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公开(公告)号：CN102099899A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980128331.0
申请日：2009-07-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 爱德温·A·阿雷瓦洛
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01J2237/31701 , H01L21/26513
Abstract: 一种等离子体掺杂方法，包括提供包括掺质重卤化物气体的掺质气体至等离子体室。于所述等离子体室中，使用所述掺质重卤化物气体形成等离子体，以及所述等离子体产生适当的掺质离子与前驱掺质分子的重碎片。对所述等离子体室中的基底施加偏压，使得所述适当的掺质离子会以适当的离子能量撞击所述基底，从而将所述适当的掺质离子与所述前驱掺质分子的重碎片植入所述基底，其中至少选择所述离子能量与所述掺质重卤化物组成中的一者，使得所述基底中的植入轮廓实质上由所述适当的掺质离子决定。
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公开(公告)号：CN101821836A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880110355.9
申请日：2008-09-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32706 , H01J37/32623 , H01J37/32935
Abstract: 一种等离子体处理装置，包括：制程室；源，配置成在制程室内产生等离子体，以及压盘，配置成在制程室内支撑工件。压盘由具有脉冲ON时间周期及脉冲OFF时间周期的脉冲压盘信号来偏置，以在脉冲ON时间周期并且不在脉冲OFF时间周期内朝向工件加速来自等离子体的离子。板状物定位于制程室内。板状物由板状物信号来偏置，以在脉冲压盘信号的脉冲OFF时间周期之一的至少一部份周期内朝向板状物加速来自等离子体的离子，引起从板状物的二次电子发射，以至少部份地中和工件上的电荷积聚。
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公开(公告)号：CN102598219B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201080046098.4
申请日：2010-10-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛 , 尹赫云 , 海伦·L·梅纳德 , 卢多维克·葛特
IPC: H01L21/265 , H01L21/336 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/321 , H01J37/32706 , H01J37/32834 , H01L29/66803
Abstract: 揭示一种处理具有水平表面以及非水平表面的基材的方法。藉由采用离子植入器，将粒子植入到基材中。在离子植入期间，由于植入处理的性质，可以在表面上沉积薄膜，其中水平表面上的薄膜的厚度较厚。薄膜的出现可能逆向改变基材的特性。为了对此情况进行更正，执行第二处理步骤来移除沉积在水平表面上的薄膜。在一些实施例中，蚀刻处理被用于移除此薄膜。在一些实施例中，材料改性步骤被用于改变组成薄膜的材料的组成物。材料改性步骤可以替代蚀刻处理，或者作为蚀刻处理的附加步骤。
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公开(公告)号：CN101978476B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200980109802.3
申请日：2009-02-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 戴文·M·洛吉 , 卢多维克·葛特 , 伯纳德·G·琳赛 , 提摩太·J·米勒 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯
IPC: H01L21/265
CPC classification number: C23C14/48 , C23C14/54 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J37/3299
Abstract: 一种利用一飞行时间离子侦测器来控制一等离子体掺杂制程的方法包括于一等离子体腔中产生一包含多个掺杂离子的等离子体，等离子体接近一平台，平台承载一基板。利用一偏压波形偏压该平台，偏压波形具有一负电位，负电位将等离子体中的离子吸引至基板，以进行等离子体掺杂。利用一飞行时间离子侦测器来量测等离子体中出现的离子的谱，其中该谱为离子重量的函数。以法拉第量测系统来测定撞击该基板的离子总数。由所量测的离子的谱来判定一布植曲线。由所测定的离子总数和所算出的布植曲线来判定一积分剂量。依据所算出的该积分剂量来修改至少一等离子体掺杂参数。
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公开(公告)号：CN102449731B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201080023330.2
申请日：2010-04-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛 , 尹赫云
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L29/66803
