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公开(公告)号：CN101432865A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015283.5
申请日：2007-03-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种选择等离子体掺杂过程参数的方法，其包含确定一制法参数数据库以实现至少一个等离子体掺杂条件。根据所述制法参数数据库来确定初始制法参数。执行至少一个等离子体掺杂条件的原位测量。使所述至少一个等离子体掺杂条件的原位测量与至少一个等离子体掺杂结果相关。响应于所述相关而改变至少一个制法参数，以便改进至少一个等离子体掺杂过程性能量度。
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公开(公告)号：CN101371327A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780002657.X
申请日：2007-01-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/30
CPC classification number: H01J37/147 , H01J37/3007 , H01J2237/1501 , H01J2237/152 , H01J2237/30477 , H01J2237/31701
Abstract: 本发明是有关一种用于改善带状离子束的均一性的技术。在一特定例示性实施例中，装置可包含第一修正器条总成以及第二修正器条总成，其中第二修正器条总成位于距第一修正器条总成一段预定距离处。第一修正器条总成中的第一多个线圈中的每一个可经个别地激励以使带状离子束中的至少一细离子束偏转，藉此使细离子束以所要空间扩展来到达第二修正器条总成。第二修正器条总成中的第二多个线圈中的每一个可经个别地激励以使带状离子束中的一个或多个细离子束进一步偏转，藉此使细离子束以所要角度离开第二修正器条总成。
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公开(公告)号：CN101189699B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200680019506.0
申请日：2006-06-07
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/304
CPC classification number: H01L21/26586 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24528 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31703 , H01L29/66803 , H01L29/785
Abstract: 本发明揭露一种用于离子束角度处理控制的技术。在一特定例示性实施例中，技术可实现为一离子注入机系统中的离子束角度处理控制的方法。此方法可包括将多个离子束导向一基板表面处。方法可还包括判定一个或多个离子束撞击基板表面的离子束角度扩散，所述离子束角度扩散由撞击所述基板表面的每一所述离子束的入射角以及本征角度扩散所引起。此方法可更包括基于一所要的离子束扩散调整所述离子束角度扩散以产生所述所要的离子束扩散。
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公开(公告)号：CN101484967B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200780023921.8
申请日：2007-06-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/304 , H01J37/244 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , G01J1/04 , G01J1/0437 , G01J1/0448 , G01J1/4257 , G01J2001/4261 , H01J37/244 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24542 , H01J2237/24578 , H01J2237/30472 , H01J2237/31703
Abstract: 一种束密度量测系统(140)，其包括遮罩(150)、束感测器(142，242)以及致动器(156)。束感测器在束(104，204)的行进方向上位于遮罩下游。束感测器经组态以感测该束的强度，且束感测器具有长维度以及短维度。致动器相对于束感测器而转译遮罩，其中随着相对于束感测器而转译遮罩，遮罩阻断来自束感测器的束的至少一部分，且其中与遮罩相对于束感测器的位置的改变相关联的强度的测得值表示该束在束感测器的长维度所界定的第一方向上的束密度分布。
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公开(公告)号：CN103229288A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180056752.4
申请日：2011-09-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/677 , H01J37/317 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/677 , H01J37/3171 , H01J2237/31711 , H01L21/68735 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明揭示了改良的、低成本的制作基板的方法以创造太阳能电池。此外，还揭示了改良的基板载具。一般用以运载基板的载具被改良，以便来当作图案化植入的遮蔽罩幕。在一些实施例中，各种图案能够利用载具产生而出，使得可藉由改变载具或载具的位置来执行在基板上不同的制程步骤。另外，因为基板对载具的对准是重要的，所以载具可包括对准特征来确保基板能够在载具上适当地定位好。在一些实施例中，重力会被用来支撑在载具上的基板，且因此离子被引导离子以便使离子束向上朝向载具的底侧行进。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102971825A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201080051532.8
申请日：2010-11-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 安东尼·雷诺 , 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒 , 约瑟·C·欧尔森 , 维克拉姆·辛 , 詹姆士·布诺德诺 , 迪帕克·瑞曼帕 , 拉塞尔·J·罗 , 阿塔尔·古普塔 , 凯文·M·丹尼尔斯
