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公开(公告)号：CN101088138A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200580044839.4
申请日：2005-11-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/12
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/047 , H01J2237/12
Abstract: 一种在减速模式过程中离子注入机的加速－减速管(240)的强聚焦效应的弱化装置及方法。该装置包括一管透镜(250)，围绕离子束(104)，并与加速－减速管(240)的减速透镜(260)相邻。该管透镜使离子束(104)在管透镜(250)的入口处散焦，从而减少由管产生的离子散焦问题。本发明也包括一加速－减速管以及与管透镜成为一体的离子注入机。在管透镜(250)中后续还可添加另外的减速抑制电极(270)，将电子限制在管透镜内。
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公开(公告)号：CN117524823A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311476800.6
申请日：2019-06-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·汉特曼 , 彼得·F·库鲁尼西 , 克里斯多福·A·罗兰德 , 约瑟·C·欧尔森 , 安东尼·雷诺
IPC: H01J37/317 , H01J37/08 , H01J37/32 , H01L21/265 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开一种离子植入及沉积材料及刻蚀及处理工件的方法，所述方法使用的处理系统具有辅助等离子源，所述辅助等离子源靠近工件设置、与离子束一起使用。辅助等离子源用于产生离子及自由基，所述离子及自由基朝工件漂移且可形成膜。接着，离子束用于提供能量，使得所述离子及自由基可处理工件。此外，还公开所述系统的各种应用。举例来说，所述系统可用于包括沉积、植入、刻蚀、预处理及后处理在内的各种工艺。通过将辅助等离子源定位成接近工件，可执行先前不可能实现的工艺。此外，可在不从终端站取出工件的情况下执行两种不同的工艺，例如清洁与植入或植入与钝化。
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公开(公告)号：CN104885186A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380049073.3
申请日：2013-08-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/16 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32165 , H01J37/32422 , H01J2237/0817 , H01J2237/31706
Abstract: 一种宽离子束源(10)包括多个射频窗(26，18，30)，以预设关系布置；单一等离子体腔体(12)，配置在多个射频窗的第一侧；多个射频天线(20，22，24)，每一多个射频天线配置在各别的每一多个射频窗的第二侧，而且第二侧相对于第一侧；以及多个射频源(14，16，18)，每一多个射频源耦接于各别的每一多个射频天线，其中藉由耦接于第一射频天线的第一射频源产生的第一射频信号及藉由耦接于与第一射频天线相邻的一射频天线的第二射频源产生的第二射频信号之间的频率差异大于10千赫兹。
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公开(公告)号：CN104011826A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201280064441.7
申请日：2012-11-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/20 , H01J37/302 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/20 , H01J37/3023 , H01J37/3171 , H01J2237/024 , H01J2237/31711 , H01L21/266 , H01L21/67213 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 离子植入机(100)的一实施例包括：离子源(101)及处理腔室(102)。此处理腔室连接至离子源并藉由多个提取电极(114)与离子源分离。载具(201)固持多个工件(202)。屏蔽装载器(205)位于处理腔室中且使屏蔽(203)与载具连接。传送腔室(104)及加载锁(105、106)可与处理腔室连接。此离子植入机装配成对工件进行毯覆式或选择性植入。
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公开(公告)号：CN101952942B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200980105055.6
申请日：2009-02-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/304 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/24542
Abstract: 揭示一种侦测粒子束特性的装置及其方法。在一实施例中，装置可以具有包括第一端与第二端的主体以及位于第一端与第二端之间的至少一侦测器。装置可以具有透明度状态，也就是进入装置的一部分的粒子可以通过装置的状态。装置也可以具有最小透明度状态，也就是进入装置的实质上所有粒子可以避免通过装置且被侦测的状态。可以通过转动装置或包含于装置中的侦测器来达到不同的透明度状态。有可能使用此装置来侦测粒子束特性，诸如粒子束强度、角度、平行度以及粒子束中的粒子的分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103119688A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180045304.4
申请日：2011-09-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/10 , H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/21 , H01J2237/216 , H01J2237/24405 , H01J2237/24528 , H01J2237/24542
Abstract: 一种束线式离子植入机，包括：离子源，其被配置为用以产生离子束；扫描器，其被配置为用以对离子束进行扫描，从而产生具有从扫描起点向外发散的轨迹的被扫描离子束；以及聚焦元件，其具有聚焦场，位于扫描器的上游，被配置为用以使离子束聚焦于位于扫描起点处的焦点。一种离子束调整方法包括：产生离子束；使离子束聚焦于位于扫描起点处的焦点；以及对离子束进行扫描，以产生具有从扫描起点向外发散的轨迹的被扫描离子束。
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公开(公告)号：CN101925982B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200880125723.7
申请日：2008-12-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: G21K5/10 , H01L21/68764
Abstract: 本发明包括具有以前不能实现的角度精度的用于高倾斜角度注入的方法。具有宽度维度和高度维度的离子束由许多单个的小射束组成。这些小射束通常在这两个维度中的一者内显示了更高的平行度。因此，为了最小化角度误差，工件绕实质上垂直于具有更高平行度的维度的轴倾斜。然后，工件在高倾斜角度被注入且绕正交于工件表面的直线旋转。此方法可被重复直至高倾斜注入已经在所有所需的区域实施。
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公开(公告)号：CN102203914A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980143988.4
申请日：2009-11-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 维克多·M·本夫尼斯特 , 詹姆士·S·贝福 , 法兰克·辛克莱 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/05 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J49/30 , H01J2237/022 , H01J2237/055 , H01J2237/057 , H01J2237/083 , H01J2237/31705
Abstract: 一种带状离子束质量分析器，具有第一螺线管线圈、第二螺线管线圈以及钢质磁轭配置。每个螺线管线圈具有大致的“轨道”组态，界定了一个可供带状离子束从中穿行的空间。这两个螺线管线圈沿着带状离子束的穿行方向而分开。每个螺线管线圈产生均匀的磁场，供较宽的带状离子束进行质量解析，以产生想要的离子图像，其中离子是由离子源产生的。
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公开(公告)号：CN101189696B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200680019884.9
申请日：2006-06-07
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/1477 , H01J37/3171 , H01J2237/1507 , H01J2237/3045 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31703 , H01L21/26586
Abstract: 本发明揭示一种用于离子束角度扩散控制的技术。在一特定例示性实施例中，技术可实现为离子束角度扩散控制的方法。此方法可包括将一或多个离子束以两个或两个以上不同入射角导向一基板表面处，藉此使基板表面暴露于离子束入射角的一受控扩散中。
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公开(公告)号：CN101925982A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200880125723.7
申请日：2008-12-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/30 , H01J37/36
CPC classification number: G21K5/10 , H01L21/68764
Abstract: 本发明包括具有以前不能实现的角度精度的用于高倾斜角度注入的方法。具有宽度维度和高度维度的离子束由许多单个的小射束组成。这些小射束通常在这两个维度中的一者内显示了更高的平行度。因此，为了最小化角度误差，工件绕实质上垂直于具有更高平行度的维度的轴倾斜。然后，工件在高倾斜角度被注入且绕正交于工件表面的直线旋转。此方法可被重复直至高倾斜注入已经在所有所需的区域实施。
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