公开(公告)号：CN115565948A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210247045.3

申请日：2022-03-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡行易 ,  蔡辅桓 ,  陈家忠 ,  李孝纯 ,  黄崎峰 ,  吕卓颖 ,  梁其翔

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含栅极结构、源极区、漏极区，及隔离结构。所述栅极结构包含第一部分、第二部分，及第三部分。所述第一部分在第一方向上延伸，且所述第二部分及所述第三部分在第二方向上延伸。所述第二部分及所述第三部分经放置于所述第一部分的相对端处。所述源极区及所述漏极区被所述栅极结构分开。所述隔离结构环绕所述栅极结构、所述源极区及所述漏极区。所述第一部分具有第一侧壁，所述第二部分具有第二侧壁，且所述第三部分具有第三侧壁。所述第一侧壁、所述第二侧壁及所述第三侧壁是平行于所述第一方向且彼此对准以形成直线。

公开(公告)号：CN111128928B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN201911047763.0

申请日：2019-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈扬哲 ,  林振华 ,  曾皇文 ,  梁其翔 ,  刘醇明

IPC: H01L23/373 ,  H01L21/50

Abstract: 制造半导体器件的方法包括：在一个或多个芯片的表面上形成焊料层。在一个或多个芯片中的每个上的焊料层上方放置盖。施加热量和压力以熔化焊料层，并将每个盖附接至相应的焊料层。焊料层具有≥50W/mK的热导率。本发明的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN114512415A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202011285345.8

申请日：2020-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈扬哲 ,  周维裕 ,  林振华 ,  陈启平 ,  林汉仲 ,  郑咏世 ,  王智麟 ,  曾皇文 ,  梁其翔 ,  刘醇明

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明实施例涉及半导体测试元件及半导体测试方法。一种半导体测试元件，包含有：半导体衬底、第一内部互连结构、第二内部互连结构、连接金属层、重布层结构、第一端点以及第二端点。所述第一内部互连结构与所述第二内部互连结构设置于所述半导体衬底上，与所述半导体衬底电性隔离。所述连接金属层电性连接所述第一内部互连结构与所述第二内部互连结构，且与所述半导体衬底电性隔离。所述重布层结构与所述第一内部互连结构及所述第二内部互连结构电性连接。所述第一端点与所述第二端点通过所述重布层结构分别与所述第一内部互连结构及所述第二内部互连结构电性连接。

公开(公告)号：CN112744779A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011194524.0

申请日：2020-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈扬哲 ,  梁其翔 ,  林振华 ,  刘醇明 ,  曾皇文 ,  邓伊筌

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明的实施例涉及一种微机电系统(MEMS)包括电路衬底，设置在电路衬底上方的第一MEMS结构以及设置在第一MEMS结构上方的第二MEMS结构。本发明的实施例还涉及制造微机电系统的方法。

公开(公告)号：CN106252232B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201610090342.6

申请日：2016-02-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈家忠 ,  黄崎峰 ,  梁其翔 ,  蔡辅桓 ,  谢协宏 ,  叶子祯 ,  蔡汉旻 ,  朱虹霖

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明的实施例提供一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍部。一个或多个鳍部包括沿着第一方向的第一区域和位于第一区域两侧沿着第一方向的第二区域。将掺杂剂注入鳍部的第一区域，但是未注入第二区域。栅极结构位于第一区域上方，并且在鳍部的第二区域上形成源极/漏极。本发明还提供了一种半导体器件及其包括该半导体器件的Gilbert单元混频器。

公开(公告)号：CN105280718B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201510381482.4

申请日：2015-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈家忠 ,  黄崎峰 ,  梁其翔

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/06 ,  H01L21/337

Abstract: 一种结型栅场效应晶体管(JFET)包括：衬底；源极区，形成在衬底中；漏极区，形成在衬底中；沟道区，形成在衬底中；以及至少一个栅极区，形成在衬底中。沟道区将源极区与漏极区连接。至少一个栅极区在界面处接触源极区和漏极区中的一个，并且至少一个栅极区与源极区和漏极区中的另一个隔离。介电层覆盖界面，同时暴露源极区和漏极区中的一个的一部分以及栅极区的一部分。本发明还提供了半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN106356363B

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201610008393.X

申请日：2016-01-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周硕君 ,  黄崎峰 ,  陈家忠 ,  梁其翔

IPC: H01L23/64

Abstract: 本发明实施例提供了半导体器件。半导体器件包括密封环和吸声电路。在密封环和接地垫之间电连接吸声电路。吸声电路包括至少一个电容器和至少一个电感器以形成第一吸声路径、第二吸声路径和第三吸声路径。本发明实施例涉及半导体器件和半导体系统。

公开(公告)号：CN107425066A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710299984.1

申请日：2017-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡铺桓 ,  蔡汉旻 ,  陈家忠 ,  黄崎峰 ,  梁其翔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的实施例公开了一种具有低阈值电压的FinFET变容器及其制造方法。本发明公开的方法包括提供位于衬底上方且具有沟道区、源极区和漏极区的半导体层。该方法包括在半导体层中形成阱以具有第一掺杂剂、以及将第二掺杂剂注入到阱中。第一掺杂剂和第二掺杂剂为相反的掺杂类型。阱的第一部分具有的第二掺杂剂的浓度高于第一掺杂剂的浓度。阱的位于第一部分下面的第二部分具有的第一掺杂剂的浓度高于第二掺杂剂的浓度。该方法还包括在沟道区上方形成栅极堆叠件、以及在源极区和漏极区中形成源极部件和漏极部件。阱的第一部分电连接源极部件和漏极部件。

公开(公告)号：CN104051435B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201310241829.6

申请日：2013-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李孝纯 ,  梁其翔 ,  黄崎峰

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件。半导体器件包括：形成在衬底上并被配置为通过频率电流工作的电感器；以及配置在电感器和衬底之间的伪金属部件，伪金属部件的第一宽度小于2倍的与频率有关的趋肤深度。本发明还提供了具有伪金属部件的电感器结构及方法。

公开(公告)号：CN104051435A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310241829.6

申请日：2013-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李孝纯 ,  梁其翔 ,  黄崎峰

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件。半导体器件包括：形成在衬底上并被配置为通过频率电流工作的电感器；以及配置在电感器和衬底之间的伪金属部件，伪金属部件的第一宽度小于2倍的与频率有关的趋肤深度。本发明还提供了具有伪金属部件的电感器结构及方法。