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公开(公告)号：CN107425066A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710299984.1
申请日：2017-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明的实施例公开了一种具有低阈值电压的FinFET变容器及其制造方法。本发明公开的方法包括提供位于衬底上方且具有沟道区、源极区和漏极区的半导体层。该方法包括在半导体层中形成阱以具有第一掺杂剂、以及将第二掺杂剂注入到阱中。第一掺杂剂和第二掺杂剂为相反的掺杂类型。阱的第一部分具有的第二掺杂剂的浓度高于第一掺杂剂的浓度。阱的位于第一部分下面的第二部分具有的第一掺杂剂的浓度高于第二掺杂剂的浓度。该方法还包括在沟道区上方形成栅极堆叠件、以及在源极区和漏极区中形成源极部件和漏极部件。阱的第一部分电连接源极部件和漏极部件。
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公开(公告)号：CN104051435B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201310241829.6
申请日：2013-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L28/10 , H01L23/522 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了半导体器件。半导体器件包括：形成在衬底上并被配置为通过频率电流工作的电感器；以及配置在电感器和衬底之间的伪金属部件，伪金属部件的第一宽度小于2倍的与频率有关的趋肤深度。本发明还提供了具有伪金属部件的电感器结构及方法。
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公开(公告)号：CN104051529A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310303834.5
申请日：2013-07-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/41775 , H01L21/761 , H01L21/7624 , H01L29/1083 , H01L29/665 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 本发明公开了一种器件，包括具有第一导电类型的半导体衬底，以及所述半导体衬底中的深阱区，其中深阱区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。该器件还包括位于深阱区上方的具有第一导电类型的阱区。半导体衬底具有位于阱区上方的顶部以及位于深阱区下方的底部，其中所述顶部和所述底部具有第一导电类型并且具有高阻抗。栅极电介质位于半导体衬底之上。栅电极位于栅极电介质上方。源极区和漏极区延伸至半导体衬底的顶部中。源极区、漏极区、栅极电介质以及栅电极形成射频（RF）开关。本发明还公开了高阻抗衬底上的RF开关。
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公开(公告)号：CN104051435A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310241829.6
申请日：2013-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L28/10 , H01L23/522 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了半导体器件。半导体器件包括：形成在衬底上并被配置为通过频率电流工作的电感器；以及配置在电感器和衬底之间的伪金属部件，伪金属部件的第一宽度小于2倍的与频率有关的趋肤深度。本发明还提供了具有伪金属部件的电感器结构及方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102468346A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110089947.0
申请日：2011-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/92
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是有关于一种半导体元件，包含：一第一MOM电容器；一第二MOM电容器直接位于第一MOM电容器上方且垂直重叠在第一MOM电容器上，其中第一与第二MOM电容器均包含多个平行电容器手指；一第一与一第二端点电性耦合至第一MOM电容器；以及一第三与一第四端点电性耦合至第二MOM电容器。第一、第二、第三与第四端点设置于各自的晶圆的表面。藉此本发明的半导体元件可测量出特定金属层所造成的工艺变化，且可有效缩减MOM电容器设计工具所占据的晶片面积。
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公开(公告)号：CN1437202A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN02103512.1
申请日：2002-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种高密度堆叠金属电容元件的制造方法，包括下列步骤：(a)提供一镶嵌有第一金属区块的半导体基底，该基底部分表面露出有该第一金属区块之上表面；(b)全面性地在该半导体基底上方形成第一介电层；(c)选择性地除去该第一介电层，形成露出该第一金属区块的第一开口，以界定出第二金属区块的范围；(d)在该第一开口内填入该第二金属区块，使该第一金属区块与该第二金属区块当作该金属电容元件的下电极；(e)全面性地在该金属电容元件的下电极上方形成第二介电层；(f)选择性地除去该第二介电层，形成露出该金属电容元件下电极表面的第二开口；(g)在该第二开口的底部及侧壁顺应性形成第三介电层，以当作该电容元件的电层；(h)在该第二开口内填入第三金属区块，以当作该电容元件之上电极。
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公开(公告)号：CN107452737B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201610943990.1
申请日：2016-11-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/085
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置，包括由衬底延伸的鳍片、第一源极/漏极特征、第二源极/漏极特征以及在鳍片上的栅极结构。栅极结构以及第一源极/漏极特征之间的距离不同于栅极结构以及第二源极/漏极特征之间的距离。
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公开(公告)号：CN112151676A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010955885.6
申请日：2014-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L49/02 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了具有石墨烯结构的电容器、包括其的半导体器件及其形成方法。电容器包括具有多个第一石墨烯层的第一石墨烯结构。电容器还包括位于第一石墨烯结构上方的介电层。电容器还包括位于介电层上方的第二石墨烯结构，其中，第二石墨烯结构具有多个第二石墨烯层。
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公开(公告)号：CN106409892A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610555184.7
申请日：2016-07-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/735 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L27/082
CPC classification number: H01L27/082 , H01L23/562 , H01L27/0207 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/0808 , H01L29/0821 , H01L29/1008 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/735
Abstract: 一种双极结型晶体管包括：发射极、基极接触件、集电极、以及浅沟槽隔离件。基极接触件具有两个基极指状件，两个基极指状件形成角部以接收发射极。集电极具有沿着基极接触件的基极指状件延伸的两个集电极指状件。浅沟槽隔离件设置在发射极和基极接触件之间，以及基极接触件和集电极之间。本发明还提供了双极结型晶体管布局。
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