公开(公告)号：CN114512415A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202011285345.8

申请日：2020-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈扬哲 ,  周维裕 ,  林振华 ,  陈启平 ,  林汉仲 ,  郑咏世 ,  王智麟 ,  曾皇文 ,  梁其翔 ,  刘醇明

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明实施例涉及半导体测试元件及半导体测试方法。一种半导体测试元件，包含有：半导体衬底、第一内部互连结构、第二内部互连结构、连接金属层、重布层结构、第一端点以及第二端点。所述第一内部互连结构与所述第二内部互连结构设置于所述半导体衬底上，与所述半导体衬底电性隔离。所述连接金属层电性连接所述第一内部互连结构与所述第二内部互连结构，且与所述半导体衬底电性隔离。所述重布层结构与所述第一内部互连结构及所述第二内部互连结构电性连接。所述第一端点与所述第二端点通过所述重布层结构分别与所述第一内部互连结构及所述第二内部互连结构电性连接。

公开(公告)号：CN105679811A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610263564.3

申请日：2011-04-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡永智 ,  林汉仲

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L21/823835 ,  H01L21/326 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包括一第一掺杂区和一第二掺杂区，两者形成于一基板中，一部分的该基板使该第一掺杂区和该第二掺杂区彼此分离，该第一掺杂区和该第二掺杂区具有相反导电类型的掺质。一第一栅极，形成于该基板上方，该第一栅极部分重叠于该第一掺杂区的一部分、该部分的该基板、和该第二掺杂区的一部分。一第二栅极，形成于该基板上方，该第二栅极部分重叠于该第二掺杂区的一不同部分。上述半导体装置包括一第一电压源，对该第二栅极提供一第一电压。一第二电压源，对该第二掺杂区提供一第二电压，其中该第二电压大于该第一电压。本发明实施例可利用不同的施加偏压组合而具有弹性以适用于不同的需求。

公开(公告)号：CN105679811B

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201610263564.3

申请日：2011-04-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡永智 ,  林汉仲

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包括一第一掺杂区和一第二掺杂区，两者形成于一基板中，一部分的该基板使该第一掺杂区和该第二掺杂区彼此分离，该第一掺杂区和该第二掺杂区具有相反导电类型的掺质。一第一栅极，形成于该基板上方，该第一栅极部分重叠于该第一掺杂区的一部分、该部分的该基板、和该第二掺杂区的一部分。一第二栅极，形成于该基板上方，该第二栅极部分重叠于该第二掺杂区的一不同部分。上述半导体装置包括一第一电压源，对该第二栅极提供一第一电压。一第二电压源，对该第二掺杂区提供一第二电压，其中该第二电压大于该第一电压。本发明实施例可利用不同的施加偏压组合而具有弹性以适用于不同的需求。

公开(公告)号：CN112558407A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202010673245.6

申请日：2020-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林汉仲 ,  林忠亿 ,  王彦森

IPC: G03F1/36 ,  G03F7/20

Abstract: 本公开提供一种制造半导体装置的方法，包括接收设计布局；对设计布局执行选路以获得选路后布局，选路后布局包括互连结构，互连结构包括第一金属层、第一金属层上的第二金属层、第二金属层上的第三金属层、以及复数功能性通孔；对选路后布局执行光学邻近校正(OPC)操作以获得OPC后布局；以及修改OPC后布局以获得修改后布局。选路后布局的修改包括在第一金属层与第二金层间插入复数第一虚拟通孔，以避免第一金层中相邻的两个金属线之间的水平桥接，以及在第二金属层与第三金属层之间插入复数第二虚拟通孔，以避免对复数第一虚拟通孔的垂直耦接。

公开(公告)号：CN102456722A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110092406.3

申请日：2011-04-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡永智 ,  林汉仲

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823835 ,  H01L21/326 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包括一第一掺杂区和一第二掺杂区，两者形成于一基板中，上述第一掺杂区和上述第二掺杂区具有相反导电类型的掺质。一第一栅极，形成于上述基板上方，上述第一栅极部分重叠于上述第一掺杂区的一部分和上述第二掺杂区的一部分。一第二栅极，形成于上述基板上方，上述第二栅极部分重叠于上述第二掺杂区的一不同部分。上述半导体装置包括一第一电压源，对上述第二栅极提供一第一电压。一第二电压源，对上述第二掺杂区提供一第二电压，其中上述第一电压和上述第二电压彼此不同。本发明实施例可利用不同的施加偏压组合而具有弹性以适用于不同的需求。