公开(公告)号：CN114512415A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202011285345.8

申请日：2020-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈扬哲 ,  周维裕 ,  林振华 ,  陈启平 ,  林汉仲 ,  郑咏世 ,  王智麟 ,  曾皇文 ,  梁其翔 ,  刘醇明

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明实施例涉及半导体测试元件及半导体测试方法。一种半导体测试元件，包含有：半导体衬底、第一内部互连结构、第二内部互连结构、连接金属层、重布层结构、第一端点以及第二端点。所述第一内部互连结构与所述第二内部互连结构设置于所述半导体衬底上，与所述半导体衬底电性隔离。所述连接金属层电性连接所述第一内部互连结构与所述第二内部互连结构，且与所述半导体衬底电性隔离。所述重布层结构与所述第一内部互连结构及所述第二内部互连结构电性连接。所述第一端点与所述第二端点通过所述重布层结构分别与所述第一内部互连结构及所述第二内部互连结构电性连接。

公开(公告)号：CN113470953B

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202110082578.6

申请日：2021-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周维裕 ,  陈扬哲 ,  林振华 ,  梁其翔 ,  曾皇文 ,  刘醇明

IPC: H01F38/08

Abstract: 一种电感装置包括绝缘层、下磁性层及上磁性层，绝缘层、下磁性层及上磁性层被形成为使得绝缘层不会在电感装置的外边缘或翼处将下磁性层与上磁性层隔开。下磁性层与上磁性层在电感装置的绝缘层及导体周围形成连续的磁性层。通过形成穿过上磁性层的开口来提供漏磁路径。可通过半导体工艺形成穿过上磁性层的开口，所述半导体工艺与用于形成绝缘层的半导体工艺(例如旋转涂布)相比具有相对较高的精度及准确度。这会减少电感装置内以及从电感装置到电感装置的漏磁路径变化。

公开(公告)号：CN113470953A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110082578.6

申请日：2021-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周维裕 ,  陈扬哲 ,  林振华 ,  梁其翔 ,  曾皇文 ,  刘醇明

IPC: H01F38/08

Abstract: 一种电感装置包括绝缘层、下磁性层及上磁性层，绝缘层、下磁性层及上磁性层被形成为使得绝缘层不会在电感装置的外边缘或翼处将下磁性层与上磁性层隔开。下磁性层与上磁性层在电感装置的绝缘层及导体周围形成连续的磁性层。通过形成穿过上磁性层的开口来提供漏磁路径。可通过半导体工艺形成穿过上磁性层的开口，所述半导体工艺与用于形成绝缘层的半导体工艺(例如旋转涂布)相比具有相对较高的精度及准确度。这会减少电感装置内以及从电感装置到电感装置的漏磁路径变化。