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公开(公告)号：CN110088873A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780078300.3
申请日：2017-11-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 杰伊·R·沃利斯 , 厄尼斯特·E·艾伦 , 理查德·J·赫尔特 , 艾立克斯恩德·C·刚特司 , 梁树荣 , 杰佛瑞·E·卡兰波特 , 泰勒·洛克威尔
IPC: H01J37/32 , H01J37/02 , H01J37/305
Abstract: 一种气体注入系统包括萃取板，所述萃取板具有萃取开孔以允许离子束通过所述萃取板，所述萃取板还具有气体狭槽以从所述萃取板逐出残余物移除气体。气体注入系统可包括气体导管及气体源，所述气体导管在气体狭槽与气体歧管之间延伸穿过萃取板，气体源与气体歧管流体连通地连接，所述气体源容纳残余物移除气体。气体歧管可包括能够在第一位置与第二位置之间调节的阀门，在所述第一位置中允许残余物移除气体流动到萃取板中，在所述第二位置中所述残余物移除气体可从所述萃取板排出。气体注入系统还可包括耦合到气体歧管的歧管罩。
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公开(公告)号：CN104380492B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201380033033.X
申请日：2013-04-29
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 艾立克斯恩德·C·刚特司 , 丝特芬·舍曼 , 约翰·J·哈塔拉 , 赛门·罗芙尔
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种磁性存储器以及制造方法。形成磁性存储器的方法包含：在衬底的基底部分上提供包括多个磁性层和多个导电层的层堆叠；在第一保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第一掩模特征且在第二保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第二掩模特征，所述第一掩模特征和第二掩模特征在其间界定层堆叠的部分中的层堆叠的暴露区域；以及在离子暴露中朝向层堆叠的暴露区域引导离子，所述离子暴露有效地在不移除层堆叠的暴露区域的情况下使第一保护区域与第二保护区域磁隔离并且使第一保护区域与第二保护区域电隔离。
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公开(公告)号：CN104380492A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380033033.X
申请日：2013-04-29
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 艾立克斯恩德·C·刚特司 , 丝特芬·舍曼 , 约翰·J·哈塔拉 , 赛门·罗芙尔
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L43/12
Abstract: 一种形成磁性存储器的方法包含：在衬底的基底部分上提供包括多个磁性层和多个导电层的层堆叠；在第一保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第一掩模特征且在第二保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第二掩模特征，所述第一掩模特征和第二掩模特征在其间界定层堆叠的部分中的层堆叠的暴露区域；以及在离子暴露中朝向层堆叠的暴露区域引导离子，所述离子暴露有效地在不移除层堆叠的暴露区域的情况下使第一保护区域与第二保护区域磁隔离并且使第一保护区域与第二保护区域电隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104094349A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201280068868.4
申请日：2012-12-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 法兰克·辛克莱 , 艾立克斯恩德·C·刚特司 , 拉杰许·都蕾
CPC classification number: G11B5/127 , B82Y10/00 , G01Q80/00 , G11B5/02 , G11B5/1278 , G11B5/746 , G11B9/1409 , G11B2005/0002
Abstract: 磁性存储装置的写入头包含写入尖端，写入尖端包括磁性材料；写入脉冲发生器，写入脉冲发生器经配置以产生包括在磁性存储装置与写入尖端之间的变化的偏压的写入脉冲信号。写入脉冲信号包括一个或多个写入脉冲，写入脉冲有效地使电子从写入尖端隧穿到磁性存储装置中。数据流发生器经配置以向写入尖端提供数据流信号，其中数据流信号可操作以将电子中的自旋极性从第一极性改变成第二极性。
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公开(公告)号：CN107851576B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201680042951.2
申请日：2016-07-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/02 , H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种处理衬底的设备，可包括：提取板，自等离子体室提取等离子体束并将所述等离子体束引导至所述衬底，所述等离子体束可包含相对于所述衬底的平面的垂线而形成非零入射角的离子；以及气体出口系统，安置于所述等离子体室外部，所述气体出口系统耦合至气体源且被配置成将自所述气体源接收的反应气体递送至所述衬底，其中所述反应气体不通过所述等离子体室。本发明还提供一种处理衬底的系统及方法。本发明的处理衬底的设备能够实行对非挥发性金属的蚀刻以形成经图案化特征，同时避免或减少经蚀刻材料在经图案化特征上的再沉积。
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公开(公告)号：CN110088873B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201780078300.3
申请日：2017-11-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 杰伊·R·沃利斯 , 厄尼斯特·E·艾伦 , 理查德·J·赫尔特 , 艾立克斯恩德·C·刚特司 , 梁树荣 , 杰佛瑞·E·卡兰波特 , 泰勒·洛克威尔
IPC: H01J37/32 , H01J37/02 , H01J37/305
Abstract: 公开一种用于离子束装置的气体注入系统及制造其的萃取板的方法。所述气体注入系统包括萃取板，所述萃取板具有萃取开孔以允许离子束通过所述萃取板，所述萃取板还具有气体狭槽以从所述萃取板逐出残余物移除气体。气体注入系统可包括气体导管及气体源，所述气体导管在气体狭槽与气体歧管之间延伸穿过萃取板，气体源与气体歧管流体连通地连接，所述气体源容纳残余物移除气体。气体歧管可包括能够在第一位置与第二位置之间调节的阀门，在所述第一位置中允许残余物移除气体流动到萃取板中，在所述第二位置中所述残余物移除气体可从所述萃取板排出。气体注入系统还可包括耦合到气体歧管的歧管罩。
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公开(公告)号：CN107851576A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042951.2
申请日：2016-07-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/02 , H01L21/3213
CPC classification number: H01J37/3053 , C23F4/00 , H01J37/08 , H01J37/1471
Abstract: 在一个实施例中，一种处理衬底的设备可包括：提取板，自等离子体室提取等离子体束并将所述等离子体束引导至所述衬底，所述等离子体束可包含相对于所述衬底的平面的垂线而形成非零入射角的离子；以及气体出口系统，安置于所述等离子体室外部，所述气体出口系统耦合至气体源且被配置成将自所述气体源接收的反应气体递送至所述衬底，其中所述反应气体不通过所述等离子体室。
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公开(公告)号：CN104094349B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280068868.4
申请日：2012-12-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 法兰克·辛克莱 , 艾立克斯恩德·C·刚特司 , 拉杰许·都蕾
CPC classification number: G11B5/127 , B82Y10/00 , G01Q80/00 , G11B5/02 , G11B5/1278 , G11B5/746 , G11B9/1409 , G11B2005/0002
Abstract: 磁性存储装置的写入头包含写入尖端，写入尖端包括磁性材料；写入脉冲发生器，写入脉冲发生器经配置以产生包括在磁性存储装置与写入尖端之间的变化的偏压的写入脉冲信号。写入脉冲信号包括一个或多个写入脉冲，写入脉冲有效地使电子从写入尖端隧穿到磁性存储装置中。数据流发生器经配置以向写入尖端提供数据流信号，其中数据流信号可操作以将电子中的自旋极性从第一极性改变成第二极性。
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