IPC: H01J37/317 , H01J37/32 , H01L21/265 , H01L21/266 , C23C14/48
CPC classification number: B01J19/081 , H01J37/3171 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32623 , H01J2237/0453 , H01J2237/1205 , H01L21/2236 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/08 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种等离子体处理装置包括等离子体源，所述等离子体源经组态以在等离子体腔室中产生等离子体，以使得所述等离子体含有用于植入至工件中的离子。所述装置亦包含具有孔隙配置的聚焦板配置，所述聚焦板配置经组态以修改接近所述聚焦板的所述等离子体的等离子体外鞘的形状，以使得离开所述孔隙配置的孔隙的离子界定聚焦离子。所述装置还包含与所述聚焦板隔开的含有工件的处理腔室，以使得在所述工件处的所述聚焦离子的固定植入区域实质上比所述孔隙窄。所述装置经组态以藉由在离子植入期间扫描所述工件而在所述工件中形成多个图案化区。
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公开(公告)号：CN102007601A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200980113415.7
申请日：2009-03-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 保罗·沙利文 , 阿塔尔·古普塔
IPC: H01L31/042 , H01L21/265
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 提供了逆掺杂太阳能电池(特别是叉背接触(IBC)太阳能电池)的方法。在太阳能电池的一表面上，一些部分需要被N掺杂，而其他部分则是被P掺杂。传统上，会需要多道微影和掺杂的步骤以达成所希望的结构。另一方面，可经由进行一个导电率的一整体掺杂和相对的导电率的一罩幕图案化逆掺杂制程而省略一道微影步骤。在罩幕图案化布植中，被掺杂的区域会接收充分的掺杂量以完全逆转整体掺杂的影响，并达成相对于整体掺杂的一导电率。在另一实施例中，逆掺杂是以直接图案化的技术所进行，可省去多余的微影步骤。在本发明中提供多种直接逆掺杂的制程方法。
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公开(公告)号：CN101601118A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200780051063.8
申请日：2007-12-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 具本雄 , 史帝文·R·沃特 , 克里斯多夫·J·里维特 , 贾斯汀·托可 , 玄盛焕 , 提摩太·J·米勒 , 杰·T·舒尔 , 阿塔尔·古普塔 , 维克拉姆·辛 , 戴文·洛吉
CPC classification number: H01J37/32706 , H01J37/32623 , H01L21/67011 , H01L21/67069 , H01L21/68714 , H01L21/68735
Abstract: 一种用于在等离子处理应用期间对半导体晶片提供改良的电性接触的方法与装置。在一实施例中，本装置(100)包括用以支撑晶片的晶片平台(106)以及多个电性接触元件(120)，将多个电性接触元件(120)中的每个配置为提供通道，此通道用于将来自偏压源的偏置电压供应至位于晶片平台(106)上的晶片(102)。并且将多个电性接触元件(120)作几何排列，使得至少一个电性接触元件接触内部表面区域(114)(举例来说，此区域在晶片的中心与约晶片的半径的一半的距离之间)以及至少一个电性接触元件接触外部环形表面区域(116)(举例来说，此区域在晶片的外边缘与约晶片的半径的一半的距离之间)。
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公开(公告)号：CN101484967A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200780023921.8
申请日：2007-06-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/304 , H01J37/244 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , G01J1/04 , G01J1/0437 , G01J1/0448 , G01J1/4257 , G01J2001/4261 , H01J37/244 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24542 , H01J2237/24578 , H01J2237/30472 , H01J2237/31703
Abstract: 一种束密度量测系统(140)，其包括遮罩(150)、束感测器(142，242)以及致动器(156)。束感测器在束(104，204)的行进方向上位于遮罩下游。束感测器经组态以感测该束的强度，且束感测器具有长维度以及短维度。致动器相对于束感测器而转译遮罩，其中随着相对于束感测器而转译遮罩，遮罩阻断来自束感测器的束的至少一部分，且其中与遮罩相对于束感测器的位置的改变相关联的强度的测得值表示该束在束感测器的长维度所界定的第一方向上的束密度分布。
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公开(公告)号：CN102844840B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180015641.9
申请日：2011-02-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 阿塔尔·古普塔 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼
IPC: H01L21/225 , H01L21/265 , H01L21/266
CPC classification number: H01L21/2254 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L31/1804 , Y02P70/521
Abstract: 一种对基板进行掺杂的改良方法。此方法尤其有利于形成指叉型背面接触太阳能电池。将含有第一导电性的掺质的糊剂涂敷在基板的表面上。此糊剂是用作遮罩以执行后续的离子植入步骤，使得具有相反导电性的掺质的离子能够进入到基板的暴露的部位中。植入离子后，可移除遮罩，且可对掺质进行活化。揭示了使用以铝为主和以磷为主的糊剂的方法。
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