔径与组件段；以及选择性地将穿过孔径的第一类型掺质植入太阳能电池的第一区域，其间引进第一区域之外的区域的第一类型掺质被最小化。
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公开(公告)号：CN102246276B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200980149410.X
申请日：2009-12-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 史帝文·R·沃特
IPC: H01L21/265 , H01L21/683 , H01L21/687
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/20 , H01J2237/002 , H01J2237/2001
Abstract: 一种工件冷却系统与方法。将热自工件(离子植入过程中的半导体晶圆)传送离开是不可或缺的。典型地，热被传送至工件支座或平台。在一实施例中，所需的操作温度被决定。基于此，选择具有在所需范围中的蒸汽压(例如10torr至50torr)的气体。此范围必须足够低，以致低于固定力。此可冷凝气体用以填入工件与工件支座之间的空间。基于吸附与去吸附，发生热传送，与传统使用的气体(例如氦气、氢气、氮气、氩气和空气)相比，藉此来提供改进的传送特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101802992A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880107434.4
申请日：2008-09-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/76251 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/201 , H01J2237/202 , H01L21/26506 , H01L21/6835 , H01L2221/68359 , H01L2924/30105
Abstract: 所揭示的是将两个藉由离子植入而活化的基底晶圆键合在一起的方法。原位离子键合室允许在制造流程所使用的现有制程设备中进行离子活化与键合。基底的至少其中之一是在低植入能量下进行离子活化，以确保薄表面层下面的晶圆材料免受离子活化的影响。
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公开(公告)号：CN101111922A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200580047453.9
申请日：2005-12-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/32412 , H01J37/32697 , H01L21/2236
Abstract: 本发明提供一种等离子体离子注入系统，所述系统包含：处理腔室；源，其用于在所述处理腔室中产生等离子体；压板，其用于将衬底固持在所述处理腔室中；注入脉冲源，其经配置以产生用于将来自所述等离子体的离子加速进入所述衬底中的注入脉冲；以及轴向静电约束结构，其经配置以将电子约束在大体上与所述压板的表面正交的方向上。所述约束结构可包含：辅助电极，其与所述压板间隔开；以及偏置源，其经配置从而以相对于所述等离子体的负电位来对所述辅助电极进行偏置。
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公开(公告)号：CN101765679B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200880100529.3
申请日：2008-06-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 史帝文·R·沃特
CPC classification number: H01J37/32339 , H01J37/32412
Abstract: 一种等离子体掺杂设备包括等离子体源，所述等离子体源产生脉冲的等离子体。压板接近等离子体源而支撑基板以供等离子体掺杂。结构吸附薄膜，所述薄膜在被解吸附时提供多个中性。偏压电源产生偏压波形，所述偏压波形具有将等离子体中的离子吸引至基板以供等离子体掺杂的负电位。辐射源照射吸附在结构上的薄膜，藉此解吸附薄膜且产生多个中性，所述多个中性在来自等离子体的离子被吸引至基板时使离子散射，藉此执行共形等离子体掺杂。
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公开(公告)号：CN102246276A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149410.X
申请日：2009-12-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 史帝文·R·沃特
IPC: H01L21/265 , H01L21/683 , H01L21/687
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/20 , H01J2237/002 , H01J2237/2001
Abstract: 一种工件冷却系统与方法。将热自工件(离子植入过程中的半导体晶圆)传送离开是不可或缺的。典型地，热被传送至工件支座或平台。在一实施例中，所需的操作温度被决定。基于此，选择具有在所需范围中的蒸汽压(例如10torr至50torr)的气体。此范围必须足够低，以致低于固定力。此可冷凝气体用以填入工件与工件支座之间的空间。基于吸附与去吸附，发生热传送，与传统使用的气体(例如氦气、氢气、氮气、氩气和空气)相比，藉此来提供改进的传送特性。
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公开(公告)号：CN101842911A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200880111831.9
申请日：2008-09-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/03529 , H01L31/068 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 所揭示的是制造太阳能电池的装置及其方法。在具体实施例中，太阳能电池可按照以下步骤来制造：将太阳能电池配置在具有粒子源的处理室中；将图案化组件配置在粒子源与太阳能电池之间，其中此图案化组件包括孔径与组件段；以及选择性地将穿过孔径的第一类型掺质植入太阳能电池的第一区域，其间引进第一区域之外的区域的第一类型掺质被最小化。
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