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发明公开
半导体结构审中-实审

公开(公告)号：CN115565948A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210247045.3

申请日：2022-03-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡行易 , 蔡辅桓 , 陈家忠 , 李孝纯 , 黄崎峰 , 吕卓颖 , 梁其翔

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含栅极结构、源极区、漏极区，及隔离结构。所述栅极结构包含第一部分、第二部分，及第三部分。所述第一部分在第一方向上延伸，且所述第二部分及所述第三部分在第二方向上延伸。所述第二部分及所述第三部分经放置于所述第一部分的相对端处。所述源极区及所述漏极区被所述栅极结构分开。所述隔离结构环绕所述栅极结构、所述源极区及所述漏极区。所述第一部分具有第一侧壁，所述第二部分具有第二侧壁，且所述第三部分具有第三侧壁。所述第一侧壁、所述第二侧壁及所述第三侧壁是平行于所述第一方向且彼此对准以形成直线。

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