公开(公告)号：CN112687644B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202011489643.9

申请日：2020-12-16

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 尚敬 ,  常桂钦 ,  黄建新 ,  罗海辉 ,  彭勇殿 ,  吴义伯 ,  窦泽春 ,  杨进峰

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/367 ,  H01L25/11 ,  H01R9/24

Abstract: 本发明提供一种具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，包括：散热器、衬板、PCB电路、端子以及低感复合母排，衬板与所述散热器互联，衬板上布置有所述PCB电路和端子，低感复合母排与所述端子连接；低感复合母排包括：相对设置的半桥IGBT器件的DC+级和半桥IGBT器件的DC‑级、以及设置在半桥IGBT器件的DC+和半桥IGBT器件的DC‑级的一侧的半桥IGBT器件的AC级。本发明集成低感复合母排，IGBT器件更为紧凑，空间占用少，能有效降低器件因连接产生的接触热阻和电阻；低感复合母排设计自由度大，寄生参数较小；由该型器件组装而成的功率组件，空间排布的自由度大，寄生参数也可以减小；杂散电感低，电流路径短，能有效降低芯片所受的应力，有利于提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN112635404B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202011355642.5

申请日：2020-11-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 李寒 ,  罗海辉 ,  李星峰 ,  石廷昌 ,  常桂钦 ,  彭勇殿 ,  吴义伯 ,  曾雄 ,  张文浩

IPC: H01L23/04 ,  H01L21/52 ,  H05K1/18

Abstract: 本发明涉及一种功率子模块、其制作方法以及转模压接式功率模块，涉及电力电子技术领域，用于解决结构复杂、封装可靠性较差的技术问题。本发明的功率子单元包括绝缘胶框以及芯片，由于绝缘胶框是用胶体在所述芯片组件上以直接转模的方式而形成，避免了现有技术中将单个的芯片、上钼片和下钼片等部件逐一地放入侧框中并对其一一进行定位的多道工序，因此不仅简化了定位工序；还由于绝缘胶框为一体形成的，因此其并不存在装配缝隙，也无需后续的涂胶处理，从而也简化了涂胶工序，因此本发明的功率子单元的工序简单易操作；并且使功率子单元能够实现功率子单元一体化绝缘的保护方式，从而保证良好的绝缘效果和封装可靠性。

公开(公告)号：CN116613156A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310524487.2

申请日：2023-05-10

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 常桂钦 ,  李想 ,  罗海辉 ,  秦光远 ,  王彦刚 ,  肖强 ,  彭勇殿

IPC: H01L25/18 ,  H01L25/07 ,  H01L23/485 ,  H01L23/367 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装结构，包括基板以及均布在所述基板上的多个衬板，所述衬板上具有多个金属层。多个所述衬板形成在所述基板上并列分布且彼此并联的多个功能单元，每个所述功能单元均包括两个相对设置的所述衬板，同一个所述功能单元中的两个所述衬板上的所述金属层的布局结构关于所述功能单元的中心中心对称，多个所述功能单元的所述金属层的布局结构以及相对所述基板的布局方位相同。本发明通过设计封装结构中的衬板、芯片的布局，以及改进键合结构和功率端子的结构，能够实现各种功率容量的低电感封装。

公开(公告)号：CN116053233A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202211656951.5

申请日：2022-12-22

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 常桂钦 ,  张文浩 ,  李寒 ,  罗海辉 ,  石廷昌 ,  彭勇殿 ,  李亮星 ,  李星峰

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明提供压接式子模组及压接式IGBT模块，其中该子模组包括发射极板、一体式旁路结构、导电弹性支撑部件、导电柱和上钼板，其中，一体式旁路结构设置在发射极板与导电柱之间以形成第一通流路径，导电弹性支撑部件位于一体式旁路结构内，导电柱位于一体式旁路结构与上钼板之间，并且导电柱与导电弹性支撑部件对应连接以传导电流形成第二通流路径。本发明中导电弹性支撑部件在受压形变到位后彼此间可以形成良好的电基础以传导电流，在提升传统通流路径的基础上新增基于导电弹性支撑部件的通流路径，既维持了基于弹性支撑部件的柔性技术路线，又在对通流路径合理优化的基础上显著增加了模块的失效通流能力。

公开(公告)号：CN114220774A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111539832.7

申请日：2021-12-15

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 李星峰 ,  石廷昌 ,  罗海辉 ,  常桂钦 ,  彭勇殿 ,  李寒 ,  张文浩

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/492 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明涉及一种子模块结构和压接式功率模块。其中子模块结构包括下导电基板、至少一个芯片、至少一个金属垫块、侧框绝缘胶层和塑料侧框；所述至少一个芯片通过其上下表面焊接在至少一个金属垫块和下导电基板之间；所述塑料侧框为镂空结构，且置于所述至少一个芯片之上；所述侧框绝缘胶层涂覆于所述至少一个芯片的边缘与所述塑料侧框之间，实现对所述至少一个芯片的绝缘保护。上述方案中多个芯片与下导电基板通过一次焊接完成，优化了封装工艺，简化了封装流程，提升效率，降低制造成本；且多芯片采用一次焊接工艺实现并联，焊接一致性较好，模组化程度高，便于统一测试；由于采用侧框涂胶工艺，简化了侧框结构，提高了绝缘保护可靠性。

公开(公告)号：CN112992866A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201911309383.X

申请日：2019-12-18

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 董国忠 ,  李寒 ,  石廷昌 ,  常桂钦 ,  李亮星 ,  邵钰 ,  彭勇殿

IPC: H01L23/58 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种电流旁路结构，包括：插接式电极片，其包括底座和位于所述底座端部的接触片；以及带有插头的顶板，所述顶板设置在所述底座的上方，且所述插头插入所述接触片中并与所述接触片的内壁相接触。通过插接式电极片与插头相互配合，增强了大电流下电流旁路的可靠性；并且引入的集成式电流旁路，解决了独立电流失效后对应芯片不参与工作的问题。

公开(公告)号：CN112490724A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202011362657.4

申请日：2020-11-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 李星峰 ,  李寒 ,  石廷昌 ,  常桂钦 ,  彭勇殿 ,  吴义伯 ,  张文浩

IPC: H01R13/24 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明提供了一种碟簧组件，包括轴、套设在轴上的碟簧，还包括导电柱和母排，所述母排环绕设置在碟簧侧围，且母排上设置有至少三条槽，所述导电柱与轴滑动配合，且导电柱的一端与母排连接；本发明还提供了一种功率半导体模块，包括导电顶盖和导电底座，还包括多个功率子单元和多个上述的碟簧组件，功率子单元与导电柱通过插接一一导通，单个所述功率子单元的侧围设置有绝缘胶体，两两功率子单元之间设置有间隔；本发明的母排具有至少三条通流旁路，且本发明的功率半导体模块热传递性能好，整体的失效通流能力更好。

公开(公告)号：CN220526902U

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202320683651.X

申请日：2023-03-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 张子强 ,  李亮星 ,  常桂钦 ,  曾杰 ,  方超 ,  彭勇殿

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488

Abstract: 本实用新型涉及一种功率模块信号端子，涉及功率半导体器件技术领域。本实用新型的功率模块信号端子包括插针以及底座；所述底座具有相对的第一侧与第二侧，所述底座的所述第一侧用于焊接；其中，所述底座的所述第二侧与所述插针一体式相连。本申请所公开的技术方案能够解决现有分体式信号端子生产成本高，且易出现松动，电气连接不可靠的问题。