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公开(公告)号：CN113097048A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110355098.2
申请日：2017-10-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明提供一种离子源、等离子体室以及调整等离子体的体积的方法。离子源包括：等离子体室，具有在第一端壁与第二端壁之间延伸的纵向轴线；以及射频天线，邻近等离子体室内的等离子体，其中射频天线被配置成向等离子体提供射频能量。离子源可还包括端板，端板邻近第一端壁设置在等离子体室内，端板被沿纵向轴线在第一位置与第二位置之间致动，以调整等离子体的体积。通过提供可致动端板及射频天线，可对等离子体特性进行动态控制以影响离子源特性，例如离子物质的组成，包括亚稳态中性粒子。
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公开(公告)号：CN107710423B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201680038035.1
申请日：2016-06-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 维克拉姆·M·博斯尔 , 提摩太·J·米勒 , 查理斯·T·卡尔森 , 具本雄
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0288 , H05B1/02
Abstract: 本发明公开了一种处理工件的方法及处理工件的装置。所述处理工件的方法，包括在工件已被植入硼之后对所述工件执行短的热处理。此短的热处理可在将工件放置于载具中之前执行。所述短的热处理可使用激光、加热灯或发光二极管来执行。在一些实施例中，加热源安置于装卸室中，且在工件经过处理之后被致动。在其他实施例中，所述加热源安置于输送带上方，所述输送带用以将经处理的工件自装卸室移动至装载/卸载站。
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公开(公告)号：CN101401187A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780008205.2
申请日：2007-03-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J49/40 , H01J37/32935
Abstract: 一种用于监测等离子体中的离子种类的飞行时间离子感测器包括外壳。漂移管定位于所述外壳中。提取器电极在所述外壳中定位于所述漂移管的一第一末端处，以便自等离子体吸引离子。多个电极定位于所述漂移管的一第一末端处并接近所述提取器电极。偏压所述多个电极，以便使被吸引的离子的至少一部分进入所述漂移管，且向所述漂移管的一第二末端漂移。一离子侦测器接近所述漂移管的所述第二末端而定位。所述离子侦测器侦测与所述被吸引离子的所述至少一部分关联的到达时间。
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公开(公告)号：CN109075041B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201680084099.5
申请日：2016-04-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 具本雄 , 维克拉姆·M·博斯尔 , 约翰·A·弗龙梯柔
IPC: H01L21/265 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开一种将加工物质与掺杂剂植入工件的方法及用于工件的设备。出乎意料地，将例如氩或氖等稀有气体引入至离子源腔室可增加所期望的离子物质的百分比，同时减少污染物及含卤素的离子的量。此在未经质量分析的离子植入机中尤其有益，于所述离子植入机中所有离子被植入至工件内。在一个实施例中，将包含加工物质及卤素的第一源气体引入至离子源腔室中，还引入包含氢化物的第二源气体及包含稀有气体的第三源气体。这三种源气体的组合与在不使用第三源气体时所将发生的相比，可产生具有更高百分比的纯加工物质离子的离子束。
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公开(公告)号：CN104508790A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380038609.1
申请日：2013-07-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/24 , H01J37/304 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/026 , H01J37/241 , H01J37/304 , H01J2237/24564
Abstract: 本发明揭示了一种离子植入系统和方法，其中通过在植入机中使用已调变电源系统(230)，来最小化电压中的突波。已调变电源系统包括传统电源(300)以及与各电源相连的控制单元(310)，其中控制单元用于在检测到突波或电弧时通过源开关(321)使电源与电极绝缘，且通过闭合放电开关(331)使得电极上的任何电荷快速消散至接地。随后在突波情况被改善之后，控制单元使电源与电极之间的连接恢复。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102301453A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080005824.8
申请日：2010-02-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 詹姆士·S·贝福 , 史费特那·瑞都凡诺史费特那 , 具本雄 , 威尔汉·P·普拉托 , 法兰克·辛克莱 , 杰弗里·D·里斯查尔 , 奎格·R·钱尼 , 史蒂芬·C·鲍里雪柏史凯 , 捷葛泰普·玫尔 , 艾利克·R·科步 , 肯尼夫·H·普许尔 , 沙杜·佩特尔 , 维克多·M·本夫尼斯特