Abstract: 本发明提供一种保形地处理具有非平面表面的基底的技术。所述技术包含若干阶段。在第一阶段中，有效地处理所述基底的某些表面。在第二阶段期间，这些表面经处置以限制或消除对这些表面的进一步处理。在第三阶段期间，处理所述基底的其他表面。在某些应用中，在所述第一及第二阶段中处理垂直于或实质上垂直于粒子流的表面，而在所述第三阶段中处理其他表面。在某些实施例中，所述第二阶段包含在所述基底上沉积膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103597114A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280028774.4
申请日：2012-04-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 卢多维克·葛特
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45542 , C23C16/45551
Abstract: 用于沉积涂层的装置可包括：第一处理腔室，架构成用以在第一时期期间于基板上沉积第一反应物来作为反应物层。第二处理腔室可架构成在第二时间下引导离子入射至基板上，且可架构成在第二时期期间于基板上沉积第二反应物，其中第二反应物经组态以与反应物层反应。
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公开(公告)号：CN102598219A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080046098.4
申请日：2010-10-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛 , 尹赫云 , 海伦·L·梅纳德 , 卢多维克·葛特
IPC: H01L21/265 , H01L21/336 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/321 , H01J37/32706 , H01J37/32834 , H01L29/66803
Abstract: 揭示一种处理具有水平表面以及非水平表面的基材的方法。藉由采用离子植入器，将粒子植入到基材中。在离子植入期间，由于植入处理的性质，可以在表面上沉积薄膜，其中水平表面上的薄膜的厚度较厚。薄膜的出现可能逆向改变基材的特性。为了对此情况进行更正，执行第二处理步骤来移除沉积在水平表面上的薄膜。在一些实施例中，蚀刻处理被用于移除此薄膜。在一些实施例中，材料改性步骤被用于改变组成薄膜的材料的组成物。材料改性步骤可以替代蚀刻处理，或者作为蚀刻处理的附加步骤。
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公开(公告)号：CN102449731A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080023330.2
申请日：2010-04-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛 , 尹赫云
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L29/66803
Abstract: 本发明提供一种保形地处理具有非平面表面的基底的技术。所述技术包含若干阶段。在第一阶段中，有效地处理所述基底的某些表面。在第二阶段期间，这些表面经处置以限制或消除对这些表面的进一步处理。在第三阶段期间，处理所述基底的其他表面。在某些应用中，在所述第一及第二阶段中处理垂直于或实质上垂直于粒子流的表面，而在所述第三阶段中处理其他表面。在某些实施例中，所述第二阶段包含在所述基底上沉积膜。
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公开(公告)号：CN101978476A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109802.3
申请日：2009-02-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 戴文·M·洛吉 , 卢多维克·葛特 , 伯纳德·G·琳赛 , 提摩太·J·米勒 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯
IPC: H01L21/265
CPC classification number: C23C14/48 , C23C14/54 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J37/3299
Abstract: 一种利用一飞行时间离子侦测器来控制一等离子体掺杂制程的方法包括于一等离子体腔中产生一包含多个掺杂离子的等离子体，等离子体接近一平台，平台承载一基板。利用一偏压波形偏压该平台，偏压波形具有一负电位，负电位将等离子体中的离子吸引至基板，以进行等离子体掺杂。利用一飞行时间离子侦测器来量测等离子体中出现的离子的谱，其中该谱为离子重量的函数。以法拉第量测系统来测定撞击该基板的离子总数。由所量测的离子的谱来判定一布植曲线。由所测定的离子总数和所算出的布植曲线来判定一积分剂量。依据所算出的该积分剂量来修改至少一等离子体掺杂参数。
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公开(公告)号：CN103597114B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201280028774.4
申请日：2012-04-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 卢多维克·葛特
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45542 , C23C16/45551
Abstract: 一种沉积涂层的装置与在基板上沉积共形膜的方法。用于沉积涂层的装置可包括：第一处理腔室，架构成用以在第一时期期间于基板上沉积第一反应物来作为反应物层。第二处理腔室可架构成在第二时间下引导离子入射至基板上，且可架构成在第二时期期间于基板上沉积第二反应物，其中第二反应物经组态以与反应物层反应。
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