-
公开(公告)号：CN101203933A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200680013410.3
申请日：2006-03-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32412 , H01J37/3171 , H01J37/3299 , H01J2237/31705
Abstract: 一种方法及装置是针对提供等离子体掺杂系统中的掺杂剂轮廓调整解决方案以符合浓度及结深度要求。可执行偏压斜线上升及偏压斜线上升率调整以达成所要的掺杂剂轮廓，使得实现对等离子体掺杂系统中的元件缩放是关键的垂直方向及横向上浅并陡的结。
-
公开(公告)号：CN101680087A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200780052552.5
申请日：2007-03-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司 , 东北大学
Inventor： 维克拉姆·辛 , 哈勒德·M·波辛 , 艾德蒙德·J·温德 , 杰弗里·A·后普沃德 , 安东尼·雷诺
IPC: C23C16/24 , C23C16/452 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/24 , C23C16/452 , C23C16/45527 , C23C16/4554
Abstract: 揭示一种原子层沉积技术。在一个特定例示性实施例中，可通过用于原子层沉积的装置来实现此技术。所述装置可包括一处理腔室，其具有一用以固持至少一个基板的基板平台。所述装置亦可包括一前驱物质的供应源，其中前驱物质包括至少一种第一种类的原子以及至少一种第二种类的原子，且其中供应源提供前驱物质以使至少一个基板的表面饱和。所述装置可还包括至少一种第三种类的介稳态原子的等离子源，其中介稳态原子能够自至少一个基板的饱和表面脱附至少一种第二种类的原子以形成至少一种第一种类的一个或多个原子层。
-
公开(公告)号：CN101203933B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680013410.3
申请日：2006-03-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32412 , H01J37/3171 , H01J37/3299 , H01J2237/31705
Abstract: 一种方法及装置是针对提供等离子体掺杂系统中的掺杂剂轮廓调整解决方案以符合浓度及结深度要求。可执行偏压斜线上升及偏压斜线上升率调整以达成所要的掺杂剂轮廓，使得实现对等离子体掺杂系统中的元件缩放是关键的垂直方向及横向上浅并陡的结。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101595548A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200780050832.2
申请日：2007-12-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32018 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32642 , H01J37/32935 , H01J37/3299
Abstract: 揭示一种在等离子式离子注入中使用改良式遮蔽环的技术。在根据本发明一特定例示实施例中，此技术可实现为等离子式离子注入的装置及方法，例如，射频等离子掺杂(RF－PLAD)。此装置及方法可包括：遮蔽环(244)，其与目标晶片(120)定位于同一平面上并环绕目标晶片(120)的周围，其中遮蔽环包括用于定义出至少一个孔(246)的面积的孔定义装置；法拉第杯(140)，其定位于至少一个孔的下方；以及剂量计数电子设备(142)，其连接法拉第杯，以计算离子剂量率。上述至少一个孔的形状可包括为圆形、弧形、缝状、环状、矩形、三角形以及或椭圆形中的至少一种。孔定义装置可包括硅、碳化硅、碳以及或石墨中的至少一种。
-
公开(公告)号：CN101627454B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200880002319.0
申请日：2008-01-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32495 , H01J37/32412 , H01J37/32633
Abstract: 提供一种具有金属腔室壁的等离子腔室(102)的等离子源(100)，此等离子源(100)包括处理气体。介电窗(120、122)将射频信号传送至等离子腔室中。射频信号激发以及离子化处理气体，从而在等离子腔室中形成等离子。等离子腔室衬套(125)定位于等离子腔室内部，并提供等离子腔室内部的遮蔽，以遮蔽离子撞击等离子腔室的金属壁(102′)而溅镀的金属。
-
公开(公告)号：CN101631894A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200780050199.7
申请日：2007-12-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 维克拉姆·辛 , 哈勒德·M·波辛 , 艾德蒙德·J·温德 , 安东尼·雷诺 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯
IPC: C23C16/455 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/22 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/4554 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/3141 , H01L21/3185 , H01L21/32155
Abstract: 一种原子层沉积的技术。在一实施例中，此技术为一种应变薄膜的形成方法。此方法可包括向基板表面供应一种或多种前驱物质，此前驱物质具有至少一第一物种的原子以及至少一第二物种的原子，从而在基板表面上形成一层前驱物质。此方法还包括将基板表面暴露于等离子体产生的第三物种的亚稳态原子，其中亚稳态原子从基板表面脱附所述至少一第二物种的原子，以形成所述至少一第一物种的原子层。通过控制原子层沉积工艺中的一种或多种参数，可达成至少一第一物种的所述原子层内的期望的应力大小。
-
公开(公告)号：CN101627454A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200880002319.0
申请日：2008-01-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32495 , H01J37/32412 , H01J37/32633
Abstract: 提供一种具有金属腔室壁的等离子腔室(102)的等离子源(100)，此等离子源(100)包括处理气体。介电窗(120、122)将射频信号传送至等离子腔室中。射频信号激发以及离子化处理气体，从而在等离子腔室中形成等离子。等离子腔室衬套(125)定位于等离子腔室内部，并提供等离子腔室内部的位点线遮蔽，以遮蔽离子撞击等离子腔室的金属壁(102)而溅镀的金属。
-
公开(公告)号：CN101390187A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200780006845.X
申请日：2007-01-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 哈勒德·M·波辛 , 维克拉姆·辛 , 艾德蒙德·杰阔斯·温德
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明是有关于一种具有低有效天线电压的等离子体浸润离子源，其包括容纳处理气体的腔体，该腔体设有供电磁辐射穿过的介电窗。射频电源供应器产生射频信号。至少一具有降低的有效天线电压的射频天线连接至射频电源供应器。所述的至少一射频天线位于接近介电窗的位置以使射频信号电磁耦合进入腔体以激发并离子化处理气体，从而在腔体内产生等离子体。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.019 seconds)