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J27/024 , H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/304 , H01J2237/0453 , H01J2237/0458 , H01J2237/083 , H01J2237/24542
Abstract: 揭示一种使用高透明电极改善撷取的离子束的品质的技术。在一特定的示例实施例中，技术可以实现为一种用于离子植入的装置。装置可包括用以产生离子束的离子源，离子源包括具有孔径的面板，且离子束行进通过所述孔径。装置亦可包括撷取电极组，撷取电极组包括至少一抑制电极与一高透明接地电极，其中撷取电极组可经由面板从离子源撷取离子束，以及其中高透明接地电极可经组态以最佳化抑制电极与高透明接地电极之间的气体传导，以改善撷取的离子束的品质。
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公开(公告)号：CN102232241A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200980148112.9
申请日：2009-12-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 具本雄 , 维克多·M·本夫尼斯特 , 克里斯多福·A·罗兰德 , 奎格·R·钱尼 , 法兰克·辛克莱 , 奈尔·J·巴森
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J27/022 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J2237/006 , H01J2237/061 , H01J2237/0815 , H01J2237/24514
Abstract: 一种利用受激及/或原子气体注入的离子源。在离子束应用中，可直接使用来源气体，如同已知的供应。另一方面或除此之外，来源气体可在引导至离子源处理室之前藉由通过远端等离子源予以变换。这可用以产生受激中性粒子、重离子、亚稳态分子或多价离子。在另一实施例中，使用多样的气体，其中一种或多种气体通过远端等离子产生器。在某些实施例中，气体在供应给离子源处理室之前于单一等离子产生器中予以组合。在等离子浸没应用中，等离子经由一个或多个额外的气体注入位置注入处理室。这些注入位置容许流入处理室外部的远端等离子源所产生的额外的等离子。
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公开(公告)号：CN109075041A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201680084099.5
申请日：2016-04-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 具本雄 , 维克拉姆·M·博斯尔 , 约翰·A·弗龙梯柔
IPC: H01L21/265 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开一种提高卤素系源气体的离子束品质的设备及各种方法。出乎意料地，将例如氩或氖等稀有气体引入至离子源腔室可增加所期望的离子物质的百分比，同时减少污染物及含卤素的离子的量。此在未经质量分析的离子植入机中尤其有益，于所述离子植入机中所有离子被植入至工件内。在一个实施例中，将包含加工物质及卤素的第一源气体引入至离子源腔室中，还引入包含氢化物的第二源气体及包含稀有气体的第三源气体。这三种源气体的组合与在不使用第三源气体时所将发生的相比，可产生具有更高百分比的纯加工物质离子的离子束。
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公开(公告)号：CN108475609A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680074896.5
申请日：2016-12-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/08
Abstract: 本发明公开了一种具有经改善的温度控制的离子源。离子源的一部分位于散热器中的凹腔内，其中离子源的一部分以及凹腔分别塑形以使得离子源的膨胀导致与散热器发生高压热接触。举例来说，离子源可具有锥形的柱体端，锥形的柱体端适配于散热器中的凹腔内。离子源的热膨胀导致锥形的柱体端压靠在散热器的凹腔内。通过恰当地选择散热器的温度、经过散热器的冷却剂流体的温度及流量、以及散热器与离子源之间的间隙的尺寸，离子源的温度可得到控制。
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公开(公告)号：CN105378896B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201480039222.2
申请日：2014-07-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约翰·W·奎夫 , 具本雄 , 约翰·A·弗龙梯柔 , 尼可拉斯·PT·贝特曼 , 提摩西·J·米勒 , 维克拉姆·M·博斯尔
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种将掺质植入工件中的方法。在一些离子植入系统中，来自离子源的污染物与期望的离子一同被提取，而引入污染物至工件。这些污染物可能是离子源腔室中的杂质。当不进行提取的离子束的质量分析时，这个问题会变严重，而当期望的馈入气体包括卤素时，这个问题会变得更严重。将稀释气体引入离子源腔室中可减少腔室内表面上的卤素的有害影响，以减少提取的离子束中的污染物。在一些实施例中，所述稀释气体可以是锗烷或硅烷。
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